氚增殖材料、中子倍增剂量以及结构材料达到远程操作的要求分别要冷却2.6年、25.2年、46.4年。结果显示:CFETR包层设计不存在突出的安全问题,从屏蔽层的初步效果模拟来看,内增殖包层的结构需要调整,其屏蔽层对于中子的屏蔽设计还需要做出进一步的优化。
论文首先根据CFETR真空室的结构特点,对屏蔽包层进行了总体设计和布局。屏蔽包层采用模块化设计方案,并基于CATIA三维设计软件进行三维建模。增殖区域屏蔽包层环向20°为一个扇形段,每个扇形段又分为内包层区,上窗口区,外包层区,共计17个模块。
本人通过对多篇有关电磁兼容方面的论文的仔细研读和有关知识的了解,发现收获颇多,于是得到些许心得体会如下:EMC设计是通信产品设计中不可缺少的重要组成部分,EMC设计中比较关键的一项就是有关设备的屏蔽设计。屏蔽能有效地抑制通过空间传播的电磁干扰。
音频功率放大器的设计毕业论文.docx,PAGEPAGE#单刀音频功率放大器的设计摘要本次课程设计题目为音频功率放大器,简称音频功放,音频功率放大器主要用于推动扬声器发声,凡发声的电子产品中都要用到音频功放。设计中主要采用OP07...
摘要:屏蔽电缆作为机载,舰载等复杂平台上各个电子设备的连接器件,将不可避免地暴露在复杂电磁环境中.当其受到复杂电磁环境中的高功率电磁脉冲(HPEMP)冲击时,绝大部分的耦合瞬态电流将直接流过其屏蔽层,而不进入其内芯导体.但受屏蔽层结构和屏蔽性能的限制,HPEMP仍可通过转移阻抗耦合进入...
音频功率放大器设计毕业论文.doc,摘要本次课程设计题目为音频功率放大器,简称音频功放,音频功率放大器主要用于推动扬声器发声,凡发声的电子产品中都要用到音频功放。设计中主要采用OP07进行音频放大器的设计,OP07芯片是一种低噪声...
高功率微波武器国内外研究现状_毕业论文.孔缝耦合是电磁脉冲进入屏蔽体的主要途径之一,研究孔缝耦合问题也是是研究电磁脉冲耦合效应的重要途径之一,因此,孔缝耦合问题一直深受国内外研究学者的关注。.研究孔缝耦合问题的方法分为三种:解析研究方法...
王飞,王昊,卞耀明,司徒国海.[第一单位]中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室.[摘要]近年来,深度学习被广泛应用于计算成像中,并取得了令人瞩目的成果,已成为该领域的研究热点。.为了深入了解现有基于深度学习的方法是如何解决...
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了...
氚增殖材料、中子倍增剂量以及结构材料达到远程操作的要求分别要冷却2.6年、25.2年、46.4年。结果显示:CFETR包层设计不存在突出的安全问题,从屏蔽层的初步效果模拟来看,内增殖包层的结构需要调整,其屏蔽层对于中子的屏蔽设计还需要做出进一步的优化。
论文首先根据CFETR真空室的结构特点,对屏蔽包层进行了总体设计和布局。屏蔽包层采用模块化设计方案,并基于CATIA三维设计软件进行三维建模。增殖区域屏蔽包层环向20°为一个扇形段,每个扇形段又分为内包层区,上窗口区,外包层区,共计17个模块。
本人通过对多篇有关电磁兼容方面的论文的仔细研读和有关知识的了解,发现收获颇多,于是得到些许心得体会如下:EMC设计是通信产品设计中不可缺少的重要组成部分,EMC设计中比较关键的一项就是有关设备的屏蔽设计。屏蔽能有效地抑制通过空间传播的电磁干扰。
音频功率放大器的设计毕业论文.docx,PAGEPAGE#单刀音频功率放大器的设计摘要本次课程设计题目为音频功率放大器,简称音频功放,音频功率放大器主要用于推动扬声器发声,凡发声的电子产品中都要用到音频功放。设计中主要采用OP07...
摘要:屏蔽电缆作为机载,舰载等复杂平台上各个电子设备的连接器件,将不可避免地暴露在复杂电磁环境中.当其受到复杂电磁环境中的高功率电磁脉冲(HPEMP)冲击时,绝大部分的耦合瞬态电流将直接流过其屏蔽层,而不进入其内芯导体.但受屏蔽层结构和屏蔽性能的限制,HPEMP仍可通过转移阻抗耦合进入...
音频功率放大器设计毕业论文.doc,摘要本次课程设计题目为音频功率放大器,简称音频功放,音频功率放大器主要用于推动扬声器发声,凡发声的电子产品中都要用到音频功放。设计中主要采用OP07进行音频放大器的设计,OP07芯片是一种低噪声...
高功率微波武器国内外研究现状_毕业论文.孔缝耦合是电磁脉冲进入屏蔽体的主要途径之一,研究孔缝耦合问题也是是研究电磁脉冲耦合效应的重要途径之一,因此,孔缝耦合问题一直深受国内外研究学者的关注。.研究孔缝耦合问题的方法分为三种:解析研究方法...
王飞,王昊,卞耀明,司徒国海.[第一单位]中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室.[摘要]近年来,深度学习被广泛应用于计算成像中,并取得了令人瞩目的成果,已成为该领域的研究热点。.为了深入了解现有基于深度学习的方法是如何解决...
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了...