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功率肖特基二极管及其关键技术研究论文研究,及,技术,技术研究,功率二极管,肖特基,技术文章,反馈意见哈尔滨工程大学硕士学位论文功率肖特基二极管及其关键技术研究姓名：李婷申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：王颖2012-03-18功率肖特基二极管及其关键技术研宄目前能源...
SiGeC/Si功率二极管新结构的研究与特性分析.刘静.传统的Sip-i-n功率二极管由于其材料特性的局限性,很难适应高频化电力电子电路对功率二极管低通态压降、较小的反向漏电流以及快而软的反向恢复特性的要求。.SiGe材料因其载流子迁移率高、能带可调等优点...
快速软恢复SiGe异质结功率二极管的分析与设计.电力电子技术高频化的发展趋势要求功率开关二极管必须具有快速开通和高速关断的能力,即具有短的反向恢复时间(t_(rr)),较小的反向恢复电流(I_(RM))和软恢复特性。.传统的SiPiN功率二极管由于Si材料特性的局限...
MPS功率二极管优化设计研究,MPS,软恢复特性,,优化。电力的大规模利用催生和促进了电力电子技术的产生和发展,同时电力电子技术的发展也推动了电气时代的发展。作为电力电子技术重...
大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展第9卷第1期2001年2月=====文章编号1004-924X(2001D01-0006-04光学精密工程0PTICSANDPRECISI0NENGINEERINGVol.9No.1Feb.2001大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展郑权1赵岭2钱龙生1(1.中国...
1功率半导体器件及功率集成技术的发展趋势1.1电力半导体器件的发展趋势功率半导体器件包括功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、功率栅极双极晶体管和功率半导体器件宽禁带。（1）功率MOSFET应用领域广阔，广泛应用于中小型功率领域的
功率半导体器件的发展大致经历了以上几个阶段。大功率二极管产生于20世纪40年代，是功率半导体器件中结构最简单，使用最广泛的一种器件。目前已形成整流二极管（Rectifierdiode）、快恢复二极管…
氧化镓高功率肖特基二极管的及结终端技术研究.李昂.【摘要】：氧化嫁(Ga2O3)作为近些年来迅速发展起来的半导体材料之一,相比于传统半导体材料Ge、Si,以及同为第三代半导体材料的SiC和GaN相比,凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿场强,在高压、大...
国内图书分类号：TH741工学硕士学位论文基于PIN光电二极管的光功率计设计硕士研究生：杨军导师：周真申请学位级别：工学硕士学科、专业：测试计量技术及仪器所在单位：测控技术与通信工程学院答辩日期：2012年3月授予学位单位：哈尔滨理工大学ClassifiedIndex：耶H741DissertationMasterDegree...
大功率碳化硅PiN，二极管，击穿特性的模拟研究.pdf,摘要摘要与硅材料相比较，第三代宽禁带半导体碳化硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的载流子饱和速率，使得碳化硅PiN二极管能够更好地应用于高温、高频和高功率场合。
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1功率半导体器件及功率集成技术的发展趋势1.1电力半导体器件的发展趋势功率半导体器件包括功率二极管、晶闸管、功率MOSFET、功率栅极双极晶体管和功率半导体器件宽禁带。（1）功率MOSFET应用领域广阔，广泛应用于中小型功率领域的
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氧化镓高功率肖特基二极管的及结终端技术研究.李昂.【摘要】：氧化嫁(Ga2O3)作为近些年来迅速发展起来的半导体材料之一,相比于传统半导体材料Ge、Si,以及同为第三代半导体材料的SiC和GaN相比,凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿场强,在高压、大...
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