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目：基于CMOS工艺的高压MOSFET研究研究生：李红征微电子学与固体电子学随着集成电路制造工艺水平的提升，系统集成度越来越高，智能功率集成电路得到了日益广泛的应用，功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，具有开关特性好、功耗小等优点。
超结高压功率MOSFET器件研究,超结,VDMOS,LDMOS,功率器件,深槽工艺。功率半导体器件被广泛应用于电力、能源、消费类、航天等领域,特别是随着近年来节能减排、新能源的兴起,功率半导体器件受到了越...
通常是通过增艺步骤，或者是改变工艺流程对原有的器件进行小的改进。.例如将沟槽底部刻蚀成W形来降低栅漏电荷【6J，或者采用沟槽型的接触来降低导通电阻提高雪崩能量【_巧等。.下面针对3个研究内容做详细分析。.1．2．1降低MOSFET的FOM（优值）功率...
超结高压功率mosfet器件研究,功率mosfet,高压mosfet,大功率mosfet,大功率mosfet型号,功率mosfet应用指南,功率mosfet驱动波形,mosfet功率损耗计算,功率mosfet耐压值选择,功率mosfet驱动
功率MOSFET击穿特性研究.刘驰.【摘要】：击穿电压是功率半导体器件的重要参数之一。.功率半导体器件在不同的应用场合下,需要不同规格的击穿电压。.从100V左右的显示器驱动,几千伏的电气机车,到上万伏特的高压直流传输应用中,都可以发现功率半导体的...
功率MOSFET很好的学位论文。频道豆丁首页社区企业工具创业微案例会议热门频道工作总结作文股票医疗文档分类论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组...
600V功率MOSFET器件的元胞结构研究结构,研究,胞,器件结构,600V,器件的,功率MOS,MOS器件,600V,MOS的国内图书分类号：TN386．1国际图书分类号：621．38西南交通大学研究生学位论文密…
功率MOSFET器件的SEB和SEGR效应分析研究.pdf,摘要摘要功率MOSFET器件在航空、航天等领域的电子学系统中，用作备用电源的功率开关、DC．DC电压变换器、信号发射机等多个部位的关键器件。但是功率MOSFET器件对单粒子效应却存在...
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结.2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSimulation②Experimentalstudyandsimulationsontwodi?erentavalanchemodesintrenchpowerMOSFETs③Multi-CellE?ectsduringUnclampedInductiveSwitchingofPowerMOSFETs④Anewsimulationapproachtoinvestigate...
什么是powermosfet，powermosfet，中文是电力场效应晶体管的意思。电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）。P-MOSFET...
目：基于CMOS工艺的高压MOSFET研究研究生：李红征微电子学与固体电子学随着集成电路制造工艺水平的提升，系统集成度越来越高，智能功率集成电路得到了日益广泛的应用，功率集成电路将工作电压高低不同的功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，具有开关特性好、功耗小等优点。
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通常是通过增艺步骤，或者是改变工艺流程对原有的器件进行小的改进。.例如将沟槽底部刻蚀成W形来降低栅漏电荷【6J，或者采用沟槽型的接触来降低导通电阻提高雪崩能量【_巧等。.下面针对3个研究内容做详细分析。.1．2．1降低MOSFET的FOM（优值）功率...
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功率MOSFET击穿特性研究.刘驰.【摘要】：击穿电压是功率半导体器件的重要参数之一。.功率半导体器件在不同的应用场合下,需要不同规格的击穿电压。.从100V左右的显示器驱动,几千伏的电气机车,到上万伏特的高压直流传输应用中,都可以发现功率半导体的...
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