碱晶须的化学气相沉积和碳热还原过程主要是生长VLS机制,其中也含有一种VS生长机制。参考文献[1]曹冲,周涛,李文魁,艾建平.自蔓延燃烧氮化铝晶须及其生长机理[J].江西科技师范大学学报,2017(06):13-16.
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中文翻译:确定VLS生长的纳米线和纳米带形状的催化剂-纳米结构界面晶格失配:以Sn/ZnO为例气-液-固(VLS)是一种成熟的纳米线催化剂引导生长过程。通常认为催化剂颗粒在生长过程中处于液态,是吸附进入分子的场所
(2)气-固(VS)机理除了VLS机理外,另一种常见的纳米线生长机理为VS机理。纳米线的气固生长机理(VS)即通过气-固反应成核生长纳米线。Frank在研究锡纳米线生长机理时提出的位错理论通常被用来解释纳米线生长的气固机理。
(2)在氧分压约1~2%的环境中,分别通过气固(VS)与气液固(VLS)生长机制,了氧化锌纳米棒/线及其阵列材料。氧化锌纳米线/棒的生长方向在VS过程中为[0002],在VLS过程中比较多变。(3)在催化剂的作用下,直接了高纯氧化锌纳米带。
一维SiC纳米材料技术研究进展.一维SiC纳米材料由于具有独特的电学,光学及力学性能,在新型纳米光电子器件,生物医学传感器,储能和材料增韧等领域拥有广阔的应用前景.介绍了基于气相一液相一固相(VLS),固相.液相一固相(SLS),气相.固相(VS)和氧化物辅助生长...
《自催化气相生长与一维纳米结构》是2013年科学出版社出版的图书,作者是陈翌庆。《自催化气相生长与一维纳米结构》在总结介绍一维纳米结构气相生长机制的基础上,重点阐述科研过程中发现的自催化VLS生长机制,并系统介绍利用自催化VLS生长机制和自催化VS生长机制二元纳米线、多元...
无机纳米晶的形貌调控及生长机理研究.pdf,中国科学B辑:化学2009年第39卷第9期:864~886《中国科学》杂志社SCIENCEINCHINAPRESS无机纳米晶的形貌调控及生长机理研究冯怡,马天翼,刘蕾,袁忠勇*南开大学化学学院新催化材料科学...
自从纳米线研究以来,纳米线的生长机理一直是一个很重要的课题。纳米线生长有两大类,一种是有催化剂参与的生长,包括气液固(vapor-liquid-solid,VLS)和气固固(vapor-solid-solid,VSS),另一种是无催化剂参与的生长,机理主要有气固(vapor-solid,VS)和固相扩散机制(solid-diffusion,SD)。
此外,目前无外来催化含In的化合物纳米线生长机制存在争议,主要集中在In液滴自催化的VLS和应力驱动的气-固(VS)两种生长机制上。最近,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员杨涛课题组在InAsSb纳米线及机理研究方面取得系列进展。
碱晶须的化学气相沉积和碳热还原过程主要是生长VLS机制,其中也含有一种VS生长机制。参考文献[1]曹冲,周涛,李文魁,艾建平.自蔓延燃烧氮化铝晶须及其生长机理[J].江西科技师范大学学报,2017(06):13-16.
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(2)气-固(VS)机理除了VLS机理外,另一种常见的纳米线生长机理为VS机理。纳米线的气固生长机理(VS)即通过气-固反应成核生长纳米线。Frank在研究锡纳米线生长机理时提出的位错理论通常被用来解释纳米线生长的气固机理。
(2)在氧分压约1~2%的环境中,分别通过气固(VS)与气液固(VLS)生长机制,了氧化锌纳米棒/线及其阵列材料。氧化锌纳米线/棒的生长方向在VS过程中为[0002],在VLS过程中比较多变。(3)在催化剂的作用下,直接了高纯氧化锌纳米带。
一维SiC纳米材料技术研究进展.一维SiC纳米材料由于具有独特的电学,光学及力学性能,在新型纳米光电子器件,生物医学传感器,储能和材料增韧等领域拥有广阔的应用前景.介绍了基于气相一液相一固相(VLS),固相.液相一固相(SLS),气相.固相(VS)和氧化物辅助生长...
《自催化气相生长与一维纳米结构》是2013年科学出版社出版的图书,作者是陈翌庆。《自催化气相生长与一维纳米结构》在总结介绍一维纳米结构气相生长机制的基础上,重点阐述科研过程中发现的自催化VLS生长机制,并系统介绍利用自催化VLS生长机制和自催化VS生长机制二元纳米线、多元...
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自从纳米线研究以来,纳米线的生长机理一直是一个很重要的课题。纳米线生长有两大类,一种是有催化剂参与的生长,包括气液固(vapor-liquid-solid,VLS)和气固固(vapor-solid-solid,VSS),另一种是无催化剂参与的生长,机理主要有气固(vapor-solid,VS)和固相扩散机制(solid-diffusion,SD)。
此外,目前无外来催化含In的化合物纳米线生长机制存在争议,主要集中在In液滴自催化的VLS和应力驱动的气-固(VS)两种生长机制上。最近,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员杨涛课题组在InAsSb纳米线及机理研究方面取得系列进展。