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南航超大规模集成电路设计基础课结课论文——VLSI设计基础文献综述报告041020421夏进VLSI设计基础文献综述报告文献“1”：AnImplementationofIntegrableLowPowerTechniquesfor…
VLSI是超大规模集成电路国际研讨会（SymposiumonVLSITechnologyandCircuits）的简称，每年六月中旬在日本京都、美国夏威夷轮流召开。会议汇集了世界各地行业和学术界的工程师和科学家，讨论超大规模集成电路制造和设计中的挑战。
论文生活休闲外语心理学全部建筑频道建筑文本施组方案交底用户中心充值...用教材：VLSI设设出版社2002年10月第一版参考教材半体集成南大学出版社，1995VLS工设设概述设设与思考(p.1~3)VLS工设设概述设设主流工？其最大特点是什...
VLSI设计基础复习资料.doc,VLSI设计基础复习资料为什么CMOS（含BiCMOS）工艺成为VLSI主流工艺？其最大特点是什么？在微电子技术领域，集成电路的制造有两个主要的实现技术：双极技术与MOS技术。CMOS以其结构简单，集成度高，耗散...
VLSI复习题与思考题n.doc.“VLS工设计基础”复习题与思考题选用教材：“VLSI设计基础”李伟华编著电子工业出版社2002年10月第一版参考教材“半导体集成电路”，张开华编著，东南大学出版社，1995章“VLS工设计基础概述”复习题与思考题(p.1~3)章“MOS...
第1章VLSI设计基础概述1.1VLSI设计技术基础与主流制造技术1.2VLSI设计方法与设计技术1.3新技术对VLSI的贡献1.4ASIC和VLSI1.5SOC1.6VLSI的版图结构和设计技术1.6.1VLSI的版图总体结构1.6.2VLSI版图的内部结构第2章MOS器件与工艺基础2
基于提升结构的小波图像压缩编码研究与设计,提升小波,小波变换,VLSI,无链表SPIHT,图像压缩。数字图像处理技术发展迅速,目前已经成为工程学、计算机科学、信息科学、统计学、医学甚至社会科学等领域各学科之间学习和研究...
VLSIP/G网的瞬态IR-drop分析.随着半导体制造工艺、EDA工具和VLSI设计技术的发展,集成电路速度越来越高,集成度越来越大。.这种趋势导致电源/地线网(P/G网)上产生电压降(IR-drop)。.过大的电压降会导致电源电压波动、噪声容限减小、逻辑门延迟增加、开关速度...
提供VLSI设计基础复习题与思考题word文档在线阅读与免费下载，摘要:电荷Qss以及电荷的性质。第二个影响阈值电压的因素是衬底的掺杂浓度。第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。第四个对器件阈值电压具有重要影响的参数是栅材料与硅衬底的功函数差ΦMS的...
提供VLSI设计基础复习题与思考题word文档在线阅读与免费下载，摘要:2.试以栅介质和栅电极的种类对MOS器件进行分类。器件进行分类。当前VLSIMOSIC工艺的主流采用何种工艺？工艺？以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现...
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