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上海交通大学硕士学位论文关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究姓名：顾晓健申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：施国勇;黄臻20080908本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，进行研究工作所...
上海交通大学硕士学位论文关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究姓名：顾晓健申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：施国勇;黄臻20080908上海交通大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师...
关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究.顾晓健.【摘要】：本文首先介绍了功率MOS管的UIS(unclampedinductiveswitching)测试原理及重要性,通过某公司的实际的案例,解释UIS和产品质量之间相互关系,挖掘影响UIS能力的因素,并通过实际案例解释改善功率MOSFET...
功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法和,方法,改善,UIS,能力的方法,UIS能力四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会论文集2012年12月功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法李果，任敏，李泽宏，张金平（电子科技大学邮编：610054）【摘要】器件的可靠性一直是功率电力电子器件设计的一个...
测试条件为L＝0．1mH，Vot＝50V测试方法为选取I咖簟0A进行UIS破坏性测试，即下一个脉冲的电流值都比前一脉冲大1A，直至19电子科技大学硕士学位论文器件打坏。
功率dmos的uis失效机理及改善.中国科技论文在线功率DMOS的UIS失效机理及改善基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金新教师类（20110185120005）作者简介：任敏（1980-），女，副教授，主要研究方向为新型功率半导体器件与集成电路.E-mail:renmin@uestc.edu...
介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RB,改…
功率MOSFETUIS特性研究.pdf,摘要摘要近年来，随着半导体技术的快速发展及对产品可靠性、失效机理等认知的深入，给功率半导体厂商带来了全新的挑战，即如何在芯片尺寸不断缩小的情况下，使产品能更为安全、可靠、长寿命。特别是功率...
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结.pdf,2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSimulation②ExperimentalstudyandsimulationsontwodifferentavalanchemodesintrenchpowerMOSFETs③Multi-Cell
在测试过程中需要增加电流，然后重复测试，直到器件失效。1本论文主要讨论电流破坏，因此需要小的负载电感，有两种模型如下：a）的cell之间可以进行热传导，主要用于评价临近元胞之间的热传递，热损坏的温度取决于外延层的浓度，中定义为700K。
上海交通大学硕士学位论文关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究姓名：顾晓健申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：施国勇;黄臻20080908本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，进行研究工作所...
上海交通大学硕士学位论文关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究姓名：顾晓健申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：施国勇;黄臻20080908上海交通大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师...
关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究.顾晓健.【摘要】：本文首先介绍了功率MOS管的UIS(unclampedinductiveswitching)测试原理及重要性,通过某公司的实际的案例,解释UIS和产品质量之间相互关系,挖掘影响UIS能力的因素,并通过实际案例解释改善功率MOSFET...
功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法和,方法,改善,UIS,能力的方法,UIS能力四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会论文集2012年12月功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法李果，任敏，李泽宏，张金平（电子科技大学邮编：610054）【摘要】器件的可靠性一直是功率电力电子器件设计的一个...
测试条件为L＝0．1mH，Vot＝50V测试方法为选取I咖簟0A进行UIS破坏性测试，即下一个脉冲的电流值都比前一脉冲大1A，直至19电子科技大学硕士学位论文器件打坏。
功率dmos的uis失效机理及改善.中国科技论文在线功率DMOS的UIS失效机理及改善基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金新教师类（20110185120005）作者简介：任敏（1980-），女，副教授，主要研究方向为新型功率半导体器件与集成电路.E-mail:renmin@uestc.edu...
介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RB,改…
功率MOSFETUIS特性研究.pdf,摘要摘要近年来，随着半导体技术的快速发展及对产品可靠性、失效机理等认知的深入，给功率半导体厂商带来了全新的挑战，即如何在芯片尺寸不断缩小的情况下，使产品能更为安全、可靠、长寿命。特别是功率...
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结.pdf,2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSimulation②ExperimentalstudyandsimulationsontwodifferentavalanchemodesintrenchpowerMOSFETs③Multi-Cell
在测试过程中需要增加电流，然后重复测试，直到器件失效。1本论文主要讨论电流破坏，因此需要小的负载电感，有两种模型如下：a）的cell之间可以进行热传导，主要用于评价临近元胞之间的热传递，热损坏的温度取决于外延层的浓度，中定义为700K。
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