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学校代码分类号学号密级西安电子科技大学博士学位论文硅通孔（TSV）电学传输特性分析与优化作者姓名：赵颖博一级学科：电子科学与技术二级学科：微电子学与固体电子学学位类别：工学博士指导教师姓名、职称：杨银堂教授提交日期：2015年4月AnalysisdOptimizationofElectrical…
本论文针对现有TSV结构中寄生电容大和热应力导致失效的问题,对TSV互连结构做出改进。由理论推导和可知,互连延迟和功耗主要取决于TSV寄生电容,而TSV结构引入的热应力可以通过应力缓冲进行释放。本论文从材料以及结构设计角度突破和创新。
学校代码分类号10701TN4学号121兰！！Q2墨2密级公开西安电子科技大学博士学位论文新型硅通孔（TSV）的电磁特性研究作者姓名：卢启军一级学科：电子科学与技术二级学科：微电子学与固体电子学学位类别：工学博士指导教师姓名、职称：柴常春教授学院：微电子学院提交日…
硅通孔（tsv）转接板微组装技术研究进展.第148期2015年8月硅通孔（TSV）转接板微组装技术研究进展江南计算技术研究所，江苏无锡214083；华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，江苏无锡214135；中国科学院微电子研究所，北京100029）摘要：以硅通孔...
华中科技大学硕士学位论文基于TSV的MEMS圆片级真空封装关键技术的研究姓名：张卓申请学位级别：硕士专业：机械制造及其自动化指导教师：汪学方2011-01-16微机电系统（MicroElectroMechanicalSystem,MEMS）是将微机械元件、微型传感器
TSV功耗模型与3DNoC功耗分析1．4文章结构本文内容可分为六部分，章节安排如下：第一章为绪论，首先介绍了三维集成电路和TSV技术以及二维和三维的NoC，然后在此基础上介绍了该领域国内外发展和研究现状，最后对论文的研究内容和基本
1.在Excel文件菜单上,单击打开。.2.单击以选中TSV(为用制表符tab分隔的文件)或CSV(为用逗号,分隔的文件)文件。.3.如果文件是逗号分隔,单击下一步，然后继续执行步骤4。.如果文件是制表符分隔,单击完成，然后引用到下文"要保存将文件从Excel中TSV...
TSV文件与CSV文件的区别TSV是Tab-separatedvalues的缩写，即制表符分隔值。相对来说CSV，Comma-separatedvalues（逗号分隔值）更常见一些。TSV与CSV的区别：1）从名称上即可知道，TSV是用制表符（Tab,'\t'）作为字段值的分隔符；CSV...
硅通孔（TSV）电学传输特性分析与优化.赵颖博.【摘要】：随着集成电路特征尺寸的不断缩小,制约二维集成电路发展的问题日益突出,当平面内的资源无法满足集成电路快速发展的需求时,摩尔定律受到了越来越多的挑战。.基于硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)的三维...
一文看懂3DTSV|半导体行业观察.本文由IC字幕组辰翻译自2014年ChipScaleReview第三期，Gab校对修改。.当前，3D封装技术正席卷半导体行业，引起整个行业的广泛关注。.如今摩尔定律趋缓，而3D封装技术将会取而代之成为新的发展方向。.因此各家公司一直在大力...
学校代码分类号学号密级西安电子科技大学博士学位论文硅通孔（TSV）电学传输特性分析与优化作者姓名：赵颖博一级学科：电子科学与技术二级学科：微电子学与固体电子学学位类别：工学博士指导教师姓名、职称：杨银堂教授提交日期：2015年4月AnalysisdOptimizationofElectrical…
本论文针对现有TSV结构中寄生电容大和热应力导致失效的问题,对TSV互连结构做出改进。由理论推导和可知,互连延迟和功耗主要取决于TSV寄生电容,而TSV结构引入的热应力可以通过应力缓冲进行释放。本论文从材料以及结构设计角度突破和创新。
学校代码分类号10701TN4学号121兰！！Q2墨2密级公开西安电子科技大学博士学位论文新型硅通孔（TSV）的电磁特性研究作者姓名：卢启军一级学科：电子科学与技术二级学科：微电子学与固体电子学学位类别：工学博士指导教师姓名、职称：柴常春教授学院：微电子学院提交日…
硅通孔（tsv）转接板微组装技术研究进展.第148期2015年8月硅通孔（TSV）转接板微组装技术研究进展江南计算技术研究所，江苏无锡214083；华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，江苏无锡214135；中国科学院微电子研究所，北京100029）摘要：以硅通孔...
华中科技大学硕士学位论文基于TSV的MEMS圆片级真空封装关键技术的研究姓名：张卓申请学位级别：硕士专业：机械制造及其自动化指导教师：汪学方2011-01-16微机电系统（MicroElectroMechanicalSystem,MEMS）是将微机械元件、微型传感器
TSV功耗模型与3DNoC功耗分析1．4文章结构本文内容可分为六部分，章节安排如下：第一章为绪论，首先介绍了三维集成电路和TSV技术以及二维和三维的NoC，然后在此基础上介绍了该领域国内外发展和研究现状，最后对论文的研究内容和基本
1.在Excel文件菜单上,单击打开。.2.单击以选中TSV(为用制表符tab分隔的文件)或CSV(为用逗号,分隔的文件)文件。.3.如果文件是逗号分隔,单击下一步，然后继续执行步骤4。.如果文件是制表符分隔,单击完成，然后引用到下文"要保存将文件从Excel中TSV...
TSV文件与CSV文件的区别TSV是Tab-separatedvalues的缩写，即制表符分隔值。相对来说CSV，Comma-separatedvalues（逗号分隔值）更常见一些。TSV与CSV的区别：1）从名称上即可知道，TSV是用制表符（Tab,'\t'）作为字段值的分隔符；CSV...
硅通孔（TSV）电学传输特性分析与优化.赵颖博.【摘要】：随着集成电路特征尺寸的不断缩小,制约二维集成电路发展的问题日益突出,当平面内的资源无法满足集成电路快速发展的需求时,摩尔定律受到了越来越多的挑战。.基于硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)的三维...
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