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GaN由于很高的击穿电压以及较小的寄生效应，在高电压应用时可以做到损耗较小，目前已经有许多大厂（例如TI等）推出了相关产品。GaN在电源产品中将会得到更大程度的普及。而目前看来TI也是GaN领域的领先者，该session四篇论文中的三篇来自于TI。
与第一次充电时O2-的氧化相关的高电压在放电时不会恢复，导致能量密度显著降低。PeterG.Bruce教授团队提出的过渡金属离子从过渡金属层到碱金属层的位移理论成功解释了第一次循环的电压…
来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）授权转载自【haikun01】，作者贾海昆，谢谢！本期ISSCC论文解读有幸邀请到中科院半导体所的祁楠教授。祁楠师兄博士毕业于清华大学微电子所，并随后在美国的高校、企业…
然而未来电动汽车、智能电网的发展则需要更多的电池组成电堆，这时候电池系统的散热问题就变得尤为重要，往往需要设计复杂的电池管理系统来解决散热问题。.在电池行业中，没有好的或通用的方法来测量电池的热性能。.随着锂离子电池市场的不断扩大...
牛人告诉你如何读国外文献!毕业论文写作靠它了2015-04-07国家社科期刊数据库为什么读文献？（从Ph.D到现在工作半年，发了12篇paper，7篇firstauthor.）我现在每天还保持读至少2-3篇的文…
高电压技术国家高电压计量站国家电网有限公司34高分子科学（英文版）中国化学会中国科协35高校应用数学学报B辑（英文版）浙江大学教育部36工程力学中国力学学会中国科协37光电子前沿（英文）高等教育出版社有限公司教育部38光学学报
虽然说，高、低电压的温升数值基本相等是一种较优的方案设计，但是，那是要在满足限值前提下的。对于此类问题更详细的解读，请见《串激往复活塞式无油机温升问题的分析解决》这篇论文。三…
一、功耗分析功耗分析包含静态分析和动态分析。芯片的功耗分析与电源网络的电压降有关。静态功耗又称泄露功耗，是芯片在待机状态时泄露电流产生的功耗。动态功耗是晶体管处于跳变状态所产生的功耗，主要由开关电流引起的动态开关功耗以及短路电流产生的短路功耗组成。
对于尖晶石镍锰酸锂电池，在高电压下，电极材料与电解液之间剧烈的副反应以及副产物对整个电池体系的破坏是限制镍锰酸锂材料商业化的最大障碍，这也是不同体系正极材料在未来走向高电压过程中所遇到的不可避免的难题，解决该…
最深度解读,Goodenough教授与锂电池的故事2019-10-1211:30来源:西安科普10月9日，瑞典皇家科学院在斯德哥尔摩宣布，将2019年度诺贝尔化学奖授予美国得州大学奥斯汀分校JohnBGoodenough教授、纽约州立大学宾汉姆顿分校M.stanleyWhittlingham...
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虽然说，高、低电压的温升数值基本相等是一种较优的方案设计，但是，那是要在满足限值前提下的。对于此类问题更详细的解读，请见《串激往复活塞式无油机温升问题的分析解决》这篇论文。三…
一、功耗分析功耗分析包含静态分析和动态分析。芯片的功耗分析与电源网络的电压降有关。静态功耗又称泄露功耗，是芯片在待机状态时泄露电流产生的功耗。动态功耗是晶体管处于跳变状态所产生的功耗，主要由开关电流引起的动态开关功耗以及短路电流产生的短路功耗组成。
对于尖晶石镍锰酸锂电池，在高电压下，电极材料与电解液之间剧烈的副反应以及副产物对整个电池体系的破坏是限制镍锰酸锂材料商业化的最大障碍，这也是不同体系正极材料在未来走向高电压过程中所遇到的不可避免的难题，解决该…
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