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【学位授予单位】：西安电子科技大学【学位级别】：博士【学位授予年份】：2015【分类号】：TN31【目录】：摘要5-7ABSTRACT7-14符号对照表14-16缩略语对照表16-20第一章绪论20-281.1宽禁带半导体材料GaN研究背景20-211.2太赫兹技术的
TN无线电电子学、电信技术.TN3半导体技术.TN31半导体二极管.TN315二极管：按材料分.TN315+.2硅二极管.序号.分类号.分类名称.
中文图书分类号：TN31密级：公开UDC：38学校代码：10005硕硕士学位论文文MASTERALDISSERTATION论论文题目：新型电极LED与高压LED电迁移研究论论文作者：王嘉露学学科：电子科学与技术指指导教师：郭伟玲教授论文提交日期：：019...
关键词：宽禁带半导体；碳化硅；功率器件中图分类号．TN31；TN387文献标识码：A文章编号：1673－5692（2009）02一11l－08RecentDevelopment由于SiC功率器言件可显著降低电子设备的能耗，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。
大功率双管正激变换器次级吸收电路的研究_陈以明第44电力电子技术PowerElectronicsVol.44，No.3March2010大功率双管正激变换器次级吸收电路的研究（南京航空航天大学，江苏南京210016）摘要：针对大功率高压输出场合普遍存在的次级电路中二极管反向恢复问题...
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
一种1200V平面快恢复二极管终端结构设计.一种1200（北京微电子技术研究所，北京100076）摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素，提出采用场限环和场板的组合设计，可大大降低环间距、氧化层厚度...
提供SLD光源驱动电路的设计与实验研究文档免费下载，摘要:第27卷第6期2005年12月光学仪器OPTICALINSTRUMENTSVol.27,No.6December,2005文章编号:100525630(2005)0620058204SLD光源驱动电路的设计与实验研究裴雅鹏,杨
流桥能有效防止过高电压的产生,这得益于雪崩整流二极管的特别功能.车用雪崩整流二极管有抑制瞬态电压过大的作用,对其反向重复峰值浪涌电流测试不仅是对这种作用的验证,也是对其使用.可靠性的考核.美国军标在雪崩整流二极管的广泛试验中,认为脉冲...
提供SiC功率器件的研究和展望文档免费下载，摘要:第42卷第12期2008年12月电力电子技术PowerElectronicsV01．42No．12December，2008SiC功率器件的研究和展望张玉明，汤晓燕，张义门（西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，陕西西安
【学位授予单位】：西安电子科技大学【学位级别】：博士【学位授予年份】：2015【分类号】：TN31【目录】：摘要5-7ABSTRACT7-14符号对照表14-16缩略语对照表16-20第一章绪论20-281.1宽禁带半导体材料GaN研究背景20-211.2太赫兹技术的
TN无线电电子学、电信技术.TN3半导体技术.TN31半导体二极管.TN315二极管：按材料分.TN315+.2硅二极管.序号.分类号.分类名称.
中文图书分类号：TN31密级：公开UDC：38学校代码：10005硕硕士学位论文文MASTERALDISSERTATION论论文题目：新型电极LED与高压LED电迁移研究论论文作者：王嘉露学学科：电子科学与技术指指导教师：郭伟玲教授论文提交日期：：019...
关键词：宽禁带半导体；碳化硅；功率器件中图分类号．TN31；TN387文献标识码：A文章编号：1673－5692（2009）02一11l－08RecentDevelopment由于SiC功率器言件可显著降低电子设备的能耗，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。
大功率双管正激变换器次级吸收电路的研究_陈以明第44电力电子技术PowerElectronicsVol.44，No.3March2010大功率双管正激变换器次级吸收电路的研究（南京航空航天大学，江苏南京210016）摘要：针对大功率高压输出场合普遍存在的次级电路中二极管反向恢复问题...
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
一种1200V平面快恢复二极管终端结构设计.一种1200（北京微电子技术研究所，北京100076）摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素，提出采用场限环和场板的组合设计，可大大降低环间距、氧化层厚度...
提供SLD光源驱动电路的设计与实验研究文档免费下载，摘要:第27卷第6期2005年12月光学仪器OPTICALINSTRUMENTSVol.27,No.6December,2005文章编号:100525630(2005)0620058204SLD光源驱动电路的设计与实验研究裴雅鹏,杨
流桥能有效防止过高电压的产生,这得益于雪崩整流二极管的特别功能.车用雪崩整流二极管有抑制瞬态电压过大的作用,对其反向重复峰值浪涌电流测试不仅是对这种作用的验证,也是对其使用.可靠性的考核.美国军标在雪崩整流二极管的广泛试验中,认为脉冲...
提供SiC功率器件的研究和展望文档免费下载，摘要:第42卷第12期2008年12月电力电子技术PowerElectronicsV01．42No．12December，2008SiC功率器件的研究和展望张玉明，汤晓燕，张义门（西安电子科技大学微电子学院，教育部宽禁带半导体重点实验室，陕西西安
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