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新一代栅介质材料——高K材料-介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及高...
高k栅介质Si/GeMOSFET迁移率模型及工艺研究.张雪锋.【摘要】：在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗急剧增加。.为此,高k栅...
高K栅介质材料得研究进展.doc,高K栅介质材料的研究进展摘要：对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.
圈2高k介质的器件应用西北大学硕士学位论文1．4论文的研究目的和内容综合前面对高k薄膜材料的介绍可以看出，由于微电子领域中集成电路尺寸的不断缩小，而产生了隧穿电流过大，栅控制力下降的问题，传统的Si02栅介质层已经不再满足于工业
通过一系列关于热处理对于高K介质MOS中饱和电容,滞后特性,平带电压,泄漏电流和方块电阻的影响的实验研究,对高K介质MOS电容的热处理条件进行了优化。
高K金属栅集成电路工艺课件.现代器件工程之七----高K介质中科院微电子所海潮和7.1特征尺寸减小带来的影响及对策2005ITRS公布的世界IC工艺技术发展蓝图返回解决方案高k材料：在相同等效氧化层厚度下，高K材料具有更厚的物理厚度，可以减小栅与沟道...
MOS器件高k介质缺陷电荷俘获及噪声相关性的分析研究.pdf,摘要摘要随着MOS器件尺度不断减小，栅极漏电流成为微电子技术进一步发展的主要制约因素之一。采用介电常数较大的高k介质来替代Si02介质，可在与Si02有相同等效氧化层厚度(EOT)的...
为了改善栅极漏电的问题，半导体业界利用新型高K介电常数（High-k-HK）介质材料HfO2来代替传统SiON来改善栅极漏电流问题。SiON的介电常数是3.9，而HfO2的介电常数是25，在相同的EOT条件下，HfO2的物理厚度是SiON的6倍多，这将显著减小栅介质层的量子隧穿的效应，从而降低栅极漏电流及其引起的功耗。
中兴事件一年了，我国高档芯片制造急需大量人才，本文目的是普及集成电路芯片制造知识，让更多的有识之士了解现代集成电路制造是如何制造的。本文列举了现代集成电路芯片先进制程和28nm集成电路工艺过程，包括高k金属栅，超低·k介质多层铜布线及应变硅代替漏源掺杂制造工艺。浅谈…
1.高K介电特性与高K/金属栅技术应用.所谓高K介电特性是指一些被称为高K介质的材料，主要是金属氧化物，其介电常数高于SiO2的特性。.利用高K介质材料替代传统的SiO2应用于CMOS器件中，可有效减小栅的泄漏电流，因此高K介质材料是推…
新一代栅介质材料——高K材料-介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及高...
高k栅介质Si/GeMOSFET迁移率模型及工艺研究.张雪锋.【摘要】：在过去的几十年中,用于低功耗、高性能CMOS场效应晶体管栅介质SiO2的厚度持续减小,目前,对于纳米级CMOS器件已减小到只有几个原子层的极限厚度,使栅极漏电和静态功耗急剧增加。.为此,高k栅...
高K栅介质材料得研究进展.doc,高K栅介质材料的研究进展摘要：对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.
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为了改善栅极漏电的问题，半导体业界利用新型高K介电常数（High-k-HK）介质材料HfO2来代替传统SiON来改善栅极漏电流问题。SiON的介电常数是3.9，而HfO2的介电常数是25，在相同的EOT条件下，HfO2的物理厚度是SiON的6倍多，这将显著减小栅介质层的量子隧穿的效应，从而降低栅极漏电流及其引起的功耗。
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1.高K介电特性与高K/金属栅技术应用.所谓高K介电特性是指一些被称为高K介质的材料，主要是金属氧化物，其介电常数高于SiO2的特性。.利用高K介质材料替代传统的SiO2应用于CMOS器件中，可有效减小栅的泄漏电流，因此高K介质材料是推…
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