第34届全国聚氯乙烯行业技术年会论文专辑干法与湿法乙炔发生工艺的对比与改进李朝阳’,周军,唐复兴(新疆天业(集团)化工研究院,新疆石河子832000)[关键词]干法乙炔;粉状电石渣;新型干法水泥[摘要]重点对干法乙炔和湿法乙炔工艺技术进行了对比,对其运行数据进行了分析,结合干...
(8)发生器温度发生器气相温度为88-90,固相温度为95~100干法乙炔发生器的结构特点到目前为止,文献报道的干法乙炔发生器按照其构造原理的不同大致可分为盘式发生器、转笼式发生器、复合式发生器和搅拌式发生器4大类。
干法乙炔工艺简介及装置运行总结.pdf,gOOq年全国苏氯乙烯行业技术牟会论文集干法乙炔工艺简介及装置运行总结王宝双,程浩,郭亚军(浙江巨化股份公司电化厂,浙江衢州324004)摘要:介绍了干法乙炔装置的生产工艺以及化工投料试车期间发现的问题,提出整改意见,简要做出技术经济性分析...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
溶液蒸发后进行灭菌的工艺。.它通常是一个发生器,并通过它演化升级成多种具体的工艺设备。.VHP灭菌工艺主要有两种:一种是湿法,另一种是干法。.干法相对湿法,具有腐蚀性更小(低浓度),灭菌周期短等优点。.VHP是一个成熟的工艺,它能使SLR下降4...
干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
干法刻蚀设备:高密度等离子体刻蚀是先进制程工艺技术主流等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式。一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室,在外部能量作用下(如射频、微波等)形成…
四川大学硕士学位论文常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用姓名:李海江申请学位级别:硕士专业:凝聚态物理指导教师:石瑞英2005051527583S常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用凝聚态物理专ik研究生:李海江指导教师:石瑞英光刻胶去除技术在微...
SOC材料与工艺2(光刻胶非光学光刻刻湿).3.8晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上a.光刻(接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻)b.刻蚀技术(湿法刻蚀、干法刻蚀...
第34届全国聚氯乙烯行业技术年会论文专辑干法与湿法乙炔发生工艺的对比与改进李朝阳’,周军,唐复兴(新疆天业(集团)化工研究院,新疆石河子832000)[关键词]干法乙炔;粉状电石渣;新型干法水泥[摘要]重点对干法乙炔和湿法乙炔工艺技术进行了对比,对其运行数据进行了分析,结合干...
(8)发生器温度发生器气相温度为88-90,固相温度为95~100干法乙炔发生器的结构特点到目前为止,文献报道的干法乙炔发生器按照其构造原理的不同大致可分为盘式发生器、转笼式发生器、复合式发生器和搅拌式发生器4大类。
干法乙炔工艺简介及装置运行总结.pdf,gOOq年全国苏氯乙烯行业技术牟会论文集干法乙炔工艺简介及装置运行总结王宝双,程浩,郭亚军(浙江巨化股份公司电化厂,浙江衢州324004)摘要:介绍了干法乙炔装置的生产工艺以及化工投料试车期间发现的问题,提出整改意见,简要做出技术经济性分析...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
溶液蒸发后进行灭菌的工艺。.它通常是一个发生器,并通过它演化升级成多种具体的工艺设备。.VHP灭菌工艺主要有两种:一种是湿法,另一种是干法。.干法相对湿法,具有腐蚀性更小(低浓度),灭菌周期短等优点。.VHP是一个成熟的工艺,它能使SLR下降4...
干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中,干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称,它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展,经历了多样化的发展过程,使技术不断完善和创新。
干法刻蚀设备:高密度等离子体刻蚀是先进制程工艺技术主流等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式。一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室,在外部能量作用下(如射频、微波等)形成…
四川大学硕士学位论文常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用姓名:李海江申请学位级别:硕士专业:凝聚态物理指导教师:石瑞英2005051527583S常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用凝聚态物理专ik研究生:李海江指导教师:石瑞英光刻胶去除技术在微...
SOC材料与工艺2(光刻胶非光学光刻刻湿).3.8晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)图形转换:将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上a.光刻(接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻)b.刻蚀技术(湿法刻蚀、干法刻蚀...