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1.4各章节的内容简介第二章介绍了各类BCD器件的分类及发展过程，及应用于LDMOS的Resurf技术的简介，第三章介绍了本次论文所使用研究工具SilvacoTCAD。第四章介绍了本次论文所研究的LDMOS器件的结构及其在TCAD软件中的制造过程。
【摘要】：阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能。分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构——场限环、场板进行了模拟。以某型号器件的芯片设计生产为实例...
这项技术有工艺简单，成本低，易于制作大尺寸的SOI材料等特点第一章SOI技术1.4本论文的工作安排本论文通过查阅和参考了大量文献，利用SILVACOTCAD模拟软件及器件模拟软件对浮栅结构SOILDMOS器件结构进行建模和，包括器件的击穿电压
IEEETCAD是中国计算机学会推荐的A类期刊，是计算机辅助设计领域中最具影响力的刊物之一。该项研究受到国家自然科学基金(No.61821003,No.61832007,No.61772222,No.U1705261)、国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2015AA015301)等多个项目的
TCAD本身的研发也在演进，现在比较热门的方向是AI机器学习，这个方向大家都还在探索，还处在比较早期的研究当中。知乎上劝退是主流，我这里要反对一下，建议题主坚持自己的方向，另外在机器学习等上面多多学习，相信会有很不错的前途。
1.TCAD简介1.1.什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件软件TCAD（TechnologyComputerAidedDesign）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
Keywords：VDMOS;Breakdownvoltage;ON-resistance;Terminate;Sentaurustcad哈尔滨工业大学工程硕士学位论文Abstract1.1电力电子技术的发展对器件的要求1.2研究背景1.2.1VDMOS的应用1.2.2高压VDMOS的发展趋势1.3国内外发展现状1.3.1国外
其中传统TCAD即为目前在20nm上基于DD（Drift-Diffusion，漂移扩散）模型的TCAD软件及其相关技术，AtomisticTCAD为从原子尺度进行，以量子力学和量子输运为基石的新型面向集…
纳米级MOSFETs的3DTCAD建模与结构研究.甘程.【摘要】：随着传统的CMOS结构的特征尺寸不断缩小,深亚微米甚至纳米量级已经达到尺寸缩小的极限,导致CMOS器件的性能面临短沟道效应以及工艺限制等的问题。.为了保持摩尔定律预计的发展速度,以双栅MOSFETs和FinFETs为...
本书以介绍集成电路工艺和器件的模拟器为主线，概论ICTCAD技术早期的可实用的成果、随后的多方面发展、当今的研究进展和商用化现状，以及近期和远期的困难挑战和能力需求．.本书适用于大学微电子或其他相关专业的硕士／博士研究生或高年级本科生作...
1.4各章节的内容简介第二章介绍了各类BCD器件的分类及发展过程，及应用于LDMOS的Resurf技术的简介，第三章介绍了本次论文所使用研究工具SilvacoTCAD。第四章介绍了本次论文所研究的LDMOS器件的结构及其在TCAD软件中的制造过程。
【摘要】：阐述了计算机辅助设计技术(TCAD)的应用发展历程,介绍了相关软件(TSUPPREM4、MEDICI)的原理及功能。分别对以改善pn结边缘曲率效应,提高结击穿电压为目的功率器件结终端结构——场限环、场板进行了模拟。以某型号器件的芯片设计生产为实例...
这项技术有工艺简单，成本低，易于制作大尺寸的SOI材料等特点第一章SOI技术1.4本论文的工作安排本论文通过查阅和参考了大量文献，利用SILVACOTCAD模拟软件及器件模拟软件对浮栅结构SOILDMOS器件结构进行建模和，包括器件的击穿电压
IEEETCAD是中国计算机学会推荐的A类期刊，是计算机辅助设计领域中最具影响力的刊物之一。该项研究受到国家自然科学基金(No.61821003,No.61832007,No.61772222,No.U1705261)、国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2015AA015301)等多个项目的
TCAD本身的研发也在演进，现在比较热门的方向是AI机器学习，这个方向大家都还在探索，还处在比较早期的研究当中。知乎上劝退是主流，我这里要反对一下，建议题主坚持自己的方向，另外在机器学习等上面多多学习，相信会有很不错的前途。
1.TCAD简介1.1.什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件软件TCAD（TechnologyComputerAidedDesign）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
Keywords：VDMOS;Breakdownvoltage;ON-resistance;Terminate;Sentaurustcad哈尔滨工业大学工程硕士学位论文Abstract1.1电力电子技术的发展对器件的要求1.2研究背景1.2.1VDMOS的应用1.2.2高压VDMOS的发展趋势1.3国内外发展现状1.3.1国外
其中传统TCAD即为目前在20nm上基于DD（Drift-Diffusion，漂移扩散）模型的TCAD软件及其相关技术，AtomisticTCAD为从原子尺度进行，以量子力学和量子输运为基石的新型面向集…
纳米级MOSFETs的3DTCAD建模与结构研究.甘程.【摘要】：随着传统的CMOS结构的特征尺寸不断缩小,深亚微米甚至纳米量级已经达到尺寸缩小的极限,导致CMOS器件的性能面临短沟道效应以及工艺限制等的问题。.为了保持摩尔定律预计的发展速度,以双栅MOSFETs和FinFETs为...
本书以介绍集成电路工艺和器件的模拟器为主线，概论ICTCAD技术早期的可实用的成果、随后的多方面发展、当今的研究进展和商用化现状，以及近期和远期的困难挑战和能力需求．.本书适用于大学微电子或其他相关专业的硕士／博士研究生或高年级本科生作...
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