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盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究-红外技术.pdf,第41卷第5期红外技术Vol.41No.52019年5月InfraredTechnologyMay2019〈系统与设计〉盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究1,31,21,2张惠鹰，许金通，李向阳（1.
【摘要】：盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行...
雪崩光电二极管相关论文翻译.doc,使用盖革模式的雪崩光电二极管来提高直接探测三维成像激光雷达系统的性能的技术摘要使用盖革模式的雪崩光电二极管来直接探测三维成像激光雷达系统，其研究目的在于获取远距离（超过100米）物体的三维图像。
盖革弥勒计数器及核衰变的统计规律实验报告.东北师范大学物理学院2012盖革-弥勒计数器及核衰变的统计规律盖革-弥勒计数器是气体探测器的一种，用来测定射线强度，既单位时间的粒子个数。.近年来，随着闪烁探测器及半导体探测器的发展，其重要性有所...
基于单片机的数显盖革计数器的研究与实现吴晓燕,李合菊,赵守彬,李云霞（莱芜职业技术学院，山东莱芜，271100）摘要：盖革计数器可以检测各种物质及周围环境的放射性，广泛用于工业、科研、医疗、装修家居环境等的放射性辐射检测，本文研究的盖革计数器采用AT89C52单片机为控制核心，对...
这一理论后来对闸流管和盖革-米勒管的发展起到了重要作用。汤森放电也有助于作为硅和锗中电子倍增现象（直流和交流）的基础理论。然而，早期发现和利用雪崩增益机制的主要进展是对齐纳击穿、相关（雪崩）击穿机制以及早期硅锗晶体管和p-n结器件的结构缺陷的研究的产物。
硕士论文致谢—《盖革模式雪崩光电二极管淬灭电路设计》摘要第1-6页Abstract第6-9页第一章绪论第9-15页1.1研究背景与意义第9-10页
本文的目的即是开展盖革雪崩二极管探测器淬火与恢复集成电路的研究，为以后研制基于G-APD阵列的单光子3-D成像器件打好基础。.文章对单光子探测技术的国内外发展现状做了调研分析，论述了盖革模式雪崩二极管探测器的工作原理和工作方式，建立了可用于MOS...
SiPM适配电路设计2.1电源电路设计与电源电路需要用到+5V、-5V以及+30源。+30V为SiPM提供偏置电压，使SiPM工作在盖革模式下的最低电压为28V，文中采用典型值30V。设计时采用常用的+5和+30V的电压。
盖革和卢瑟福设计的计数器被证明并不可靠，因为α粒子与空气分子在探测腔内碰撞时会被强烈地偏转.变化多端的轨迹意味着每一个α粒子并不都产生同样数量的电离离子，因此读出的数据不正确.这个问题令卢瑟福十分困惑，因为他曾经以为α粒子非常重以至于不
盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究-红外技术.pdf,第41卷第5期红外技术Vol.41No.52019年5月InfraredTechnologyMay2019〈系统与设计〉盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究1,31,21,2张惠鹰，许金通，李向阳（1.
【摘要】：盖革模式(GM)雪崩光电二极管(APD)探测器具有单光子级探测灵敏度,可广泛用于三维成像和测量测绘等领域。针对InGaAs基GM-APD,提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路。该电路采用电容积分方式将雪崩电流转换为电压信号,利用反相器对其进行...
雪崩光电二极管相关论文翻译.doc,使用盖革模式的雪崩光电二极管来提高直接探测三维成像激光雷达系统的性能的技术摘要使用盖革模式的雪崩光电二极管来直接探测三维成像激光雷达系统，其研究目的在于获取远距离（超过100米）物体的三维图像。
盖革弥勒计数器及核衰变的统计规律实验报告.东北师范大学物理学院2012盖革-弥勒计数器及核衰变的统计规律盖革-弥勒计数器是气体探测器的一种，用来测定射线强度，既单位时间的粒子个数。.近年来，随着闪烁探测器及半导体探测器的发展，其重要性有所...
基于单片机的数显盖革计数器的研究与实现吴晓燕,李合菊,赵守彬,李云霞（莱芜职业技术学院，山东莱芜，271100）摘要：盖革计数器可以检测各种物质及周围环境的放射性，广泛用于工业、科研、医疗、装修家居环境等的放射性辐射检测，本文研究的盖革计数器采用AT89C52单片机为控制核心，对...
这一理论后来对闸流管和盖革-米勒管的发展起到了重要作用。汤森放电也有助于作为硅和锗中电子倍增现象（直流和交流）的基础理论。然而，早期发现和利用雪崩增益机制的主要进展是对齐纳击穿、相关（雪崩）击穿机制以及早期硅锗晶体管和p-n结器件的结构缺陷的研究的产物。
硕士论文致谢—《盖革模式雪崩光电二极管淬灭电路设计》摘要第1-6页Abstract第6-9页第一章绪论第9-15页1.1研究背景与意义第9-10页
本文的目的即是开展盖革雪崩二极管探测器淬火与恢复集成电路的研究，为以后研制基于G-APD阵列的单光子3-D成像器件打好基础。.文章对单光子探测技术的国内外发展现状做了调研分析，论述了盖革模式雪崩二极管探测器的工作原理和工作方式，建立了可用于MOS...
SiPM适配电路设计2.1电源电路设计与电源电路需要用到+5V、-5V以及+30源。+30V为SiPM提供偏置电压，使SiPM工作在盖革模式下的最低电压为28V，文中采用典型值30V。设计时采用常用的+5和+30V的电压。
盖革和卢瑟福设计的计数器被证明并不可靠，因为α粒子与空气分子在探测腔内碰撞时会被强烈地偏转.变化多端的轨迹意味着每一个α粒子并不都产生同样数量的电离离子，因此读出的数据不正确.这个问题令卢瑟福十分困惑，因为他曾经以为α粒子非常重以至于不
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