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90nm+CMOS+SRAM位单元工艺、版图设计及低功耗实现的研究--优秀毕业论..Y，1021318饪里大学学校代码：10246硕士学位论文（专业学位）蛳衄1CMOSSRAM位单元工艺、版图设计及低功耗实现的研究院系（所）；微电子研究院完成日期：2006年lO月10日研究成果。.其他...
版图设计.....434.1存储单元的版图设计.....434.2升压电路版图的设计...软件进行，对电源电压VDD进行dc扫描，常温下，得到本哈尔滨工业大学工学硕士学位论文设计中的六管SRAM存储单元的DRV的值为380mv.而且，SRAM的DRV随着温度的...
90NM+CMOS+SRAM位单元工艺、版图设计及低功耗实现的研究。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，绝非垃圾截图文档，请放心下载使用。
2．2编译器设计流程通过对SRAM编译器工作原理的认ij｛，我们知道了编译器工作时所需要的原材料，编译器的设计流程也就是针对这些材料的制作过程，需要做的主要T作有，GDS库文件与CDL库文件的开发，版图拼接与网表拼接的实现，版图的
本篇论文共63页，点击这进入下载页面。.更多论文.版图设计对电路设计的影响.空芯光纤在液体气体传感中的应用研.带有1.5-b冗余加速结构的低功耗SAR.应用于磁盘读写系统的9通道8-bit1.溶液法氧化物薄膜晶体管用介质.高性能、低功耗模拟前端芯片的...
安可新终极版论文.doc,哈尔滨工业大学本科毕业设计（论文）PAGE哈尔滨工业大学本科毕业设计（论文）PAGE5毕业设计（论文）题目版图布局对辐射效应影响的研究专业电子信息科学与技术学号1082120104学生安可新指导教师肖立伊...
基于NOR的非易失性存储器的设计毕业设计论文.doc,摘要基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失性存储器。本文着重介绍了基于NOR的非易失性存储器的设计，分析了基于NOR的非易失存储器的工作原理和应用前景；设计了一个64位的该寄存器的电路图和版图...
优秀硕士论文库—《7nm双端口SRAM低漏电技术研究与电路设计》摘要第1-6页abstract第6-7页缩略语对照表第13-14页第一章绪论第14-19页1.1低漏电SRAM研究背景及意义
硕士博士毕业论文站内搜索分类：教育论文网→工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文...·6TSRAM存储单元版图设计第48-50页·Cell版图设计要求第49-50页·Cell的版图设计实现...
·FNV1版图设计第65-67页·FNV1方案第67页·FNV2电路设计第67-73页·FNV2的整体结构和功能描述第67-68页...半导体存储器论文SRAM论文版权申明：目录由用户w**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录...
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