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毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要...
半导体专业实验补充silvaco器件(毕业论文)实验2PN结二极管特性1、实验内容(1)PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等。.(2)结构和参数:PN结穿通二极管的结构如图所示,两端高掺杂,n-为耐压层,低掺杂,具体参数:器件宽度4μm...
本论文用SILVACOTCAD模拟SOILDMOS的工艺流程,对氧化层厚度、掺杂种类和剂量、注入条件、刻蚀深度和范围等工艺参数进行了模拟，以用于相关的器件设计,并得到主要的电学性能特性曲线。.文中在普通结构SOILDMOS器件的基础上进一步引入了沟槽结构SOILDMOS...
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
本科论文（设计）基于silvacotcad半浮栅晶体管的3d建模.基于SilvacoTCAD半浮栅晶体管的3D建模摘要现如今，由于器件尺寸的不断缩小，其功率与密度在不断升高，所以也会带来很大的功耗，因其MOS（MetalOxideSemiconductor）晶体管应用于完成高速运算，但其运算时...
（毕业论文）基于SILVACOTCAD的高压SOILDMOS器件设计.doc,基于SILVACOTCAD的高压SOILDMOS器件设计[摘要]SOILDMOS器件是基于的一种新型功率。具有、寄生电容、抗辐照能力强、集成密度高优点，并且可以克服体硅材料的缺点...
本科论文（设计）基于SilvacoTCAD的1000V60ANPT结构IGBT的设计与.doc,基于SilvacoTCAD的1000V60ANPT结构IGBT的设计与摘要近年来，国防工业与国民经济各个领域对于电能处理和变换的要求不断提高，并且还要满足节能和新能源...
20108850060基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域应用前景广阔,其研究广为关注。.在商用的SiC材料中,4H-SiC具有更...
（毕业论文）基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件.doc,基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域...
SilvacoTCAD探测材料吸收对探测器性能的影响.时间:2020-05-2421:38来源:毕业论文.在理论计算与结构设计的基础上，利用软件SilvacoTCAD对基于黑硅的新型PIN光电探测器进行了研究，考查了其光电响应特性，并将优化结果用于指导实际器件的当中...
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要...
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本论文用SILVACOTCAD模拟SOILDMOS的工艺流程,对氧化层厚度、掺杂种类和剂量、注入条件、刻蚀深度和范围等工艺参数进行了模拟，以用于相关的器件设计,并得到主要的电学性能特性曲线。.文中在普通结构SOILDMOS器件的基础上进一步引入了沟槽结构SOILDMOS...
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.docx,青岛大学本科毕业论文（设计）PAGEPAGE35本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014年5月16日青岛大学毕业论文(设计...
本科论文（设计）基于silvacotcad半浮栅晶体管的3d建模.基于SilvacoTCAD半浮栅晶体管的3D建模摘要现如今，由于器件尺寸的不断缩小，其功率与密度在不断升高，所以也会带来很大的功耗，因其MOS（MetalOxideSemiconductor）晶体管应用于完成高速运算，但其运算时...
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本科论文（设计）基于SilvacoTCAD的1000V60ANPT结构IGBT的设计与.doc,基于SilvacoTCAD的1000V60ANPT结构IGBT的设计与摘要近年来，国防工业与国民经济各个领域对于电能处理和变换的要求不断提高，并且还要满足节能和新能源...
20108850060基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域应用前景广阔,其研究广为关注。.在商用的SiC材料中,4H-SiC具有更...
（毕业论文）基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件.doc,基于SilvacoTCAD的4H-SiC功率BJT器件[摘要]碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,使其在高温、大功率、高频、抗辐射等领域...
SilvacoTCAD探测材料吸收对探测器性能的影响.时间:2020-05-2421:38来源:毕业论文.在理论计算与结构设计的基础上，利用软件SilvacoTCAD对基于黑硅的新型PIN光电探测器进行了研究，考查了其光电响应特性，并将优化结果用于指导实际器件的当中...
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