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电子科技大学硕士学位论文SiGeBiCMOS集成器件设计与关键工艺研究姓名：韩春申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李竞春20080501摘要摘要本文结合1．59mSiGeBiCMOS的实际工艺条件，提出了基于分子...
SiGeHBT具有一系列的优点：1）如果基区是缓变的，则基区加速电场会使得基区渡越时间降低，从而使器件的频率特性如fmax等得到提高；电子科技大学成都学院本科毕业设计论文2）发射结注入效率的提高，可以在保证电流增益不下降的情况下提高基区
5316｜IIll2…9《硕士学位论文SiGe合金单晶生长及性能研究StudySil一xGexSingleCrystalGI：owthandItsPerfo：rmaffce学科专业：电子与通信工程研究生：刘锋指导教师：毛陆虹教授企业导师：何秀坤教授天津大学电子通信学院二零零八年七月摘要SiGe单晶的特点是其性质随组分不同而变化，具有带隙可调，禁...
从SiGeBiCMOS工艺集成技术研究李红征（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）摘要：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管...
【摘要】：SiGe是继Si和GaAs之后的一种重要半导体材料,SiGe具有一些比Si更好的特性,能进行能带调整、设计异质结结构等,并且在工艺上与Si兼容,SiGe器件具有性能高成本低的特点。近年来在SiGe基础上发展了应变Si技术,大大提高了CMOS频率、速度等性能,成为...
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点，发展前景好，因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeBiCMOS工艺和SiGeHBT原理的研究，确定了适用于24所工艺条件的1.5mSiGeBiCMOS工艺流程，并基于该工艺流程设计
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,可以很好地满足发展需要,因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeHBT原理和SiGeBiCMOS电路特点的研究,设计出SiGeHBT器件和SiGeBiCMOS高速运算放大器。首先,通过分析...
SOI应变SiGeBiCMOS关键技术研究.杨超.【摘要】：基于TF(ThinFilm)-SOI衬底应变SiBiCMOS(由TF-SOISiGeHBT和TF-FD-SSOIMOSFET单元构成)技术是当前国内外研究发展的重点和热点,在高性能、高集成度、低功耗纳米电路中具有广阔的应用前景。.本文主要开展TF-SOISiGeHBT和TF-SOI...
1林志斌;李添应;;MastSIgE检测在常年性变应性鼻炎诊断中的应用[A];第一届全国反应学术研讨会论文汇编[C];2001年2卢迪卿;赖荷;;评UniCAPSystem测定sIgE在反应病诊断中的意义[A];中华医学会第二次全国反应学术会议论文汇编[C];2004年3刘瑞...
本论文从集电区掺杂工程、基区Ge组分分布多种组合优化出发,进行体硅SiGeHBT的f_T×BV乘积优值的提高技术研究,β、f_T和β×V_A乘积优值及其温度敏感性的改善技术研究,进行SOISiGeHBT的f_T×BV乘积优值和热特性的同时改善的技术研究。
电子科技大学硕士学位论文SiGeBiCMOS集成器件设计与关键工艺研究姓名：韩春申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：李竞春20080501摘要摘要本文结合1．59mSiGeBiCMOS的实际工艺条件，提出了基于分子...
SiGeHBT具有一系列的优点：1）如果基区是缓变的，则基区加速电场会使得基区渡越时间降低，从而使器件的频率特性如fmax等得到提高；电子科技大学成都学院本科毕业设计论文2）发射结注入效率的提高，可以在保证电流增益不下降的情况下提高基区
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从SiGeBiCMOS工艺集成技术研究李红征（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏无锡214035）摘要：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术，是在制造电路结构中的双极晶体管时，在硅基区材料中加入一定含量的锗，形成应变硅异质结构晶体管，以改善双极晶体管...
【摘要】：SiGe是继Si和GaAs之后的一种重要半导体材料,SiGe具有一些比Si更好的特性,能进行能带调整、设计异质结结构等,并且在工艺上与Si兼容,SiGe器件具有性能高成本低的特点。近年来在SiGe基础上发展了应变Si技术,大大提高了CMOS频率、速度等性能,成为...
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点，发展前景好，因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeBiCMOS工艺和SiGeHBT原理的研究，确定了适用于24所工艺条件的1.5mSiGeBiCMOS工艺流程，并基于该工艺流程设计
SiGeBiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,可以很好地满足发展需要,因此对SiGeBiCMOS技术进行研究有非常实际的意义。论文通过对SiGeHBT原理和SiGeBiCMOS电路特点的研究,设计出SiGeHBT器件和SiGeBiCMOS高速运算放大器。首先,通过分析...
SOI应变SiGeBiCMOS关键技术研究.杨超.【摘要】：基于TF(ThinFilm)-SOI衬底应变SiBiCMOS(由TF-SOISiGeHBT和TF-FD-SSOIMOSFET单元构成)技术是当前国内外研究发展的重点和热点,在高性能、高集成度、低功耗纳米电路中具有广阔的应用前景。.本文主要开展TF-SOISiGeHBT和TF-SOI...
1林志斌;李添应;;MastSIgE检测在常年性变应性鼻炎诊断中的应用[A];第一届全国反应学术研讨会论文汇编[C];2001年2卢迪卿;赖荷;;评UniCAPSystem测定sIgE在反应病诊断中的意义[A];中华医学会第二次全国反应学术会议论文汇编[C];2004年3刘瑞...
本论文从集电区掺杂工程、基区Ge组分分布多种组合优化出发,进行体硅SiGeHBT的f_T×BV乘积优值的提高技术研究,β、f_T和β×V_A乘积优值及其温度敏感性的改善技术研究,进行SOISiGeHBT的f_T×BV乘积优值和热特性的同时改善的技术研究。
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