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SiCMOSFET雪崩耐量若干问题研究.【摘要】：功率MOSFET作为电压型控制器件,由于其输入阻抗高、开关速度快、不存在二次击穿等特点,在电力电子开关电路中得到了非常广泛的应用。.近年来,随着宽禁带半导体技术的发展,碳化硅(SiC)MOSFET功率器件得到了巨大的发展...
摘要:用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳...
空间核反应堆电源是一种较为理想的空间动力能源,对空间技术的发展有着重要意义。为确保空间堆能够在太空环境长期稳定工作,需要对空间堆的运行状况进行监测,使用中子探测器测量中子注量是其中一项重要内容。在空间堆上进行中子探测,中子探测器会面临高温和强辐照等环境
Si基SiCN晶体薄膜的研究.何晓龙.【摘要】：硅碳氮(SiCN)作为一种带隙在2.86～5.0eV范围内可调的宽禁带半导体材料,可应用于蓝光或紫外光光电器件。.大部分方法所的SiCN薄膜都是非晶的,虽然也有硅碳氮(SiCN)晶体材料的报道。.为了提高SiCN薄膜的结晶度...
专利.现在位置：首页>中文>专利库.专利名称:一种基于转化反应的高能量密度的镁电池.专利名称英文:专利类别:发明.专利（申请）号:201510586313.4.
EffectofappliedpotentialsonstresscorrosioncrackingofX70pipelinesteelinalkalisolution[J].MaterialsandDesign,2009,30(6):2259-2263.[18]LiuZhiyong,LiXiaogang,DuCuiwei,etal.EffectofinclusionsoninitiationofstresscorrosioncracksinX70pipelinesteelin…
68201611030131王俊杰基于忆阻器的神经网络硬件的研究微电子学与固体电子学于奇69201511030108文译超高压SiC功率器件新结构与实验研究微电子学与固体电子学张波70201511030109陈喜明高压场控型碳化硅功率晶体管的设计与制造微电子...
经各学院推荐、学校组织评审，我校2021届“校级百优”毕业设计（论文）与毕业设计团队名单已经产生，现予以公示。如有异议，请于7月2日17:00前反馈至邮箱：caohong@njust.edu.en,匿名不予受理。特此通知。教务处2021年6月25日附表：一、校级...
硕士学位论文预答辩安排通知1.硕士学位论文预答辩具体时间、地点、顺序见下表；2.预答辩学位论文工作报告时间不超过20分钟；3.请在预答辩开始前半小时至指定地点将报告用PPT拷入指定电…
SiCMOSFET雪崩耐量若干问题研究.【摘要】：功率MOSFET作为电压型控制器件,由于其输入阻抗高、开关速度快、不存在二次击穿等特点,在电力电子开关电路中得到了非常广泛的应用。.近年来,随着宽禁带半导体技术的发展,碳化硅(SiC)MOSFET功率器件得到了巨大的发展...
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空间核反应堆电源是一种较为理想的空间动力能源,对空间技术的发展有着重要意义。为确保空间堆能够在太空环境长期稳定工作,需要对空间堆的运行状况进行监测,使用中子探测器测量中子注量是其中一项重要内容。在空间堆上进行中子探测,中子探测器会面临高温和强辐照等环境
Si基SiCN晶体薄膜的研究.何晓龙.【摘要】：硅碳氮(SiCN)作为一种带隙在2.86～5.0eV范围内可调的宽禁带半导体材料,可应用于蓝光或紫外光光电器件。.大部分方法所的SiCN薄膜都是非晶的,虽然也有硅碳氮(SiCN)晶体材料的报道。.为了提高SiCN薄膜的结晶度...
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