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SiC和GaN电力电子器件的研究进展.李天宇.【摘要】：与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是电力电子器件的理想材料。.总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,包括二极管,MOSFET,JFET和BJT...
摘要：着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长,器件及应用在近几年的发展情况.分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料,介绍了引SiC和GaN单晶的方法.分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向.总结了SiC和GaN器件的...
SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究.徐现刚.【摘要】：正以高质量的6H-SiC为衬底,采用MOCVD技术外延GaN基器件结构材料。.采用AlN作为缓冲层,通过改变AlN缓冲层的厚度及生长温度来调节GaN层的质量。.实验发现,AlN缓冲层厚度决定着GaN成核岛的密度。.随着AlN缓冲...
基于文献计量的新型电力电子器件研究态势分析摘要：相比传统的硅基电力电子器件，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的新型电力电子器件凭借其优异性能被认为是可替代硅基器件的重要选择。
宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显,GaN,SIC,宽禁带半导体,SiC。本文着重介绍第三代半导体材料——宽禁带半导体SIC与GaN材料与器件国内外现状及发展趋势,并重点展示了在光电子领域的应...
另外,LED相关材料包括SiC衬底和GaN外延层中的缺陷对LED的发光效率具有重要的影响。在第四章本论文对碳化硅衬底中的主要缺陷小角晶界以及GaN材料中的黄光带进行了研究。利用理论模拟以及偏光显微镜观测,揭示了碳化硅中小角晶界的内部微观结构,发现...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
Nature子刊：二维氮化镓材料的首次.材料.作者：X-MOL2016-09-08.自二维（2D）材料石墨烯问世以来，科学家们在过去的十年里发现了许多2D材料，如磷烯、过渡金属二硫属化合物等（点击阅读相关）。.通常，2D材料的来自于片层堆积…
SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺而成。从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中4H-SiC主要用于高频、高温、大功率器件，而6H-SiC主要用于生产光电子领域的功率器件[3]。2.4模块封装
氧化镓高功率肖特基二极管的及结终端技术研究.李昂.【摘要】：氧化嫁(Ga2O3)作为近些年来迅速发展起来的半导体材料之一,相比于传统半导体材料Ge、Si,以及同为第三代半导体材料的SiC和GaN相比,凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿场强,在高压、大...
SiC和GaN电力电子器件的研究进展.李天宇.【摘要】：与传统的Si基器件相比,SiC和GaN器件具有工作温度高、击穿电压高、开关速度快等优势,因此SiC和GaN材料是电力电子器件的理想材料。.总结了近年来SiC和GaN电力电子器件的研究进展,包括二极管,MOSFET,JFET和BJT...
摘要：着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长,器件及应用在近几年的发展情况.分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料,介绍了引SiC和GaN单晶的方法.分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向.总结了SiC和GaN器件的...
SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究.徐现刚.【摘要】：正以高质量的6H-SiC为衬底,采用MOCVD技术外延GaN基器件结构材料。.采用AlN作为缓冲层,通过改变AlN缓冲层的厚度及生长温度来调节GaN层的质量。.实验发现,AlN缓冲层厚度决定着GaN成核岛的密度。.随着AlN缓冲...
基于文献计量的新型电力电子器件研究态势分析摘要：相比传统的硅基电力电子器件，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的新型电力电子器件凭借其优异性能被认为是可替代硅基器件的重要选择。
宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显,GaN,SIC,宽禁带半导体,SiC。本文着重介绍第三代半导体材料——宽禁带半导体SIC与GaN材料与器件国内外现状及发展趋势,并重点展示了在光电子领域的应...
另外,LED相关材料包括SiC衬底和GaN外延层中的缺陷对LED的发光效率具有重要的影响。在第四章本论文对碳化硅衬底中的主要缺陷小角晶界以及GaN材料中的黄光带进行了研究。利用理论模拟以及偏光显微镜观测,揭示了碳化硅中小角晶界的内部微观结构,发现...
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Nature子刊：二维氮化镓材料的首次.材料.作者：X-MOL2016-09-08.自二维（2D）材料石墨烯问世以来，科学家们在过去的十年里发现了许多2D材料，如磷烯、过渡金属二硫属化合物等（点击阅读相关）。.通常，2D材料的来自于片层堆积…
SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺而成。从碳化硅晶体材料来看，4H-SiC和6H-SiC在半导体领域的应用最广，其中4H-SiC主要用于高频、高温、大功率器件，而6H-SiC主要用于生产光电子领域的功率器件[3]。2.4模块封装
氧化镓高功率肖特基二极管的及结终端技术研究.李昂.【摘要】：氧化嫁(Ga2O3)作为近些年来迅速发展起来的半导体材料之一,相比于传统半导体材料Ge、Si,以及同为第三代半导体材料的SiC和GaN相比,凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿场强,在高压、大...
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