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然而，纳米时代的到来也给集成电路的片上ESD防护带来一些前所未有的问题，主要是（1）薄的栅氧化层对ESD应力变得越来越敏感；（2）单个晶体管尺寸越来越小，其ESD散热能力也相应减弱；（3）多种材料的引进（如SOI）增加了不同材料间的界面热电阻，引入...
适用于功率IC应用I/O的面积有效的LDMOS-SCRESD保护器件.身份认证购VIP最低享7折!横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管被广泛用于高压输出电路中，其静电放电（ESD）问题已得到很好的研究。.LDMOS嵌入式可控硅整流器（LDMOS-SCR）可用于提高LDMOSESD鲁棒性...
西安电子科技大学硕士学位论文新型ESD防护器件与电路的结构设计及特性分析姓名：唐保军申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：刘红侠20100101摘要摘要随着半导体制造工艺的进步，器件的特征尺寸越来越小，静电放电（ESD，Electro－StaticDischarge）已经成为集成…
基于SCR的ESD器件低触发电压设计.pdf,第29卷第4期固体电子学研究与进展Vo1．29。No．42009年12月RESEARCH&PROGRESSOFSSEDec．，20097、硅微电子学基于SCR的ESD器件低触发电压设计李冰h杨袁渊董乾。(东南大学集成...
高可靠性io标准单元库及其esd防护设计-highreliabilityiostandardcelllibraryanditsesdprotectiondesign.docx116页
通过在PWell中插入一个浮动P+来实现具有对称IV曲线的ESD鲁棒高保持电压双向SCR,通过在PWell中插入一个浮动P+来实现具有对称IV曲线的ESD鲁棒高保持电压双向SCR更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道
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