目前的技术会同步存取多个存储器平面以加快数据传输速度,但这样会使得存储芯片中产生大突波电流,因而可能伤害到相关的电源模块。技术实现要素:3.本发明提供一种非易失性存储器装置的驱动方法,非易失性存储器装置包含多个存储器平面,且驱动方法
MICROPROCESSORS几种新型非易失存储器的原理及发展趋势(中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032)要:介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能...
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,热电子注入,福乐-诺德汉穿隧。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到C...
1.本发明属于服务器内存设计技术领域,具体涉及一种基于非易失性内存的数据保护方法及装置。背景技术:2.pmem,是persistentmemory的简称,持久化内存,也称为非易失性内存nvm,它即使在断电之后也能够保持数据不丢失。3.aep,是apache...
新型非易失存储的安全与隐私问题研究综述.以相变存储器PCM为代表的各种新型非易失性存储技术得到广泛关注,NVM同时具有传统内存的字节寻址特性和外存的非易失性特性,可以同时代替内存和外存,也可以用于混合存储体系结构。.NVM具有低延迟、高密度、低...
基于非易失性内存的分布式文件系统研究.pdf,重庆大学硕士学位论文中文摘要摘要近年来,新兴的非易失性存储器(Non-VolatileMemory,简称NVM)具有可按字节寻址、掉电数据不丢失、读写性能接近DRAM等特点。NVM存储器的一个重要应用...
1.本技术涉及计算机领域,尤其涉及一种校验非易失性存储器值的方法及设备。背景技术:2.当前,移动终端往往需要进行多次调整各项参数,其中也包括了对非易失性存储器的修改。现有技术中通常通过人工手动检查非易失性存储器的值(nv值)并进行修改,当对nv项进行批量式修改时,人工手动的...
一非易失存储介质的机遇和挑战.1.1机遇(这部分就直接贴我的毕业论文).近年来数据密集型应用发展迅速,其密集的I/O访问给页缓存系统造成了很大压力,内存系统需要提供足够的页面缓存空间来保证应用的服务质量,仅仅通过优化缓存替换算法已经不...
校准非易失性存储器读取阈值背景技术.随着nand存储器单元存储技术从每存储器单元一位(单层单元slc)进展到多层、三层和四层操作(每个存储器单元分别存储两位、三位和四位数据),在电压范围(也称为vt窗口)内定义的存储器状态的数量以指数方式增加。当使用存储器单元的非易失性存储器设备时...
1、非易失性存储器行业概况CMRN市调中心综合国家统计局、国家信息中心、海关数据库、行业协会等权威部门发布的统计信息和统计数据,糅合各类年鉴信息数据、财经媒体信息数据、商用数据库信息数据,从行业发展现状,当前产业政策,行业所处生命周期,行业市场竞争程度,市场稳定性几个...
目前的技术会同步存取多个存储器平面以加快数据传输速度,但这样会使得存储芯片中产生大突波电流,因而可能伤害到相关的电源模块。技术实现要素:3.本发明提供一种非易失性存储器装置的驱动方法,非易失性存储器装置包含多个存储器平面,且驱动方法
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基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,热电子注入,福乐-诺德汉穿隧。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到C...
1.本发明属于服务器内存设计技术领域,具体涉及一种基于非易失性内存的数据保护方法及装置。背景技术:2.pmem,是persistentmemory的简称,持久化内存,也称为非易失性内存nvm,它即使在断电之后也能够保持数据不丢失。3.aep,是apache...
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1.本技术涉及计算机领域,尤其涉及一种校验非易失性存储器值的方法及设备。背景技术:2.当前,移动终端往往需要进行多次调整各项参数,其中也包括了对非易失性存储器的修改。现有技术中通常通过人工手动检查非易失性存储器的值(nv值)并进行修改,当对nv项进行批量式修改时,人工手动的...
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