谈谈范德华势以及在Multiwfn中的计算、分析和绘制文/Sobereva@北京科音Firstrelease:2020-May-2Lastupdate:2021-Mar-20前言在研究分子间弱相互作用领域,静电势是经常被考察的量。
兰州大学博士学位论文分子间弱相互作用体系的理论研究:氢键、范德华相互作用和姓名:周盼盼申请学位级别:博士专业:化学物理化学指导教师:邱文元20100501摘要兰州大学博士学位论文摘要分子间的弱相互作用在化学、物理和生物学等众多学科领域中扮演着十分重要的角色,是目前...
概述二维磁性范德华材料的惊人特征和巨大潜力.2018-11-0115:57:34来源:sciencedaily.在纳米世界,磁性已被证明是非常令人惊讶的。.只有几个原子厚度的磁性2D材料可以帮助满足科学家们的好奇心,并为更小的后硅电子设备实现梦想。.由基础科学研究所(IBS)内的...
小编发现,一作中南京大学17级直博生周令是一位来自湖北的95后博士,26岁就发了篇Science正刊!除了本篇《Science》论文的共同第一作者来自于南京大学17级直博生周令为95后博士,2021年1…
在前述的范德华势的论文里笔者还基于不同探针原子分别绘制了18碳环的范德华势等值面图,如下所示,其中只将最重要的负值等值面显示了出来。图中黄色小球对应于范德华势全空间中的极小点…
现在,研究团队使用范德华金属集成法,成功实现了有效沟道长度小于1nm的垂直场效应晶体管。经过测试,研究人员发现,在垂直晶体管沟道长度为0.65nm和3.6nm的情况下,仍可以实现26和1000的开关比,开关比性能提升了两个数量级。
当然了,导师大部分时间还是靠谱的,关键时刻还能点醒我。比如审稿人问过一个EE态解离能的问题,因为我们在论文里号称某个态是范德华力的(不用猜也知道是导师写的)。我开始算出来解离能是0.2eV这个水平,比范德华力的数据大了一个数量级。
异质结界面与范德华超晶格.半导体工业技术进步与当代人工作生活水平提高息息相关。.该技术的肯綮是与计算通讯直接相关的三极管、固体照明和光伏相关的二极管器件等等关键器件性能稳定提升。.而经过复杂设计的异质结和超晶格对半导体器件的正常工作...
由于层间范德华界面剪切变形和滑移影响,材料本征力学参数弯曲刚度和杨氏模量表现为力学参量,传统薄板理论中弯曲刚度与厚度关系不再适用(Phys.Rev.Lett.,2019,封面);评述以上研究成果在应变工程、纳米复合材料等领域的影响,揭示微纳米尺度
图1.非对称范德华异质结器件结构示意图图2.(a)非对称范德华异质结器件在不同外界电场条件下的光电流;(b)器件工作为非易失性存储和可编程整流器时的特性曲线。
谈谈范德华势以及在Multiwfn中的计算、分析和绘制文/Sobereva@北京科音Firstrelease:2020-May-2Lastupdate:2021-Mar-20前言在研究分子间弱相互作用领域,静电势是经常被考察的量。
兰州大学博士学位论文分子间弱相互作用体系的理论研究:氢键、范德华相互作用和姓名:周盼盼申请学位级别:博士专业:化学物理化学指导教师:邱文元20100501摘要兰州大学博士学位论文摘要分子间的弱相互作用在化学、物理和生物学等众多学科领域中扮演着十分重要的角色,是目前...
概述二维磁性范德华材料的惊人特征和巨大潜力.2018-11-0115:57:34来源:sciencedaily.在纳米世界,磁性已被证明是非常令人惊讶的。.只有几个原子厚度的磁性2D材料可以帮助满足科学家们的好奇心,并为更小的后硅电子设备实现梦想。.由基础科学研究所(IBS)内的...
小编发现,一作中南京大学17级直博生周令是一位来自湖北的95后博士,26岁就发了篇Science正刊!除了本篇《Science》论文的共同第一作者来自于南京大学17级直博生周令为95后博士,2021年1…
在前述的范德华势的论文里笔者还基于不同探针原子分别绘制了18碳环的范德华势等值面图,如下所示,其中只将最重要的负值等值面显示了出来。图中黄色小球对应于范德华势全空间中的极小点…
现在,研究团队使用范德华金属集成法,成功实现了有效沟道长度小于1nm的垂直场效应晶体管。经过测试,研究人员发现,在垂直晶体管沟道长度为0.65nm和3.6nm的情况下,仍可以实现26和1000的开关比,开关比性能提升了两个数量级。
当然了,导师大部分时间还是靠谱的,关键时刻还能点醒我。比如审稿人问过一个EE态解离能的问题,因为我们在论文里号称某个态是范德华力的(不用猜也知道是导师写的)。我开始算出来解离能是0.2eV这个水平,比范德华力的数据大了一个数量级。
异质结界面与范德华超晶格.半导体工业技术进步与当代人工作生活水平提高息息相关。.该技术的肯綮是与计算通讯直接相关的三极管、固体照明和光伏相关的二极管器件等等关键器件性能稳定提升。.而经过复杂设计的异质结和超晶格对半导体器件的正常工作...
由于层间范德华界面剪切变形和滑移影响,材料本征力学参数弯曲刚度和杨氏模量表现为力学参量,传统薄板理论中弯曲刚度与厚度关系不再适用(Phys.Rev.Lett.,2019,封面);评述以上研究成果在应变工程、纳米复合材料等领域的影响,揭示微纳米尺度
图1.非对称范德华异质结器件结构示意图图2.(a)非对称范德华异质结器件在不同外界电场条件下的光电流;(b)器件工作为非易失性存储和可编程整流器时的特性曲线。