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本论文采用的三种方法都能成功将锑完全掺杂进入二氧化锡晶格中,且经过煅烧后的ATO仍是单一固溶体。扩散共沉淀法的ATO纳米导电颗粒最高电导率为26.67s.cm-1,颗粒平均粒径在5-10nnm,直接沉淀法的ATO颗粒最高产率可达88%以上。
本论文是电气自动化论文，笔者采用氧化物对二氧化锡基纳米材料进行掺杂，并研究其对油中溶解气体H2和CO的检测特性。
银掺杂二氧化锡纳米线的及其光学性能研究.【摘要】：二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙(Eg=3.62eV)n型半导体,在晶体管、光电转换器件和气敏传感器等领域具有重要的应用。.掺杂后的二氧化锡将具有更高的可见透射率、红外反射率和紫外吸收率。.论文选用具有...
【摘要】：氧化锡(SnO_2)因其优良的化学稳定性、较高的电子迁移率和可使用简单的低温工艺等优点,近年来获得了广泛的关注和迅速的发展。纯净SnO_2具有典型的绝缘体特性,当存在锡间隙或氧空位时显示出简并的n型半导体特性。因此,纯净SnO_2作为电子...
针对其比表面积低、导电性差等不利于析氧反应(OER)的局限性,采用水热法,开展了Co掺杂对二氧化锡载体改性的研究。研究表明,Co掺杂可使所担载的IrO_2颗粒细化,显著增加了IrO_2组分的活性面积,同时加强掺杂的二氧化锡载体与IrO_2颗粒之间的强交互作用,降低了Ir的价态,提升了复合催化剂的活性和耐久性。
在氧化的过程中掺杂,能使F原子更容易取代0原子,在较低温度(400℃)下得到了低电阻的掺氟二氧化锡(FTO)纳米颗粒,生产工艺简单,值得大力推广。用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量散射分析(EDS)和压片测电阻来对FTO纳米粉进行表征。
本论文先对二氧化锡的结构和性质进行研究，得到了其在纳米材料方面的重要性。.后在对纳米二氧化锡气敏材料的气敏机理进行综述性阐述的基础之上，我们从传感器设计和气敏材料两个方面，重点分析了二氧化锡气体传感器气敏性能的影响因素，并且着重...
二氧化锡气敏性能掺杂改性本文选题：二氧化锡+气敏性能；参考：《材料导报》2017年S1期【摘要】：在众多可应用于气敏传感器的金属氧化物材料中,SnO_2半导体是应用范围最为广泛的金属氧化物之一。现今对于SnO_2基气敏材料的性能改良主要通过两种手段:一是掺杂法,通过与不同的材料复…
因此，本论文有助于合理设计高效稳定的SPE关键词：电解制氢；PEM电解池；析氧电极；氧化铱；二氧化锡；氧化钌工程硕士学位论文IIIAbstractsolidpolymerelectrolysis,whichmainlybasedprotonexchangemembrane(PEM),hashighefficiency,high
二氧化锡光学、气敏和磁学性质的研究.【摘要】：宽禁带半导体材料二氧化锡(SnO2),带宽高达3.6-3.8eV,四方晶系,金红石相结构,具有优异的光学、电学性能,在光学元件,光电转换,太阳能电池,气敏传感器领域都有非常广泛的应该用,在半导体材料中占据着非常重要的...
本论文采用的三种方法都能成功将锑完全掺杂进入二氧化锡晶格中,且经过煅烧后的ATO仍是单一固溶体。扩散共沉淀法的ATO纳米导电颗粒最高电导率为26.67s.cm-1,颗粒平均粒径在5-10nnm,直接沉淀法的ATO颗粒最高产率可达88%以上。
本论文是电气自动化论文，笔者采用氧化物对二氧化锡基纳米材料进行掺杂，并研究其对油中溶解气体H2和CO的检测特性。
银掺杂二氧化锡纳米线的及其光学性能研究.【摘要】：二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙(Eg=3.62eV)n型半导体,在晶体管、光电转换器件和气敏传感器等领域具有重要的应用。.掺杂后的二氧化锡将具有更高的可见透射率、红外反射率和紫外吸收率。.论文选用具有...
【摘要】：氧化锡(SnO_2)因其优良的化学稳定性、较高的电子迁移率和可使用简单的低温工艺等优点,近年来获得了广泛的关注和迅速的发展。纯净SnO_2具有典型的绝缘体特性,当存在锡间隙或氧空位时显示出简并的n型半导体特性。因此,纯净SnO_2作为电子...
针对其比表面积低、导电性差等不利于析氧反应(OER)的局限性,采用水热法,开展了Co掺杂对二氧化锡载体改性的研究。研究表明,Co掺杂可使所担载的IrO_2颗粒细化,显著增加了IrO_2组分的活性面积,同时加强掺杂的二氧化锡载体与IrO_2颗粒之间的强交互作用,降低了Ir的价态,提升了复合催化剂的活性和耐久性。
在氧化的过程中掺杂,能使F原子更容易取代0原子,在较低温度(400℃)下得到了低电阻的掺氟二氧化锡(FTO)纳米颗粒,生产工艺简单,值得大力推广。用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量散射分析(EDS)和压片测电阻来对FTO纳米粉进行表征。
本论文先对二氧化锡的结构和性质进行研究，得到了其在纳米材料方面的重要性。.后在对纳米二氧化锡气敏材料的气敏机理进行综述性阐述的基础之上，我们从传感器设计和气敏材料两个方面，重点分析了二氧化锡气体传感器气敏性能的影响因素，并且着重...
二氧化锡气敏性能掺杂改性本文选题：二氧化锡+气敏性能；参考：《材料导报》2017年S1期【摘要】：在众多可应用于气敏传感器的金属氧化物材料中,SnO_2半导体是应用范围最为广泛的金属氧化物之一。现今对于SnO_2基气敏材料的性能改良主要通过两种手段:一是掺杂法,通过与不同的材料复…
因此，本论文有助于合理设计高效稳定的SPE关键词：电解制氢；PEM电解池；析氧电极；氧化铱；二氧化锡；氧化钌工程硕士学位论文IIIAbstractsolidpolymerelectrolysis,whichmainlybasedprotonexchangemembrane(PEM),hashighefficiency,high
二氧化锡光学、气敏和磁学性质的研究.【摘要】：宽禁带半导体材料二氧化锡(SnO2),带宽高达3.6-3.8eV,四方晶系,金红石相结构,具有优异的光学、电学性能,在光学元件,光电转换,太阳能电池,气敏传感器领域都有非常广泛的应该用,在半导体材料中占据着非常重要的...
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