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一种1200V平面快恢复二极管终端结构设计.一种1200（北京微电子技术研究所，北京100076）摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素，提出采用场限环和场板的组合设计，可大大降低环间距、氧化层厚度...
【技术领域】本发明属于微电子制作工艺技术领域，具体为一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法。【背景技术】目前，半导体碳化硅肖特基二极管在进行器件耐压设计时，主要通过场版或场环等单一终端结构来提升二极管耐压。场版通过电容作用调节主结附近的电场分布，场版对介质层...
3.3kvfsrd复合结终端结构的研究word格式.docx,摘要论文题目:3.3kVFSRD复合结终端结构的研究学科名称:集成电路工程他骂费研究生:李丹签名:在扑指导教师:王彩琳教授王富珍教授级高工签名:去白;摘要高压快速软恢复二极管(FSRD)广泛应用于电力...
本文研究了一种新型高压SiCPiN功率二极管体终端技术来实现JTE宽窗设计,从而有效提升了器件的击穿特性。具体工作如下:首先,简要介绍了高压SiCPiN功率二极管的反向击穿设计的相关器件物理过程,通过理论分析了理想器件反向耐压设计的核心参数(漂移区厚度、掺杂浓度)与击穿电压的关系。
4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)具有导通电阻低、开关特性好等优势，在电力电子领域得到了广泛的应用。.高效的终端结构、合理的工艺流程是实现高电压等级SiCSBD的关键因素。.在众多的终端结构中，结终端扩展(JTE)以其终端效率高、占用面积小、工艺上...
第三,本文了带Ar注入区终端结构的Ga203基肖特基二极管。测试结果表明,Ar离子注入并未对器件的正向特性造成影响,且该器件具有良好的正向导通特性,包括低特征导通电阻(5.5mΩ·cm2)、理想因子(1.05)相当接近1、高肖特基势垒(1.32eV)、高正向导通电流密度(133A/cm2@2V)。
电气基础知识：认识晶体二极管.晶体二极管常被人们简称为二极管，它由一个PN结、两条电极引线和管壳构成。.由P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极（如果在二极管实物外壳的两端中的一端看见有一条横条，则这一端为负极）。.如下图所示为二极管...
半导体器件终端技术浅谈——场板.yilin.半导体.38人赞同了该文章.在半导体的世界里，材料的表面和界面的特性是非常重要的。.尽管与体材料相比，表面和界面只是很小的部分，但是，他们却可能成为决定器件特性的关键点。.例如，在功率半导体中非常...
一种终端结构设计的高压大功率快恢复二极管.1.引言.击穿电压是电力电子器件最重要的参数之一，它和最大电流容量一起决定了电力电子器件的额定功率。.其中，硅基功率FRD通常是通过一个大面积pn结，以保证实现大电流工作。.但是，对于高压工作的FRD来说...
2017届优秀毕业论文（二）作者：时间：2018-09-12点击数：MPS的少子特性电子科学与技术...4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究[J].西安电子科技大学,2010[2]关艳霞,李银娜.混合PiN/Schottky二极管的研究...
一种1200V平面快恢复二极管终端结构设计.一种1200（北京微电子技术研究所，北京100076）摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素，提出采用场限环和场板的组合设计，可大大降低环间距、氧化层厚度...
【技术领域】本发明属于微电子制作工艺技术领域，具体为一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法。【背景技术】目前，半导体碳化硅肖特基二极管在进行器件耐压设计时，主要通过场版或场环等单一终端结构来提升二极管耐压。场版通过电容作用调节主结附近的电场分布，场版对介质层...
3.3kvfsrd复合结终端结构的研究word格式.docx,摘要论文题目:3.3kVFSRD复合结终端结构的研究学科名称:集成电路工程他骂费研究生:李丹签名:在扑指导教师:王彩琳教授王富珍教授级高工签名:去白;摘要高压快速软恢复二极管(FSRD)广泛应用于电力...
本文研究了一种新型高压SiCPiN功率二极管体终端技术来实现JTE宽窗设计,从而有效提升了器件的击穿特性。具体工作如下:首先,简要介绍了高压SiCPiN功率二极管的反向击穿设计的相关器件物理过程,通过理论分析了理想器件反向耐压设计的核心参数(漂移区厚度、掺杂浓度)与击穿电压的关系。
4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)具有导通电阻低、开关特性好等优势，在电力电子领域得到了广泛的应用。.高效的终端结构、合理的工艺流程是实现高电压等级SiCSBD的关键因素。.在众多的终端结构中，结终端扩展(JTE)以其终端效率高、占用面积小、工艺上...
第三,本文了带Ar注入区终端结构的Ga203基肖特基二极管。测试结果表明,Ar离子注入并未对器件的正向特性造成影响,且该器件具有良好的正向导通特性,包括低特征导通电阻(5.5mΩ·cm2)、理想因子(1.05)相当接近1、高肖特基势垒(1.32eV)、高正向导通电流密度(133A/cm2@2V)。
电气基础知识：认识晶体二极管.晶体二极管常被人们简称为二极管，它由一个PN结、两条电极引线和管壳构成。.由P区引出的电极为正极，N区引出的电极为负极（如果在二极管实物外壳的两端中的一端看见有一条横条，则这一端为负极）。.如下图所示为二极管...
半导体器件终端技术浅谈——场板.yilin.半导体.38人赞同了该文章.在半导体的世界里，材料的表面和界面的特性是非常重要的。.尽管与体材料相比，表面和界面只是很小的部分，但是，他们却可能成为决定器件特性的关键点。.例如，在功率半导体中非常...
一种终端结构设计的高压大功率快恢复二极管.1.引言.击穿电压是电力电子器件最重要的参数之一，它和最大电流容量一起决定了电力电子器件的额定功率。.其中，硅基功率FRD通常是通过一个大面积pn结，以保证实现大电流工作。.但是，对于高压工作的FRD来说...
2017届优秀毕业论文（二）作者：时间：2018-09-12点击数：MPS的少子特性电子科学与技术...4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究[J].西安电子科技大学,2010[2]关艳霞,李银娜.混合PiN/Schottky二极管的研究...
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