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【摘要】：二维二碲化钼(MoTe2)是一种新兴的二维材料,由于其独特的结构和优异的性能引起了科研届的广泛关注。二碲化钼具备可调控的能隙、良好的光吸收性,可应用于可见至近红外波段的光探测,在光电器件领域有重要的应用潜力。本文主要研究了机械剥离法的二碲化钼的光学与光探测性能,并...
本论文围绕通过利用化学气相沉积法可控地比较大面积、高结晶质量的二维二碲化钼为基础展开研究,其研究主要内容如下:1、通过改进反应装置,实现在常压下,通过化学气相沉积法,在单温区高温管式炉中出二维二碲化钼薄膜,这使得实验步骤变得简单节省...
本论文围绕两种晶体结构和物性比较特殊的过渡金属硫族化合物开展SHG实验研究,即二硫化铼（ReS2）和二碲化钼（MoTe2）,通过SHG光谱技术对其层间耦合、晶体取向、铁电特性、电调特性以及相变等进行分析和揭示。
研究人员在他们的论文中写道:“我们证明了单层钼双酰化钼晶体结构的电开关可以用来直接调制二阶光学磁化率。.”“这种方法可以实现二次谐波调制，开关比为1,000，每伏调制强度为30,000%，宽带运行为300nm。.值得注意的是，该团队发现调制可以在室温下进行...
密级:博士学位论文超短沟道二硫化钼场效应晶体管的及其电学性质研究作者姓名：指导教师:张广宇研究员中国科学院物理研究所学位类别:理学博士学科专业:凝聚态物理研究所:中国科学院物理研究所2017ElectricalCharacteristicsUltra-shortChannelMoSFieldEffectTransistorsLiXieDissertationSubmitted...
近日，北京大学的戴伦和叶堉团队，研究了二维薄层碲化钼材料在化学气相沉积（CVD）生长过程中的“固体-固体”相变的行为，并揭示了其背后的生长机制。他们发现在CVD生长过程中，亚稳态的1T’相碲化钼薄膜首先生长出来，在合适的外界条件下，薄膜通过
【背景介绍】在二碲化钼中，不同寻常地共存着巨大的自旋霍尔角和室温下长距强自旋扩散两种现象，因此使其成为非常理想的自旋电子器件构筑材料。为了实现这类潜在应用，当务之急是开发出大面积半金属碲化钼单层的稳定生长策略。目前的策略如卤化物辅助的化学气相沉积（CVD）、静电掺杂...
二维碲化镓半导体的及光、电性能研究-物理化学专业论文.docx,国内图书分类号：O649.4学校代码：10213国际图书分类号：544.466.468密级：公开理学硕士学位论文二维碲化镓半导体的及光、电性能研究硕士研究生：李晓超导师：胡...
通过在横向二硫化钼沟道与金属电极之间引入双极型二碲化钼作为串联的垂直导电沟道，该异质结器件表现出栅压调控的n-n结和p-n结传输特性。同时，其载流子注入类型具有偏压可控性，可以在隧穿和热激活之间切换。
《基于单层二碲化钼和硅纳米臂腔的室温连续模纳米激光》是清华大学与美国亚利桑那州立大学合作的结果，主要工作在国内完成。研究成果得到了清华大学自主科研项目（20141081296）和中组部千人计划的支持。参考文献：
【摘要】：二维二碲化钼(MoTe2)是一种新兴的二维材料,由于其独特的结构和优异的性能引起了科研届的广泛关注。二碲化钼具备可调控的能隙、良好的光吸收性,可应用于可见至近红外波段的光探测,在光电器件领域有重要的应用潜力。本文主要研究了机械剥离法的二碲化钼的光学与光探测性能,并...
本论文围绕通过利用化学气相沉积法可控地比较大面积、高结晶质量的二维二碲化钼为基础展开研究,其研究主要内容如下:1、通过改进反应装置,实现在常压下,通过化学气相沉积法,在单温区高温管式炉中出二维二碲化钼薄膜,这使得实验步骤变得简单节省...
本论文围绕两种晶体结构和物性比较特殊的过渡金属硫族化合物开展SHG实验研究,即二硫化铼（ReS2）和二碲化钼（MoTe2）,通过SHG光谱技术对其层间耦合、晶体取向、铁电特性、电调特性以及相变等进行分析和揭示。
研究人员在他们的论文中写道:“我们证明了单层钼双酰化钼晶体结构的电开关可以用来直接调制二阶光学磁化率。.”“这种方法可以实现二次谐波调制，开关比为1,000，每伏调制强度为30,000%，宽带运行为300nm。.值得注意的是，该团队发现调制可以在室温下进行...
密级:博士学位论文超短沟道二硫化钼场效应晶体管的及其电学性质研究作者姓名：指导教师:张广宇研究员中国科学院物理研究所学位类别:理学博士学科专业:凝聚态物理研究所:中国科学院物理研究所2017ElectricalCharacteristicsUltra-shortChannelMoSFieldEffectTransistorsLiXieDissertationSubmitted...
近日，北京大学的戴伦和叶堉团队，研究了二维薄层碲化钼材料在化学气相沉积（CVD）生长过程中的“固体-固体”相变的行为，并揭示了其背后的生长机制。他们发现在CVD生长过程中，亚稳态的1T’相碲化钼薄膜首先生长出来，在合适的外界条件下，薄膜通过
【背景介绍】在二碲化钼中，不同寻常地共存着巨大的自旋霍尔角和室温下长距强自旋扩散两种现象，因此使其成为非常理想的自旋电子器件构筑材料。为了实现这类潜在应用，当务之急是开发出大面积半金属碲化钼单层的稳定生长策略。目前的策略如卤化物辅助的化学气相沉积（CVD）、静电掺杂...
二维碲化镓半导体的及光、电性能研究-物理化学专业论文.docx,国内图书分类号：O649.4学校代码：10213国际图书分类号：544.466.468密级：公开理学硕士学位论文二维碲化镓半导体的及光、电性能研究硕士研究生：李晓超导师：胡...
通过在横向二硫化钼沟道与金属电极之间引入双极型二碲化钼作为串联的垂直导电沟道，该异质结器件表现出栅压调控的n-n结和p-n结传输特性。同时，其载流子注入类型具有偏压可控性，可以在隧穿和热激活之间切换。
《基于单层二碲化钼和硅纳米臂腔的室温连续模纳米激光》是清华大学与美国亚利桑那州立大学合作的结果，主要工作在国内完成。研究成果得到了清华大学自主科研项目（20141081296）和中组部千人计划的支持。参考文献：
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