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本文对直拉法单晶硅生长原理、国内外研究现状及生长工艺（设备工装、杂质掺杂、生长参数、环境参数、温场结构、晶体生长过程等），进行了全面深入的分析。.从中发现熔体的流动直接影响到了晶体生长热系统中的热量传输；氧杂质的分布情况。.对提升...
碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究.中国期刊网qikanchina.net碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究河北同光晶体有限公司，河北保定071000摘要:为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体...
得到的InSb薄膜连续且均匀分布在衬底上，厚度约为20nm，在1.2的波长处开始具有强吸收，并且在近红外波段的吸收率约为30%。.（2）InSb/Si异质结光电探测器件的性能测试。.利用在硅衬底上直接生长锑化铟薄膜出InSb/Si异质结光电探测器件，并测试了...
摘要：.从连铸机出来的高温铸坯,不经下线堆冷而直接运送并装入加热炉,简称连铸坯直装,具有节能,高效等优势,但是含Nb,V,Ti微合金元素的铸坯直装轧制后,钢板表面容易产生裂纹,这严重制约着微合金钢直装比率的提高.为了在实验室探索出解决直装裂纹的办法...
关于单晶硅各向异性腐蚀机理的讨论(paper)论文编号PV-46（共6施正荣无锡尚德太阳能电力有限公司214028摘要：在单晶硅太阳电池的工艺中，经常利用碱溶液对各个晶面腐蚀速率不同，在硅片表面形成类“金字塔”状绒面，降低反射率。.本文研究了（氢氧...
系统地设计了基于PLC的十字路通信号灯控制系统，对包括具体信号灯配置、硬件与软件的设计在内的控制环节进行了深刻研究，并且探索了手持式无线遥控装置对于信号灯的控制。.1.2课题的背景随着社会的发展和进步以及人民生活水平的提高，上路的...
Endura机台在半导体制造业的应用与优化.Endura机台在半导体制造业的应用与优化Enduratoolsemiconductormanufacturing学科专业：集成电路生：张燕鹏指导教师：张之圣企业导师：裴家旺天津大学信息学院二零一二年四月独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在...
半导体行业深度报告：半导体硅片行业全攻略.市场认为国内硅晶圆会过度投资，我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚，且长晶技术是决定硅片参数的核心环节，主要体现在炉内温度的热场和控制晶体形状的磁场设计能力。.硅抛光晶圆的主要技术指标包括...
他们把金属材料发上Science和Nature了.金属材料包括钢铁、镁、铜等自工业化后至今已经被许多学者进行了全方位系统的研究，应用也很成熟。.不像新兴材料，有很多前人未涉及领域，离应用还有些距离，所以相对来说更容易发上知名度更高的期刊。.一般来说像...
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