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其中对于上自旋电子居留时间和相位时间差距明显,并且这种差距随绝缘层,自旋过滤层的宽度和高度增大而增大到趋于不变,而对于下自旋电子相位时间和居留时间差距不明显,但对于不对称势垒的情况(I层和SF层势垒高度不同),该差距会随自旋过滤层的宽度,高度,和
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管器件中的应用.【摘要】：利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微出长短轴分别为12和6微米...
势垒的非对称性对隧穿几率的影响.【摘要】：在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小...
我们研究发现在石墨烯势垒超晶格中，能带折叠后，不同谷的相同子格赝自旋态之间的散射引起了谷选择的Klein隧穿现象。如果只考虑一个能谷，由于相反的子格赝自旋，石墨烯中电子垂直入射单个势垒时，电子会100%透射，即Klein隧穿现象，而对于多个势垒超晶格，系统中会出现新的狄拉克点。
上海大学硕士学位论文粒子穿过势垒和势阱的时间问题研究姓名：张玉武申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：李春芳2001.2.1上海大学硕士研究生学位论文粒子穿过势垒和势阱的时间问题研究摘要本论文的主要工作分为以下两部分：1．研究了量子粒子隧穿一维非对称势垒时所需的相位...
由于势垒层具有铁磁性，在居里温度以下其导带发生交换劈裂，于是，对于自旋方向不同的隧穿电子来说其势垒高度也不同：自旋向上的电子遇到的势垒较低，而自旋向下的电子遇到的势垒则较高。由于电子隧穿几率与势垒高度呈指数衰减关系，因此，即使入射
因而谐振隧穿几率比相继隧穿几率1335要大得多。把上面得到的结果运用到一维对称双势垒(两势垒的高和宽都相同，势阱底也等高，如图三所示)以得到一个重要的结论：在发生谐振隧穿时，双对称势垒对入射电子足完全透明，无反射波。
硕士论文致谢—《以铁磁绝缘体和铁磁半导体为势垒层的隧道结中自旋相关的隧穿时间研究》摘要第1-6页abstract第6-7页1.绪论第9-21页1.1电子的自旋极化隧穿效应
研究了对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性,他们认为Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂,不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同.实际的器件都是在一定的偏
MgO势垒磁性隧道结理论和实验研究中发现的高室温隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁电阻材料研究中的又一重大突破。目前,在单晶MgO单势垒磁性隧道结中观测到的室温和低温隧穿磁电阻比值已经分别超过600%和1000%;而在
其中对于上自旋电子居留时间和相位时间差距明显,并且这种差距随绝缘层,自旋过滤层的宽度和高度增大而增大到趋于不变,而对于下自旋电子相位时间和居留时间差距不明显,但对于不对称势垒的情况(I层和SF层势垒高度不同),该差距会随自旋过滤层的宽度,高度,和
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管器件中的应用.【摘要】：利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微出长短轴分别为12和6微米...
势垒的非对称性对隧穿几率的影响.【摘要】：在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明:隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小...
我们研究发现在石墨烯势垒超晶格中，能带折叠后，不同谷的相同子格赝自旋态之间的散射引起了谷选择的Klein隧穿现象。如果只考虑一个能谷，由于相反的子格赝自旋，石墨烯中电子垂直入射单个势垒时，电子会100%透射，即Klein隧穿现象，而对于多个势垒超晶格，系统中会出现新的狄拉克点。
上海大学硕士学位论文粒子穿过势垒和势阱的时间问题研究姓名：张玉武申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：李春芳2001.2.1上海大学硕士研究生学位论文粒子穿过势垒和势阱的时间问题研究摘要本论文的主要工作分为以下两部分：1．研究了量子粒子隧穿一维非对称势垒时所需的相位...
由于势垒层具有铁磁性，在居里温度以下其导带发生交换劈裂，于是，对于自旋方向不同的隧穿电子来说其势垒高度也不同：自旋向上的电子遇到的势垒较低，而自旋向下的电子遇到的势垒则较高。由于电子隧穿几率与势垒高度呈指数衰减关系，因此，即使入射
因而谐振隧穿几率比相继隧穿几率1335要大得多。把上面得到的结果运用到一维对称双势垒(两势垒的高和宽都相同，势阱底也等高，如图三所示)以得到一个重要的结论：在发生谐振隧穿时，双对称势垒对入射电子足完全透明，无反射波。
硕士论文致谢—《以铁磁绝缘体和铁磁半导体为势垒层的隧道结中自旋相关的隧穿时间研究》摘要第1-6页abstract第6-7页1.绪论第9-21页1.1电子的自旋极化隧穿效应
研究了对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性,他们认为Dresselhaus自旋轨道耦合效应使自旋简并消除,导致自旋向上和自旋向下电子的透射峰发生了自旋劈裂,不同自旋取向的电子构建时间和隧穿寿命不同.实际的器件都是在一定的偏
MgO势垒磁性隧道结理论和实验研究中发现的高室温隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁电阻材料研究中的又一重大突破。目前,在单晶MgO单势垒磁性隧道结中观测到的室温和低温隧穿磁电阻比值已经分别超过600%和1000%;而在
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