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DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
摘要动态随机存储器就是我们说的内存是一种常见的储存器件。它具有容量大、集成度高、价格便宜等特点广泛的应用于各种消费电子类产品如电脑、手机、数码相机、机顶盒、的价格变化直接牵动着下游产品的价格。工艺复杂、是一项技术密集型的产业也是半导体产业的重要组成部分具有技术...
本论文工作以提高电容器的可靠性为课题，将重点阐述就如何改善状电容的Rugged-poly与平板电极之间的附着性进行深入研究。1.2DRAM简介DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存储器，是一种广泛用于计算机系统的半导体存储
动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字"0"或"1".由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元...
在这种形势下，传统存储器如SRAM(StaticRandomAccessMemory,静态随机存储器)、DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存储器)、Flash等的缺陷逐步暴露出来。SRAM存在能量泄露的问题，DRAM存在功耗过高的问题，Flash存储器也存在着使用寿命较短，稳定性不断退化…
DRAM动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。04ROMrom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次...
这种新型的存储器有望取代动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash）驱动器。.强大且超低能耗计算时代即将来临，你准备好了吗？.研究人员对这一进展有充分的理由感到兴奋。.物联网在家庭和办公室的出现在很大程度上方便了我们的智能生活，但以数据为...
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器（ReRAM）、扩散式忆阻器、相变存储器（PCM）、非易失性磁性随机存储器（MRAM）、铁电场效应晶体管（FeFET）和突触晶体管。下面我们具体地看一下。ReRAMReRAM是基于电阻式随机存取的
而易失性存储器比如和动态随机存储器（DRAM）也有在存内计算相关的研究和应用。SRAM和DRAM有着很高的刷写编程速度，并且理论上有着近乎无限次数刷写编程的能力（>1016），但是易失性存储器件需要周期性地刷新，这就很难保持不同级别的电压，再去做多值运算。
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
摘要动态随机存储器就是我们说的内存是一种常见的储存器件。它具有容量大、集成度高、价格便宜等特点广泛的应用于各种消费电子类产品如电脑、手机、数码相机、机顶盒、的价格变化直接牵动着下游产品的价格。工艺复杂、是一项技术密集型的产业也是半导体产业的重要组成部分具有技术...
本论文工作以提高电容器的可靠性为课题，将重点阐述就如何改善状电容的Rugged-poly与平板电极之间的附着性进行深入研究。1.2DRAM简介DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存储器，是一种广泛用于计算机系统的半导体存储
动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字"0"或"1".由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元...
在这种形势下，传统存储器如SRAM(StaticRandomAccessMemory,静态随机存储器)、DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存储器)、Flash等的缺陷逐步暴露出来。SRAM存在能量泄露的问题，DRAM存在功耗过高的问题，Flash存储器也存在着使用寿命较短，稳定性不断退化…
DRAM动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。04ROMrom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次...
这种新型的存储器有望取代动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash）驱动器。.强大且超低能耗计算时代即将来临，你准备好了吗？.研究人员对这一进展有充分的理由感到兴奋。.物联网在家庭和办公室的出现在很大程度上方便了我们的智能生活，但以数据为...
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
论文作者盘点和介绍的六种存储器件包括电阻式记忆存储器（ReRAM）、扩散式忆阻器、相变存储器（PCM）、非易失性磁性随机存储器（MRAM）、铁电场效应晶体管（FeFET）和突触晶体管。下面我们具体地看一下。ReRAMReRAM是基于电阻式随机存取的
而易失性存储器比如和动态随机存储器（DRAM）也有在存内计算相关的研究和应用。SRAM和DRAM有着很高的刷写编程速度，并且理论上有着近乎无限次数刷写编程的能力（>1016），但是易失性存储器件需要周期性地刷新，这就很难保持不同级别的电压，再去做多值运算。
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