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对于Si或者SiC二极管，不管Rgate值如何变化，Eoff的值都不会变化，但是当使用SiC二极管时，其他的两个功率损耗分量会因Rgate值的变化而发生变化。对于任何Rgate值，二极管反向恢复损耗Err实际上已经几乎减小到0（94%）。
碳化硅半导体的介绍及发展前景.ppt.介绍碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。.碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。.碳化硅又称碳硅石。.在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛...
越战时期美国国内的和平反战运动-研究.pdf,AbsU’acttotheof1970s，Americamid～1960sFromthebeginningmostwastheandthewarwhichlongesttheVietnamwagedonhadeffectAmerica．Itintheofgreatconsumedhistorytheandaffairsthemilitary
日本生食文化及其成因研究-日语毕业论文.doc2021年新安全生产法试题库及答案.doc主食业主要营销模式特点和案例介绍(下).doc主食业主要营销模式特点和案例介绍(中).doc抵御和防范非法宗教向校园渗透班会主题.pptx
DiscoverscientificknowledgeandconnectwithyourpeersfromanywherewiththeResearchGateapp.Keepupwiththelatestresearchinyourfieldandchoosewhatyouwanttoreadlater.Connectwithyourpeersandmessagethemdirectlyfrom…
为了避免这种情况,提高ESD器件防护能力,可在NMOS栅极和地之间加一个电阻Rgate(图7)。由于栅漏间寄生电容的存在,ESD瞬态正电压加在PAD上时,图7中NMOS上的栅极也会耦合一个瞬态正电压,因此NMOS上的每一个“手指”会一齐导通,不用到达Vt1就能进入寄生横向晶体管骤回崩溃区(snapbackregion)。
2013年3月25日第30卷第2期TelecomPowerTechnologyMar．25，2013，Vol．30No．2收稿日期：2012－11－10作者简介：包尔恒（1971－），男，甘肃定西人，工程师，硕士，主要从事通信电源的研发工作。文章编号：1009－3664（2013）02－0034－04设计应用MOSFET驱动电路分析与设计包尔恒（深圳麦格米特电气股份有限公司...
第3卷第3期1993年6月《徽电子学》Mroelectro~c．sVo1．3．N3Jun．1993简单的晶闸管PSPICE模型张红庆路松峰———一———华中理工大学．湖北武汉．430074摘的简单计算机模型，对晶问管的太多数特性进行了模拟，论述jC149M1OSCR的具体
文中介绍了驱动电流、驱动功耗的计算方法;分析了MOSFET开关过程中电流电压的变化规律;最后对常用的驱动电路解决方案及其优缺点、设计中需要注意的问题等进行了分析总结。根据MOSFET门级驱动电路的特点及设计过程中需要考虑的影响因素,为可靠、高性能的MOSFET应用设计提供参考。
再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总再谈图腾柱驱动电路之一、之二、之三汇总（注：根据davida的建议，觉得还是把这个三个帖子综合起来跟方便大家探讨。）一、驱动电路之一由于本人最近接触才saber，能力有限，本想，但实在是由于有关saber的基础东西还很多不会呢，所以只…
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