发表服务
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：余炳鲲;程东方20040601上海大学工学硕士论文677606上海大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合上海大学硕士学位论文质量要求。
浙江大学硕士学位论文BCD工艺在电源管理IC设计中的应用姓名：赵双龙申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：吴晓波20060201摘要随着现代电源技术的发展，电源管理集成电路（简称Ic，integratedcircuit）的应用日趋广泛，相应的研究也得到高度的关注，发展迅速。
成都能在这个领域无心插柳，与成都在PowerIC的人才积淀方向有很大的关系。...继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
BUCK型DCDC开关电源芯片的设计与实现.西安电子科技大学硕士学位论文BUCK型DC/DC开关电源芯片的设计与实现姓名：樊继斌申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：刘红侠20090101f摘要摘要DC／DC开关电源以其高效率、集成度高的特点在便携...
原标题：【学术论文】GaNFET的结构、驱动及应用综述.随着电力电子装置的小型化和轻量化，宽禁带半导体器件GaNFET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。.在GaNFET的发展中，其结构和驱动对其安全应用至关重要。.首…
成都能在这个领域无心插柳，与成都在PowerIC的人才积淀方向有很大的关系。...继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
功率VDMOS器件结构设计。声明：本人文档均为可编辑的PDF格式，绝非截图文档，请放心下载使用。摘要摘要VDMOS（垂直导电双扩散场效应晶体管）器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点，广泛应用于...
职务：PowerIC研发部负责人.联系地址：南京东南大学国家ASIC工程中心.邮政编码：210096.联系电话：84502190.电子邮箱：swffrog@seu.edu.个人经历：.近5年来，先后参加国家"863"项目3项，参加江苏省及南京市项目4项；先后主持项目4项；在IEEETransElectronDevices等...
NavitasGaNPowerIC采用增强模式(正常关闭)，不需要额外的MOSFET，它可以使芯片尺寸更小。此外，借助集成的栅极驱动器，它可以高达1MHz的频率运行。PI已经交付了超过500万颗PowiGaN芯片，现已成为全球最大的高压氮化镓器件提供商之一。
欧美日把持下的功率器件市场.近年来，万物互联的呼声越来越高，交通工具，新能源领域，通信设备，以及消费级产品等，都在不断提高电子化水平，其中又以新能源汽车的高度电子化最为引人注目；与此同时，工业、电网等传统行业也在加速电子化进程...
上海大学硕士学位论文高压功率集成电路中的LDMOS的设计研究姓名：高海申请学位级别：硕士专业：光学指导教师：余炳鲲;程东方20040601上海大学工学硕士论文677606上海大学本论文经答辩委员会全体委员审查，确认符合上海大学硕士学位论文质量要求。
浙江大学硕士学位论文BCD工艺在电源管理IC设计中的应用姓名：赵双龙申请学位级别：硕士专业：电路与系统指导教师：吴晓波20060201摘要随着现代电源技术的发展，电源管理集成电路（简称Ic，integratedcircuit）的应用日趋广泛，相应的研究也得到高度的关注，发展迅速。
成都能在这个领域无心插柳，与成都在PowerIC的人才积淀方向有很大的关系。...继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
BUCK型DCDC开关电源芯片的设计与实现.西安电子科技大学硕士学位论文BUCK型DC/DC开关电源芯片的设计与实现姓名：樊继斌申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：刘红侠20090101f摘要摘要DC／DC开关电源以其高效率、集成度高的特点在便携...
原标题：【学术论文】GaNFET的结构、驱动及应用综述.随着电力电子装置的小型化和轻量化，宽禁带半导体器件GaNFET优于Si器件的特性使其在电力电子领域的应用受到广泛关注。.在GaNFET的发展中，其结构和驱动对其安全应用至关重要。.首…
成都能在这个领域无心插柳，与成都在PowerIC的人才积淀方向有很大的关系。...继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
功率VDMOS器件结构设计。声明：本人文档均为可编辑的PDF格式，绝非截图文档，请放心下载使用。摘要摘要VDMOS（垂直导电双扩散场效应晶体管）器件具有高输入阻抗、高开关速度、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点，广泛应用于...
职务：PowerIC研发部负责人.联系地址：南京东南大学国家ASIC工程中心.邮政编码：210096.联系电话：84502190.电子邮箱：swffrog@seu.edu.个人经历：.近5年来，先后参加国家"863"项目3项，参加江苏省及南京市项目4项；先后主持项目4项；在IEEETransElectronDevices等...
NavitasGaNPowerIC采用增强模式(正常关闭)，不需要额外的MOSFET，它可以使芯片尺寸更小。此外，借助集成的栅极驱动器，它可以高达1MHz的频率运行。PI已经交付了超过500万颗PowiGaN芯片，现已成为全球最大的高压氮化镓器件提供商之一。
欧美日把持下的功率器件市场.近年来，万物互联的呼声越来越高，交通工具，新能源领域，通信设备，以及消费级产品等，都在不断提高电子化水平，其中又以新能源汽车的高度电子化最为引人注目；与此同时，工业、电网等传统行业也在加速电子化进程...
发表服务