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PN结的雪崩机理及应用分析.摘要.本文主要介绍了什么是半导体，半导体的特性，P型半导体和N型半导体，PN结的形成、导电性、击穿特性、电容效应和开关特性，PN结雪崩击穿特性的应用等。.电子技术最基础的知识就是半导体，而半导体最基本的也是最重要的...
6.1PN结的雪崩击穿第45-46页·动态雪崩击穿机理的分析第46-47页6.3.动态雪崩对反向恢复时间的影响第47-49页第七章结论第49-50页参考文献第50-52页在学研究成果第52-53页致谢第53页本篇论文共...
第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
PN结的形成如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型，则在两部分的接触面就会形成一个特殊的薄层，称为PN结。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。如右图所示是一块两边掺入不同…
单光子雪崩二极管(SPAD)是一种固态光电探测器，与光电二极管和雪崩光电二极管(APD)属于同一家族，同时也与基本的二极管行为有着根本的联系。SPAD和APD的历史和发展与诸如二极管和早期p-n结…
雪崩光电二极管噪声测试及应用研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
功率dmos的uis失效机理及改善.中国科技论文在线功率DMOS的UIS失效机理及改善基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金新教师类（20110185120005）作者简介：任敏（1980-），女，副教授，主要研究方向为新型功率半导体器件与集成电路.E-mail:renmin@uestc.edu...
PN结具有单向导电性，它是构成二极管、三极管等半导体器件的基础。王肖沐向《中国科学报》介绍，在半导体器件中，雪崩过程是指载流子通过...
我国学者在二维材料垂直异质结器件研究方面取得重要进展.在国家自然科学基金项目（批准号：61775092，61625402，61574076）等资助下，南京大学王肖沐、缪峰、施毅合作团队在二维材料垂直异质结器件研究方面取得重要进展。.研究成果以“ObservationofBallistic...
弹道和雪崩成功“邂逅”.弹道是量子物理的概念，雪崩是半导体物理中的基本现象，两者貌似无关。.但南京大学电子科学与工程学院教授王肖沐...
PN结的雪崩机理及应用分析.摘要.本文主要介绍了什么是半导体，半导体的特性，P型半导体和N型半导体，PN结的形成、导电性、击穿特性、电容效应和开关特性，PN结雪崩击穿特性的应用等。.电子技术最基础的知识就是半导体，而半导体最基本的也是最重要的...
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第8卷第18期2015年9月中国科技论文在线精品论文1908能使Emax达到Ec值，或满足条件I=1，因此击穿电压就会提高。2.2碰撞电离积分与外加电压的关系与结果在PN结中，随着外加电压提高，碰撞电离率积分也逐渐变大，二者存在一定的数值关系。
PN结的形成如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型，则在两部分的接触面就会形成一个特殊的薄层，称为PN结。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。如右图所示是一块两边掺入不同…
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