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为了减少芯片面积，采用了40级Stack-Gate方式，并提出一种新的无面积损失的版图方式来实现该电路设计。本文基于TSMC16nmFinFET工BandgapReferencewithinaccuracyof+0.64%in16nmFinFET文章解读当时皓月2020-07-2900:42:271020收藏...
【摘要】：随着集成电路工艺进入深亚微米(16nm及以下),电路设计复杂度不断提升,设计规模急剧增加,电路验证变得愈加重要而艰巨。对于版图后,由于电路寄生器件的规模急剧增加,电路求解线性方程组所需时间呈超线性增长,传统的基于CPU架构的电路工具(SPICE)遇到了前所未有的性能...
ISSCC2020年论文解析（一）高速串口6.1.ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。.当时总结有几点发展趋势：.4、56Gbps的接口架构稳定，基于DSP的方案占主导。.一年过去了，这些趋势依然是成立的。.今年这个session有八篇论文。.从分布来看，五...
ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。.当时总结有几点发展趋势：.1、业界开始冲刺单通道112Gbps的高速串口；.2、这个方向非常吃先进工艺；.3、受工艺、成本限制，学术界没有办法跟工业界在同一层面竞赛；.4、56Gbps的接口架构稳定，基于DSP...
在16nm工艺中，其平均误差会达到4%。在更先进10nm、7nm及以下工艺中，其影响会更大，达到甚至超过5%...Quantus会在进行寄生参数提取时根据版图的环境和上述规则表，在几乎不需要额外运行时间的情况下实时模拟精准的MF...
垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙-中国科技论文在线.PDF,中国科技论文在线垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化#陈珙，黎明**5（北京大学微纳电子学研究院，北京100871）摘要：本文针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管，提出了一种涉及源漏延伸区、源…
这篇博客记录一下virtuoso中进行CMOS反相器和静态寄存器的电路设计以及功能，适合入门。还做了版图设计，但是自己对原理不是不清楚，在此就不记录了。virtuoso电路设计环境基本教学一、反相器1.1基本电路1.2电路设计（virtuoso基本使用...
ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。当时总结有几点发展趋势：1、业界开始冲刺单通道112Gbps的高速串口；2、这个方向非常吃先进工艺；3、受工艺、成本限制，学术界没有办法跟工业界在同一层面竞赛；4、56Gbps的接口...
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了.1958年，第一个集成电路触发器是在德州仪器由两个晶体管构建而成。.而今天的芯片包含超过10亿个晶体管，这种增长的规模来自于晶体管的不断缩小以及硅制造工艺的改进。.真空管的发明是电子工业发展的重要动力...
寒武纪：AI芯片的扛把子到底是印钞机还是碎钞机.如果顺利登陆资本市场，寒武纪将成为科创板AI芯片第一股。.编者按：本文来自微信公众号“格...
为了减少芯片面积，采用了40级Stack-Gate方式，并提出一种新的无面积损失的版图方式来实现该电路设计。本文基于TSMC16nmFinFET工BandgapReferencewithinaccuracyof+0.64%in16nmFinFET文章解读当时皓月2020-07-2900:42:271020收藏...
【摘要】：随着集成电路工艺进入深亚微米(16nm及以下),电路设计复杂度不断提升,设计规模急剧增加,电路验证变得愈加重要而艰巨。对于版图后,由于电路寄生器件的规模急剧增加,电路求解线性方程组所需时间呈超线性增长,传统的基于CPU架构的电路工具(SPICE)遇到了前所未有的性能...
ISSCC2020年论文解析（一）高速串口6.1.ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。.当时总结有几点发展趋势：.4、56Gbps的接口架构稳定，基于DSP的方案占主导。.一年过去了，这些趋势依然是成立的。.今年这个session有八篇论文。.从分布来看，五...
ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。.当时总结有几点发展趋势：.1、业界开始冲刺单通道112Gbps的高速串口；.2、这个方向非常吃先进工艺；.3、受工艺、成本限制，学术界没有办法跟工业界在同一层面竞赛；.4、56Gbps的接口架构稳定，基于DSP...
在16nm工艺中，其平均误差会达到4%。在更先进10nm、7nm及以下工艺中，其影响会更大，达到甚至超过5%...Quantus会在进行寄生参数提取时根据版图的环境和上述规则表，在几乎不需要额外运行时间的情况下实时模拟精准的MF...
垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙-中国科技论文在线.PDF,中国科技论文在线垂直沟道纳米线器件的非对称源漏掺杂设计及侧墙结构优化#陈珙，黎明**5（北京大学微纳电子学研究院，北京100871）摘要：本文针对垂直沟道围栅纳米线场效应晶体管，提出了一种涉及源漏延伸区、源…
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ISSCC2019结束后，我曾经写过一篇高速串口的论文解析。当时总结有几点发展趋势：1、业界开始冲刺单通道112Gbps的高速串口；2、这个方向非常吃先进工艺；3、受工艺、成本限制，学术界没有办法跟工业界在同一层面竞赛；4、56Gbps的接口...
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