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相变存储器(Phasechangememory-PCM)是目前最具潜力的下一代非易失性存储器，降低相变存储单元(PCMcell)的功耗和实现高密度存储已成为业界研究的热点。本论文通过优化传统T型PCMcell纳米尺度结构，使用几种新型纳米加热层薄膜，有效提高了单元的加热效率，降低了操作功耗。
上，对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析，研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术，分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案，指出了现有方案的优势和面临
相变存储器器件结构及工艺研究.【摘要】：相变存储器(PCM)由于具有非易失性、高存储密度、低功耗,高可靠性等诸多优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代闪存和动态随机存储器(DRAM)成为下一代半导体存储器主流产品之一。.相变存储器从上世纪...
PhaseChangeMemory：相变存储器.PhaseChangeMemory:DevelopmentProgressSystemOpportunitiesGregAtwoodNumonyxSr.FellowCorporateTechnologyOfficeOutlineMotivationPhaseChangeMemoryTechnologyStatusDevelopmentDirectionsSystemOpportunitiesMemoryConsideration:Past,Present,Future“NewMemory”Motivation(Recognized~1999...
论文中详细介绍了相变随机存取存储器（PCRAM以及PCM）并宣称：最近，这项技术已被英特尔成功用于基于PCRAM的3DXPoint当中。3DXPoint的成功商业化源于Ovonic存储器切换（OMS），Ovonic阈值切换（OTS）选择器，受限结构以及大型金属和位线的集成。
图2相变存储器的典型I．V曲线芒￡Jno北京大学硕士研究生学位论文根据其存储机理，相变存储器发生相变是由温度引起的热致相变造成的，相变存储器典型的电阻随编程电流变化的曲线如图3所示，由图可以看出作为相变材料的硫系化合物具有快速相
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。.由于改变的是材料的物理状态，所以即使断电，这种状态也不会消失，同时还可以实现很快的擦写速度。.早在2002年，宋志棠就开始关注这个方向...
相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLCNAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD)和固态硬碟(SSD)等系统解决方案，*估PCM的相对成本、效能和可靠度，可以了解PCM适用于哪里些应用领域，以及这项新技术
PCM吸取了DRAM和闪存两者共同的优点。尽管PCM的速度并没有DRAM那么快，但是，DRAM的价格要比PCM贵太多，却只比PCM快5到10倍。而PCM的速度却可以比闪存理论上快70倍，在实际应用中往往超过100倍。国际上第一个嵌入式相变存储器实现产业化
相变存储器（PCM）PCM是另一种高性能、非易失性存储器，基于硫属化合物玻璃。这种化合物有一个很重要的特性，当它们从一相移动到另一相时能够改变它们的电阻。该材料的结晶相是低电阻相，而非晶相为高电阻相，通过施加或消除电流来完成相变。
相变存储器(Phasechangememory-PCM)是目前最具潜力的下一代非易失性存储器，降低相变存储单元(PCMcell)的功耗和实现高密度存储已成为业界研究的热点。本论文通过优化传统T型PCMcell纳米尺度结构，使用几种新型纳米加热层薄膜，有效提高了单元的加热效率，降低了操作功耗。
上，对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析，研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术，分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案，指出了现有方案的优势和面临
相变存储器器件结构及工艺研究.【摘要】：相变存储器(PCM)由于具有非易失性、高存储密度、低功耗,高可靠性等诸多优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代闪存和动态随机存储器(DRAM)成为下一代半导体存储器主流产品之一。.相变存储器从上世纪...
PhaseChangeMemory：相变存储器.PhaseChangeMemory:DevelopmentProgressSystemOpportunitiesGregAtwoodNumonyxSr.FellowCorporateTechnologyOfficeOutlineMotivationPhaseChangeMemoryTechnologyStatusDevelopmentDirectionsSystemOpportunitiesMemoryConsideration:Past,Present,Future“NewMemory”Motivation(Recognized~1999...
论文中详细介绍了相变随机存取存储器（PCRAM以及PCM）并宣称：最近，这项技术已被英特尔成功用于基于PCRAM的3DXPoint当中。3DXPoint的成功商业化源于Ovonic存储器切换（OMS），Ovonic阈值切换（OTS）选择器，受限结构以及大型金属和位线的集成。
图2相变存储器的典型I．V曲线芒￡Jno北京大学硕士研究生学位论文根据其存储机理，相变存储器发生相变是由温度引起的热致相变造成的，相变存储器典型的电阻随编程电流变化的曲线如图3所示，由图可以看出作为相变材料的硫系化合物具有快速相
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器：它通过电流和磁场的开关，让存储材料在晶体和非晶体间切换。.由于改变的是材料的物理状态，所以即使断电，这种状态也不会消失，同时还可以实现很快的擦写速度。.早在2002年，宋志棠就开始关注这个方向...
相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLCNAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD)和固态硬碟(SSD)等系统解决方案，*估PCM的相对成本、效能和可靠度，可以了解PCM适用于哪里些应用领域，以及这项新技术
PCM吸取了DRAM和闪存两者共同的优点。尽管PCM的速度并没有DRAM那么快，但是，DRAM的价格要比PCM贵太多，却只比PCM快5到10倍。而PCM的速度却可以比闪存理论上快70倍，在实际应用中往往超过100倍。国际上第一个嵌入式相变存储器实现产业化
相变存储器（PCM）PCM是另一种高性能、非易失性存储器，基于硫属化合物玻璃。这种化合物有一个很重要的特性，当它们从一相移动到另一相时能够改变它们的电阻。该材料的结晶相是低电阻相，而非晶相为高电阻相，通过施加或消除电流来完成相变。
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