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低噪声放大器设计及优化毕业论文,优化,设计,毕业论文,毕业设计,噪声放大器,优化,优化设计,噪声优化,优化快速发展的无线通信对微波射频电路如低噪声放大器提出更高的性能。低噪声放大器(LNA)广泛应用于微波接收系统中，是重要器件之一，它作为射频接收机前端的主要部分...
2.4G射频低噪声放大器毕业设计论文.近年来，以电池作为电源的电子产品得到广泛使用，迫切要求采用低电压的模拟电路来降低功耗，所以低电压、低功耗模拟电路设计技术正成为研究的热点。.本文主要讨论电感负反馈cascode-CMOS-LNA（共源共栅低噪声放大器）的...
本文通过对低噪放设计的理论分析,利用ADS软件设计出了平衡式低噪声放大器,中心频率选为2.0GHz，通带为100MHz，通带内的增益达到18dB，波纹小于1dB;通带内的噪声系数小于1;通带内输入输出均驻比小于1.5。59989毕业论文关键词：2GHz、低
大学毕业论文—低噪声前置放大器的设计论文.doc,学号：200607168毕业论文（设计）题目名称：低噪声前置放大器的设计题目类型：毕业设计学生姓名：徐伟院（系）：物理科学与技术学院专业班级：应用物理学10602班指导教师：李林辅导教师：李林时间：2010年1月至2010年6月目…
本科毕业论文—微波低噪声放大器设计与测量.学生姓名辛振宇（20072410135）指导教师周晓平（副教授）2010摘要快速发展的无线通信对微波射频电路如低噪声放大器提出更高的性能。.低噪声放大器(LNA)广泛应用于微波接收系统中，是重要器件之一，主要...
45ghz低噪声射频功率放大器的设计--本科生毕业设计（论文）.doc,2.45GHz低噪声射频功率放大器的设计目录1引言11.1课题研究目的与意义11.2射频功率放大器概述11.3射频功率放大器的发展现状21.4本课题的研究方法及主要工作32射频...
浙江大学硕士学位论文射频集成电路中低噪声放大器的设计优化及微带光子晶体滤波器的分析设计姓名：施麟书申请学位级别：硕士专业：电磁场与微波技术指导教师：黄达诠20050301浙江_人学硕士学位论文3．82．4GHz共源共栅型低噪声放大器为了验证上面的理论分析，我们利用AgilemADS...
CMOS射频前端中低噪声放大器的设计,CMOS射频集成电路,低噪声放大器,噪声系数,共栅结构,共源共栅级。基于CMOS工艺的射频IC前端存在广阔的市场,具有良好的应用前景,是目前无线通信研究中的热点。CMOS射频无线接收前端电...
摘要低噪声放大器是现代雷达、无线通信、测试仪器和电子对抗系统中的重要部件，它主要将接收机接收到的微弱信号进行放大，同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。本论文给出了一种C波段低噪声放大器的设计原理与详细过程。该放大器采用Avago公司的ATF36077晶体管，为达到较高的增益和较低…
摘要本论文介绍了K波段低噪声放大器的原理电路设计的方法，给出了优化的结果。本论文设计的K波段低噪声放大器(LNA)选择三菱公司的HEMT管芯，由于增益的要求，本文的LNA设计采用了三级放大的拓扑结构，各级管芯都设计了相应的偏置电路。
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2.4G射频低噪声放大器毕业设计论文.近年来，以电池作为电源的电子产品得到广泛使用，迫切要求采用低电压的模拟电路来降低功耗，所以低电压、低功耗模拟电路设计技术正成为研究的热点。.本文主要讨论电感负反馈cascode-CMOS-LNA（共源共栅低噪声放大器）的...
本文通过对低噪放设计的理论分析,利用ADS软件设计出了平衡式低噪声放大器,中心频率选为2.0GHz，通带为100MHz，通带内的增益达到18dB，波纹小于1dB;通带内的噪声系数小于1;通带内输入输出均驻比小于1.5。59989毕业论文关键词：2GHz、低
大学毕业论文—低噪声前置放大器的设计论文.doc,学号：200607168毕业论文（设计）题目名称：低噪声前置放大器的设计题目类型：毕业设计学生姓名：徐伟院（系）：物理科学与技术学院专业班级：应用物理学10602班指导教师：李林辅导教师：李林时间：2010年1月至2010年6月目…
本科毕业论文—微波低噪声放大器设计与测量.学生姓名辛振宇（20072410135）指导教师周晓平（副教授）2010摘要快速发展的无线通信对微波射频电路如低噪声放大器提出更高的性能。.低噪声放大器(LNA)广泛应用于微波接收系统中，是重要器件之一，主要...
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摘要低噪声放大器是现代雷达、无线通信、测试仪器和电子对抗系统中的重要部件，它主要将接收机接收到的微弱信号进行放大，同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。本论文给出了一种C波段低噪声放大器的设计原理与详细过程。该放大器采用Avago公司的ATF36077晶体管，为达到较高的增益和较低…
摘要本论文介绍了K波段低噪声放大器的原理电路设计的方法，给出了优化的结果。本论文设计的K波段低噪声放大器(LNA)选择三菱公司的HEMT管芯，由于增益的要求，本文的LNA设计采用了三级放大的拓扑结构，各级管芯都设计了相应的偏置电路。
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