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MOSFET导通电阻偏高因素的测试分析和解决途径的研究.pdf.复旦大学硕士学位论文MOSFET导通电阻偏高因素的测试分析和解决途径的研究姓名：周忠申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：包宗明20070430论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下...
中国科技论文在线TrenchMOSFET导通电阻的优化作者简介：周倩，（1982-），女，高级工程师，半导体技术支持。E-mail:alalei82@163上海交通大学微电子学院，上海200240；中航（重庆）微电子有限公司，技术支持部，上海，200052...
器件导通电阻与芯片的面积是反比的关系,导通电阻的优化,可以带来通态功耗的降低,能源的节约,但在优化的时候,往往伴随着击穿电压的降低。本文的目的是介绍一种低导通电阻60VTrenchMOSFET的设计与制造,设计目标是击穿电压保持的情况下,导通电阻相比
器件导通电阻与芯片的面积是反比的关系,导通电阻的优化,可以带来通态功耗的降低,能源的节约,但在优化的时候,往往伴随着击穿电压的降低。.本文的目的是介绍一种低导通电阻60VTrenchMOSFET的设计与制造,设计目标是击穿电压保持的情况下,导通电阻相比同类...
全厂接地引下线导通电阻测试报告.ChinaResourcesDengfengElectricPowerDevelopmentCO.,Ltd接地引下线导通电阻测试报告试验日期:2011.4.22--24试验人员:220KV升压站221间隔参考点:润221开关B润221开关A0.35润221避雷器B20.6润22136.8润221开关C0.84润221避雷…
具有超低导通电阻的600V功率MOSFET新品发布舴wPR0Duc可穿戴技术、平板电脑和其他便携式I5芝素，可承受雪崩模式中的过压瞬变，而好的电能量匹配，时保护电池组的备。Litt…
3.1接地导通电阻测试仪earthcontinuitytester用于测量电气设备的可触及金属壳体与该设备的安全接地端（线）之间的电阻的仪器。.接地导通电阻测试仪根据指示方式的不同分为模拟式（指针式）和数字式，„根据输出电流是手动调节还是恒流自动调节，分为手动...
发表论文一篇具有：公共营养师证（三级）黑龙江省乡镇公共卫生医师证...2017-05-14二极管导通后，可以将它的电阻值当作导线考虑吗22012-03-22在电路计算中，能不能把发光二极管等效成电阻？（书上不是说二极...
1霍东权,格日乐图,杨建华;低压VDMOSFET特征导通电阻的研究[J];内蒙古民族大学学报(自然科学版);2004年04期2高嵩,石广源,王中文;VDMOSFET特征导通电阻的数学模型[J];微电子学与计算机;2004年07期3赵野,张颖,高嵩,石广元;低压VDMOSFET导通电阻的优化设计[J];辽宁大学学报(自然科学…
TrenchMOSFET导通电阻的优化，周倩，陈雪萌，本文基于TrenchMOSFET的基本结构、工艺流程研究TrenchMOSFET的导通电阻，理论研究导通电阻的主要组成部分及各部分所占的比率。然后通过
MOSFET导通电阻偏高因素的测试分析和解决途径的研究.pdf.复旦大学硕士学位论文MOSFET导通电阻偏高因素的测试分析和解决途径的研究姓名：周忠申请学位级别：硕士专业：电子与通信工程指导教师：包宗明20070430论文独创性声明本论文是我个人在导师指导下...
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器件导通电阻与芯片的面积是反比的关系,导通电阻的优化,可以带来通态功耗的降低,能源的节约,但在优化的时候,往往伴随着击穿电压的降低。.本文的目的是介绍一种低导通电阻60VTrenchMOSFET的设计与制造,设计目标是击穿电压保持的情况下,导通电阻相比同类...
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