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氮化铝粉体技术的研究进展认领被引量：1.氮化铝粉体技术的研究进展.摘要氮化铝(AlN)因具备优良的理化性能,目前已被广泛应用于微电子及半导体器件的基板和封装领域中,同时在功率器件、深紫外LED及半导体衬底方面也具有广阔发展前景。.AlN粉体...
2）氮化铝粉体的表面改性。由亍氮化铝暴露在空气中氧含量会增加，影响烧结制品的热导率，同时在处理过程中也会增加氧的含量，所以有必要对氮化铝粉体迚行表面改性，幵且为下一步的成型提供流动性好3）氮化铝的胶态成型研究。
2、氮化铝粉体的表面改性氮化铝具有较强的亲水性，暴露于空气中氧含量会增加，影响烧结制品的热导率，同时在过程中也会增加氧的含量，所以需要采取一定的工艺对氮化铝粉体进行表面改性，以提高氮化铝的抗水化能力以适应工艺及产品品质要求。
氮化铝粉体中的氧杂质会严重降低热导率，而粉体粒度、颗粒形态则对成形和烧结有重要的影响。因此，粉体是AIN陶瓷生产的一个重要环节。1.3氮化镓铝的氮化镓铝的主要是有关GaN的，其方法与AlN的相一致。
建立了高品质氮化铝粉体及其精密成形技术，研制出高纯度、细粒度氮化铝粉体，金属杂质总含量低于50ppm，氧含量0.7~0.8wt%，平均粒径约1μm；开发出氮化铝的粉末注射成形技术，解决了由于硬度高、脆性大而造成复杂形状制品无法直接的
（6）建设规模：年产100吨氮化铝粉体，主要建设两条氮化铝粉体生产线及其附属设备。1.1.4.2产品方案建设单位根据前期市场调研、原材料市场状况、项目产品市场前景、生产经济规模、企业资金筹措能力等诸多因素，确定本项目建设规模为：年产100吨氮化铝粉体。
氮化铝粉体中的氧杂质会严重降低热导率，而粉体粒度、粒子形态则对成形和烧结有重要的影响。因此，粉体是氮化铝陶瓷生产的一个重要环节。氮化铝粉体的方法很多，其中用于大规模生产的主要有三种，其他一些方法尚未获得普遍应用。
氮化铝陶瓷粉体及基板项目环境影响报告书编制单位：湖南葆华环保有限公司编制日期：2017.11总则2.1编制依据2.1.1法律法规、条例《中华人民共和国环境保》（2015《产业结构调整指导目录（2011年本）（2013年修正）》（国家发展和改革委员
本论文主要从以下三个方面开展实验研究:1、首先,分别使用不同含量的F8261,Z6124和硬脂酸对AlN陶瓷粉体进行表面改性,探索了填料表面嫁接改性过程中改性试剂的种类,改性试剂的质量分数对改性后的氮化铝陶瓷粉体疏水性能的影响,并且使用SEM,XPS,XRD等
氮化铝粉末方法研究进展相关文档氮化铝粉体方法的研究进展氮化铝粉体方法的研究进展氮化铝因具有优良的热传导性能、高的电阻率、以及与硅相匹配的热膨胀系数而倍受人们关注,是优良的电路基板和电子封装材料。尽管氮化铝...氮化铝陶瓷粉体方法研究进展及展望
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2）氮化铝粉体的表面改性。由亍氮化铝暴露在空气中氧含量会增加，影响烧结制品的热导率，同时在处理过程中也会增加氧的含量，所以有必要对氮化铝粉体迚行表面改性，幵且为下一步的成型提供流动性好3）氮化铝的胶态成型研究。
2、氮化铝粉体的表面改性氮化铝具有较强的亲水性，暴露于空气中氧含量会增加，影响烧结制品的热导率，同时在过程中也会增加氧的含量，所以需要采取一定的工艺对氮化铝粉体进行表面改性，以提高氮化铝的抗水化能力以适应工艺及产品品质要求。
氮化铝粉体中的氧杂质会严重降低热导率，而粉体粒度、颗粒形态则对成形和烧结有重要的影响。因此，粉体是AIN陶瓷生产的一个重要环节。1.3氮化镓铝的氮化镓铝的主要是有关GaN的，其方法与AlN的相一致。
建立了高品质氮化铝粉体及其精密成形技术，研制出高纯度、细粒度氮化铝粉体，金属杂质总含量低于50ppm，氧含量0.7~0.8wt%，平均粒径约1μm；开发出氮化铝的粉末注射成形技术，解决了由于硬度高、脆性大而造成复杂形状制品无法直接的
（6）建设规模：年产100吨氮化铝粉体，主要建设两条氮化铝粉体生产线及其附属设备。1.1.4.2产品方案建设单位根据前期市场调研、原材料市场状况、项目产品市场前景、生产经济规模、企业资金筹措能力等诸多因素，确定本项目建设规模为：年产100吨氮化铝粉体。
氮化铝粉体中的氧杂质会严重降低热导率，而粉体粒度、粒子形态则对成形和烧结有重要的影响。因此，粉体是氮化铝陶瓷生产的一个重要环节。氮化铝粉体的方法很多，其中用于大规模生产的主要有三种，其他一些方法尚未获得普遍应用。
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本论文主要从以下三个方面开展实验研究:1、首先,分别使用不同含量的F8261,Z6124和硬脂酸对AlN陶瓷粉体进行表面改性,探索了填料表面嫁接改性过程中改性试剂的种类,改性试剂的质量分数对改性后的氮化铝陶瓷粉体疏水性能的影响,并且使用SEM,XPS,XRD等
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