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硕士专业学位论文论文题目NAND闪存写入（编程）干扰研究研究生姓名指导教师姓名乔东海半导体存储论文提交日期2013年10NAND闪存写入（编程）干扰研究中文摘要NAND闪存写入（编程）干扰研究中文摘要闪存（FlashMemory）是一种长...
NAND闪存作为一种比较实用的固态硬盘存储介质，有自己的一些物理特性，NAND闪存的电荷非常不稳定，在写入（编程）时很容易对邻近的单元造成干扰，干扰后会让附近单元的电荷脱离实际的逻辑数值，造成位（bit）出错。.由于阈值电压接近的关系，MLC相对SLC...
nand闪存写入编程干扰分析-analysisofwriteprogramminginterferenceofnandflashmemory.docx,目录第一章绪论16.1确定VPASS电压值范围改善写入（编程）干扰246.2改善位线与位线之间YUPIN效应引起的写入（编程）干扰错误!未定义书签。6.3改善...
Nor和Nand是两种主要的非易失闪存技术。.自1989年东芝公司发表了NandFlash结构以来,NandFlash以其具有更小的体积,更快的写入和擦除速度,更多次的可擦除次数,及更低廉的每bit价格得到了迅速发展.一、NandFlash的几个重要的基本特性:1.NandFlash的IO接口...
本论文第一部分工作研究了2DNAND闪存存储器的可靠性。虽然很多学者已经对电荷隧穿层和电荷阻挡层的尺寸缩放的影响有了一定的研究,但是在擦写循环期间,电荷阻挡层尺寸的变化对数据保持特性的影响还尚不明确。所以,本部分工作的核心是研究电荷...
NANDFLASH编程验证与算法优化更新时间：2020-09-2507:20:12大小：15M上传用户：杨义查看TA发布的资源浏览次数：29下载积分：1分评价赚积分（如何评价?）
用于NAND闪存的LDPC码研究.pdf,摘要NAND闪存目前在电子产品中广泛使用。但是，NAND闪存容易出现存储错误，特别是随着工艺的进步和多位技术（MLC）的采用，闪存存储密度大幅度增加，误码率也急剧提高。如何提高NAND闪存的可靠性...
NandFlash驱动程序编写指南-3.JuanA1的专栏.06-30.3500.下面开始分析nandflash时序图，并以读操作为例编写nandflash驱动，先看下我们应该发什么命令读数据，下面是数据手册的命令集合：由上可以看出，要读取数据，只需要发送一个命令周期，发00h或01h。.知道...
NAND闪存纠错码架构研究.李振宁.【摘要】：随着微电子工艺的不断发展,NAND闪存的存储密度大幅度增加导致误码率急剧升高,传统的纠错码架构已经不能满足NAND闪存的纠错需求。.LDPC码因其接近香农限的优良性能和低译码复杂度近年来引起人们的大量研究,被...
NANDFlash在嵌入式系统中有着广泛的应用，负载平均和坏块管理是与之相关的两个核心议题。.Uboot和Linux系统对NAND的操作都封装了对这两个问题的处理方法。.本文首先讲述Nandflash基础知识，然后介绍现有的几类坏块管理（BBM）方法，通过分析典型嵌入式系统...
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本论文第一部分工作研究了2DNAND闪存存储器的可靠性。虽然很多学者已经对电荷隧穿层和电荷阻挡层的尺寸缩放的影响有了一定的研究,但是在擦写循环期间,电荷阻挡层尺寸的变化对数据保持特性的影响还尚不明确。所以,本部分工作的核心是研究电荷...
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