带隙基准源电路与版图设计.doc.带隙基准源电路与版图设计论文题目:带隙基准源电路与版图设计基准电压源具有相对较高的精度和稳定度,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。.模拟电路使用基准源,或者是为了得到与电源无关的偏置...
四川大学硕士学位论文高精度指数型温度补偿带隙基准电路的分析与设计姓名:梁婧申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:龚敏20060522四川大擘硕士毕业生论文高精度指数型温度补偿带隙基准电路的分析与设计徽电子学与圆体电子学专业研究生梁靖指导教师龚敏在集成...
摘要提出了一种解决电流模带隙基准电路的第三简并态问题的处理方法,设计了一个完整的低压低功耗带隙电路。通过在电路启动时关断导致产生第三简并态的电流通道并监测电路关键节点电压的方法,控制电路的启动过程,使电路在启动时避开第三简并态,进入正常工作状态。
本论文的带隙基准源使用图2所示的运放电路。P2,P3,N3,N4和R1组成运放的第一级,P4,P5,N5和N6组成运放的第二级,P1,N1和N2为开关。当使能信号EN为高电平时,N1和N2关闭,P1打开,通过电阻R1产生偏置电流,运放进入正常工作,并且工作在...
论文查重优惠论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心基于失配控制的非线性补偿带隙基准电路设计来自钛学术喜欢0阅读量:34作者:吴金,聂卫东,常昌远,渠宁,李浩展开摘要:在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析...
摘要:在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC65nmCMOS工艺模型进行仿…
一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计(论文)-第29卷第2期2010年4月天津工业大学学报V01.29AprilNo.22010JOURNALOFT...首页文档视频音频文集文档
一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源.基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带隙基准源。.该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响,提高带隙抗工艺失调的能力。.结果表明,基准电压为1.2280V,在-40℃~125℃,典型偏差小于2...
基于UMC0.25μmBCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5V~5.5V,基准电压变化53μV...
一维微带光子带隙结构的研究与设计.李玥.自从1987年Yablonovitch和John各自的提出“光子晶体”这一新概念以来,光子带隙结构(PhotonicBandgap,简称PBG)在微波与毫米波集成电路的应用越来越成为研究热点。.目前,国外在此领域的相关理论和实验研究都取得了很大...
带隙基准源电路与版图设计.doc.带隙基准源电路与版图设计论文题目:带隙基准源电路与版图设计基准电压源具有相对较高的精度和稳定度,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。.模拟电路使用基准源,或者是为了得到与电源无关的偏置...
四川大学硕士学位论文高精度指数型温度补偿带隙基准电路的分析与设计姓名:梁婧申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:龚敏20060522四川大擘硕士毕业生论文高精度指数型温度补偿带隙基准电路的分析与设计徽电子学与圆体电子学专业研究生梁靖指导教师龚敏在集成...
摘要提出了一种解决电流模带隙基准电路的第三简并态问题的处理方法,设计了一个完整的低压低功耗带隙电路。通过在电路启动时关断导致产生第三简并态的电流通道并监测电路关键节点电压的方法,控制电路的启动过程,使电路在启动时避开第三简并态,进入正常工作状态。
本论文的带隙基准源使用图2所示的运放电路。P2,P3,N3,N4和R1组成运放的第一级,P4,P5,N5和N6组成运放的第二级,P1,N1和N2为开关。当使能信号EN为高电平时,N1和N2关闭,P1打开,通过电阻R1产生偏置电流,运放进入正常工作,并且工作在...
论文查重优惠论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心基于失配控制的非线性补偿带隙基准电路设计来自钛学术喜欢0阅读量:34作者:吴金,聂卫东,常昌远,渠宁,李浩展开摘要:在一阶线性补偿基准非线性温度特性分析...
摘要:在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC65nmCMOS工艺模型进行仿…
一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计(论文)-第29卷第2期2010年4月天津工业大学学报V01.29AprilNo.22010JOURNALOFT...首页文档视频音频文集文档
一种基于横向PNP管的低失调CMOS带隙基准源.基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带隙基准源。.该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响,提高带隙抗工艺失调的能力。.结果表明,基准电压为1.2280V,在-40℃~125℃,典型偏差小于2...
基于UMC0.25μmBCD工艺,在传统带隙基准结构的基础上,设计了一种具有低功耗、高精度的基准,同时利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性,对基准温度特性曲线进行二阶补偿。结果表明,电源电压5V时,静态电流功耗为3.16μA;电源电压2.5V~5.5V,基准电压变化53μV...
一维微带光子带隙结构的研究与设计.李玥.自从1987年Yablonovitch和John各自的提出“光子晶体”这一新概念以来,光子带隙结构(PhotonicBandgap,简称PBG)在微波与毫米波集成电路的应用越来越成为研究热点。.目前,国外在此领域的相关理论和实验研究都取得了很大...