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今年，IEDM的第2场分会（存储器技术STT-MRAM）上一系列产业界的论文演讲。Everspin首先是Everspin，这是为数不多的MRAM产品供应商之一。SanjeevAggarwal等人作题为“DemonstrationofaReliable1GbSt…
磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。台工研院电光...
工研院发表其MRAM技术，比台积电、三星还要强.与非网12月11日讯，台工业技术研究院昨日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。.其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的...
日前，工业技术研究院于美国举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）中发布3篇铁电存储器（FRAM），以及3篇磁阻随机存取存储器（MRAM）技术论文。从其公布的研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取...
近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得新进展。实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计极为重要。
留下些自己总结的文字笔记，文献看完之后再咀嚼咀嚼，以后写大论文也好找素材。目录背景：STT-MRAM,SOT-MRAM的不足VCMA的工作原理VCMA效应公式VCMASPICEmodelVCMA性能总结背景：STT-MRAM,SOT-MRAM的不足STT-MRAM...
三星在2016年论文中的MRAM堆叠中使用了具有单个MgO和CoFeB（CFB）层的MTJ。MTJ的直径为38–45nm，底部电极接触（BEC）为钨（从图像上也可以看到顶部接触）。图3三星STT-MRAM的图和TEM截面图[2]去年三月，三星宣布了基于其28FDS工艺的...
续上一篇：2019IEDM：MRAM技术预告。Samsung三星在本次会议上还有另一篇关于MRAM的论文，论文号2.5，题为“ANovelIntegrationofSTT-MRAMforOn-chipHybridMemorybyUtilizingNon-VolatilityModulation”，Jeong-HeonPark是第一...
2002年中科院硅酸盐所报道特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究了经过优化的PVT法工艺条件，生长出了φ45mm型6H-SiC单晶，微管密度为10，电阻率为300Ωcm，这是国内首次通过PVT法生长SiC单晶[1.6]。.在器件方面，1997年西安电子科技大学在n型6H-SiC料上了...
今年，IEDM的第2场分会（存储器技术STT-MRAM）上一系列产业界的论文演讲。Everspin首先是Everspin，这是为数不多的MRAM产品供应商之一。SanjeevAggarwal等人作题为“DemonstrationofaReliable1GbSt…
磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。台工研院电光...
工研院发表其MRAM技术，比台积电、三星还要强.与非网12月11日讯，台工业技术研究院昨日于美国举办的国际电子元件会议（IEDM）中发表铁电存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）等6篇技术论文。.其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的...
日前，工业技术研究院于美国举办的IEEE国际电子元件会议（IEDM）中发布3篇铁电存储器（FRAM），以及3篇磁阻随机存取存储器（MRAM）技术论文。从其公布的研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取...
近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得新进展。实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计极为重要。
留下些自己总结的文字笔记，文献看完之后再咀嚼咀嚼，以后写大论文也好找素材。目录背景：STT-MRAM,SOT-MRAM的不足VCMA的工作原理VCMA效应公式VCMASPICEmodelVCMA性能总结背景：STT-MRAM,SOT-MRAM的不足STT-MRAM...
三星在2016年论文中的MRAM堆叠中使用了具有单个MgO和CoFeB（CFB）层的MTJ。MTJ的直径为38–45nm，底部电极接触（BEC）为钨（从图像上也可以看到顶部接触）。图3三星STT-MRAM的图和TEM截面图[2]去年三月，三星宣布了基于其28FDS工艺的...
续上一篇：2019IEDM：MRAM技术预告。Samsung三星在本次会议上还有另一篇关于MRAM的论文，论文号2.5，题为“ANovelIntegrationofSTT-MRAMforOn-chipHybridMemorybyUtilizingNon-VolatilityModulation”，Jeong-HeonPark是第一...
2002年中科院硅酸盐所报道特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究了经过优化的PVT法工艺条件，生长出了φ45mm型6H-SiC单晶，微管密度为10，电阻率为300Ωcm，这是国内首次通过PVT法生长SiC单晶[1.6]。.在器件方面，1997年西安电子科技大学在n型6H-SiC料上了...
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