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SGTMOSFET雪崩耐量论文总结.pdf,2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSimulation②ExperimentalstudyandsimulationsontwodifferentavalanchemodesintrenchpowerMOSFETs③Multi-Cell
SGTMOSFET雪崩耐量论文总结-2016/6/2论文名称：①DesignofAvalancheCapabilityofPowerMOSFETsbyDeviceSi...首页文档视频音频文集文档
毕业论文SilvacoTCAD基CMOS器件.本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要...
PS：2020.03.01，无锡的生活短暂而缓慢，今天就给大家整理了一下MOS电容相关的知识点。电容作为电路中经常会使用到的无源器件，相信大家一定不会陌生，但是在实际的工艺库中，关于电容，又有哪些需要注意的地方呢…
总结以上，米勒振荡引起三个问题：.1、击穿GS电压，引入稳压二极管钳制。.2、二次开关，引入软开关。.3、上下管子导通，让人头大的问题及斗争的重点，下一节讲。.下图为的MOS管驱动波形，大家可以看到里面有一个米勒振荡，信号源为10V，100KHz.米勒...
MOS管知识|解析MOSFET中的噪声-KIAMOS管MOSFET中的噪声噪声源MOS器件的本底噪声是器件中电压和电流的自发涨落，与电子电荷的离散性紧密相关。噪声的影响受器件及其所在电路放大能力的限制。外界噪声可以通过适当的屏蔽处理进行减弱或消除，但是本底噪声由器件自发产生，不能完全消除。
文件名大小MOS管驱动电路设计秘籍（工作原理+电路设计+问题总结）/MOSFET管经典驱动电路设计大全.pdfMOS管驱动电路设计秘籍...
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总结以上，米勒振荡引起三个问题：.1、击穿GS电压，引入稳压二极管钳制。.2、二次开关，引入软开关。.3、上下管子导通，让人头大的问题及斗争的重点，下一节讲。.下图为的MOS管驱动波形，大家可以看到里面有一个米勒振荡，信号源为10V，100KHz.米勒...
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