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MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层（导电沟道）来实现的。（1）反型层（沟道）的产生和消消除：产生反型层或者使反型层消失，这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压V。
应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究-对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·P模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方...
虽然反型层中的载流子浓度很大，但是由于其厚度很薄，所以在面电荷数量上，与其下面耗尽层中的空间面电荷数量相比，则还是很小的。因此，在讨论MOS电容时，往往即可忽略反型层中这些电荷的影响。（7）反型层（沟道）中的载流子是二维自由载流子：
MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出了利用线性区I-V特性方程测定宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的方法,...中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年中国博士学位论文全文数据库前1条1尚也...
这里把MOS管工作于弱反型或亚阈值区时的一些问题和特性小结一下：.当MOSFET的Vgs接近其阈值电压Vth时，MOS管工作在弱反型（或亚阈值区），在结构上类似于两个背靠背的二极管相连。.这样我们分析时，可将其看成横向的BJT的结构，与一般的BJT不同的...
本科毕业论文(设计)题目：SilvacoTCAD基CMOS器件学院：物理科学学院专业：姓名：指导教师：2014青岛大学毕业论文(设计)任务书学生姓名:同组学生:指导教师:下发日期:2014MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研摘要：本文主要介绍了...
如题，哪位达人知道一下，急哪里有相关的介绍，谢谢这个主要根据沟道层中的电荷是如何产生来区分，如果是像电容一样，沟道中的电荷是由于电极电压诱导（相斥，异性相吸）而产生的，也就是积累得到，那么就是积累型，一般薄膜晶体管（TFT）多属于这类。
负压CMOS电荷泵的研究与设计.上海大学硕士学位论文摘要随着科技的进步，半导体技术得到了突飞猛进的发展。.为了满足多元化和高性能的需求，电子产品的电路结构越来越复杂，使得系统工程中经常会遇到这样一种问题，那就是在一个大的系统中，各子...
MOS器件建模及概述.ppt,沟道中扩散电流：弱反型：源端：Vcb=Vsb;漏端：Vcb=Vsb+Vds代入上式可得到源、漏端反型层电荷，最后可推导出漏电流亚阈值斜率S：亚阈值电流每变化一个数量级所要求栅压的变化量.----标志开关特性的好坏...
MOSFET亚阈值斜率随温度变化关系研究作者：作者单位：齐领(广东工业大材料学院广州510006电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实广州510610)，恩云飞,章晓文(电子元器件可靠性物理机器应用技术国家级重点实验广州510610)本文读者也读过
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