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二维MoSe2的CVD生长及光谱性质的研究.单层MoSe2具有1.52eV的直接带隙，位于近红外光波段且带隙大小可调，其光电转换效率明显高于双层及少层，并表现出区别于其对应体材料的光学特性。.二MoSe2中库仑屏蔽效应的减弱导致激子结合能显著提高，在室温下可以...
利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运理论计算体相和双层二维MoS2／MoSe2异质材料的热电性质．计算表明，体相MoS2／MoSe2异质材料的热电性质比之于MoSe2会有较大程度的提高．该异质材料热电性质的提高主要源于异质材料本...
本文主要以第一性原理计算的方法对单层MoS及其掺杂体系的电子结构和光学性质进行了对比研究。本论文首先对本征1H型单层MoS进行优化，并在优化的基础上得到其能带结构和态密度，我们得到的结论是单层1H型MoS拥有约1.55eV的直接带隙。
发表题为“Exciton-polaronRydbergstatesinmonolayerMoSe2andWSe2”的研究论文。在这里，他们测量了由氮化硼封装的单层MoSe2和WSe2门控器件的反射和光致发光。他们观察到与1s-3s激子Rydberg状态相关的门控可调谐的激子极子。
相关论文发表在AdvancedOpticalMaterials(DOI:10.1002/adom.201700767）上。FiledUnder:光子,电子,纳米TaggedWith:AdvancedOpticalMaterials,二硫化钨,二维半导体,二维过渡金属硫族化合物,光学特性,复旦大学
Nat.Commun.：二维MoSe2表面镜像双边界为有机分子自组装提供天然模板.众所周知，物质的结构和性质是息息相关的，物质的结构特点决定着物质的性质，性质又是结构特点的反映。.特别是在以石墨烯为代表的二维材料中，材料的厚度仅有几个原子层厚，材料的...
图1.通过掠射角沉积（GLAD）制造的MoSe2/Mo核-壳3D层次纳米结构示意图。(a)，等离子体辅助硒化过程。插图（a1）示出了电子束蒸发的GLAD，（a2）示出了等离子体辅助的硒化处理。（b）析氢反应和电荷转移的示意图。
过渡金属硫化物二维纳米材料，如MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2等受到了学界的高度重视，许多独特的光电性质在该材料由体材料降解到二维单分子层后体现出来，该类材料已成为新一代高性能纳米光电器件国际前沿研究的核心材料之一。然而，针对这类宽禁带直接带隙半导体二维纳米片的超快非线性光学...
提供单层MoS2的电子结构及光学性质word文档在线阅读与免费下载，摘要:第42卷第12期稀有金属材料与工程V01．42，No．122013芷12月RARE～皿TAI，MATERIAI．SANDENGⅡ屺ERINGDecember2013单层MoS2的电子结构及光学性质雷天民1，吴胜宝1，张玉明1，刘佳佳1，郭辉
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
二维MoSe2的CVD生长及光谱性质的研究.单层MoSe2具有1.52eV的直接带隙，位于近红外光波段且带隙大小可调，其光电转换效率明显高于双层及少层，并表现出区别于其对应体材料的光学特性。.二MoSe2中库仑屏蔽效应的减弱导致激子结合能显著提高，在室温下可以...
利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运理论计算体相和双层二维MoS2／MoSe2异质材料的热电性质．计算表明，体相MoS2／MoSe2异质材料的热电性质比之于MoSe2会有较大程度的提高．该异质材料热电性质的提高主要源于异质材料本...
本文主要以第一性原理计算的方法对单层MoS及其掺杂体系的电子结构和光学性质进行了对比研究。本论文首先对本征1H型单层MoS进行优化，并在优化的基础上得到其能带结构和态密度，我们得到的结论是单层1H型MoS拥有约1.55eV的直接带隙。
发表题为“Exciton-polaronRydbergstatesinmonolayerMoSe2andWSe2”的研究论文。在这里，他们测量了由氮化硼封装的单层MoSe2和WSe2门控器件的反射和光致发光。他们观察到与1s-3s激子Rydberg状态相关的门控可调谐的激子极子。
相关论文发表在AdvancedOpticalMaterials(DOI:10.1002/adom.201700767）上。FiledUnder:光子,电子,纳米TaggedWith:AdvancedOpticalMaterials,二硫化钨,二维半导体,二维过渡金属硫族化合物,光学特性,复旦大学
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图1.通过掠射角沉积（GLAD）制造的MoSe2/Mo核-壳3D层次纳米结构示意图。(a)，等离子体辅助硒化过程。插图（a1）示出了电子束蒸发的GLAD，（a2）示出了等离子体辅助的硒化处理。（b）析氢反应和电荷转移的示意图。
过渡金属硫化物二维纳米材料，如MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2等受到了学界的高度重视，许多独特的光电性质在该材料由体材料降解到二维单分子层后体现出来，该类材料已成为新一代高性能纳米光电器件国际前沿研究的核心材料之一。然而，针对这类宽禁带直接带隙半导体二维纳米片的超快非线性光学...
提供单层MoS2的电子结构及光学性质word文档在线阅读与免费下载，摘要:第42卷第12期稀有金属材料与工程V01．42，No．122013芷12月RARE～皿TAI，MATERIAI．SANDENGⅡ屺ERINGDecember2013单层MoS2的电子结构及光学性质雷天民1，吴胜宝1，张玉明1，刘佳佳1，郭辉
单层二硒化钨及其合金的与器件的研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docx,万方数据万方数据摘要摘要摘要摘要具有优异的电子和光学性质的二维层状半导体材料为原子层厚度的电子器件和光电子器件的应用打开了一扇大门。单层的过渡金属硫属化物，例如MoS2，WS2，MoSe2和WSe2由于其…
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