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Keywords：Photodetector,RFMagnetronSputtering,MoS2thinfilm,Agdoping,GaNdevice,MonolayerMoS2哈尔滨工业大学工学硕士学位论文-IV-1.1光电探测器研究的背景和意义1.2MoS2材料的基本性质1.3MoS2材料的特性1.4国内外研究
单层的MoS2具有直接带隙（1．8ev）结构，适于构筑具有低静态功耗，高开关比特点的场效应晶体管。本论文采用“自上而下”的微机械剥离法单层或几层的类石墨烯二硫化钼纳米片，并对目标样品进行了拉曼光谱表征。
摘要：二维(2D)过渡金属二硫属化物(TMDs)由于其特殊的物理化学性能近期引起了广泛关注.作为TMDs家族中的一员,MoS2具有典型的六方结构,其层内以强化学键相连接,层与层之间以弱范德华力相结合.当MoS2从体相材料转变成纳米材料时,会显示出独特的电子,光学性质和优异的催化性能.由于MoS2结构的各…
2.3MoS2光物理特性二维MoS2材料具有独特的二维层状结构与能带结构，因此其具有如光吸收、荧光、热效应等独特的物理性质。随着MoS2层状材料厚度的减小，其物理特性将发生变化，具有明显的厚度依赖性，在单层和少层的MoS2薄膜中存在强烈的光致发光和反常晶格振动REF_Ref514690692\r…
论文主要内容如下：1.采用锂离子插层法剥离二硫化钼,通过超声的方法将巯基乙胺插入剥离时产生的硫原子缺失位点,得到氨基化二硫化钼(MoS2-NH2)。
发表期刊：NatureNanotechnology《自然-纳米技术》论文标题：在C面蓝宝石上通过外延生长圆晶级单层二硫化钼（MoS2）半导体单晶（Epitaxialgrowthofwafer-scalemolybdenumdisulfidesemiconductorsinglecrystalsonsapphire）第一作者：TaotaoLi,WeiGuo,WeishengLi,ZhihaoYu,ZhenHan，南京大学；LiangMa,东南大学
MonolayerMoS2fornanoscalephotonics.Nanophotonics(IF8.449)PubDate:2020-02-03,DOI:10.1515/nanoph-2019-0533.XianguangYang,BaojunLi.AbstractTransitionmetaldichalcogenidesaretwo-dimensionalsemiconductorswithstrongin-planecovalentandweakout-of-planeinteractions,resultinginexfoliationintomonolayerswith...
论文说明了2DMoS2的活性位点以及能够提高其本征催化活性的各种策略，并且讨论了2DMoS2基材料在基础研究和工业应用等领域所面临的机遇与挑战。图一调整2DMoS2电子态的策略自身结构变化：（a）层控制，（b）尺寸控制，（c）空位控制
层状材料（如钒氧化物、锰氧化物等）凭借通畅的二维锌离子传输通道得到广泛研究。然而，二硫化钼作为一种经典的二维层状过渡金属硫化物却很少被用于储锌，这主要是由于块体MoS2较小的层间距（0.62nm）和较差的亲水性限制了水合锌离子的可逆脱嵌。
过渡金属掺杂二维mos2材料的电子结构与磁性质分析word论文.docx,过渡金属掺杂二维MoS2材料的电子结构与磁性质研究摘要具有独特层状结构的半导体材料MoS2近年来引起了业内人士的广泛关注。已有研究表明，向单层MoS2中掺杂过渡金属...
Keywords：Photodetector,RFMagnetronSputtering,MoS2thinfilm,Agdoping,GaNdevice,MonolayerMoS2哈尔滨工业大学工学硕士学位论文-IV-1.1光电探测器研究的背景和意义1.2MoS2材料的基本性质1.3MoS2材料的特性1.4国内外研究
单层的MoS2具有直接带隙（1．8ev）结构，适于构筑具有低静态功耗，高开关比特点的场效应晶体管。本论文采用“自上而下”的微机械剥离法单层或几层的类石墨烯二硫化钼纳米片，并对目标样品进行了拉曼光谱表征。
摘要：二维(2D)过渡金属二硫属化物(TMDs)由于其特殊的物理化学性能近期引起了广泛关注.作为TMDs家族中的一员,MoS2具有典型的六方结构,其层内以强化学键相连接,层与层之间以弱范德华力相结合.当MoS2从体相材料转变成纳米材料时,会显示出独特的电子,光学性质和优异的催化性能.由于MoS2结构的各…
2.3MoS2光物理特性二维MoS2材料具有独特的二维层状结构与能带结构，因此其具有如光吸收、荧光、热效应等独特的物理性质。随着MoS2层状材料厚度的减小，其物理特性将发生变化，具有明显的厚度依赖性，在单层和少层的MoS2薄膜中存在强烈的光致发光和反常晶格振动REF_Ref514690692\r…
论文主要内容如下：1.采用锂离子插层法剥离二硫化钼,通过超声的方法将巯基乙胺插入剥离时产生的硫原子缺失位点,得到氨基化二硫化钼(MoS2-NH2)。
发表期刊：NatureNanotechnology《自然-纳米技术》论文标题：在C面蓝宝石上通过外延生长圆晶级单层二硫化钼（MoS2）半导体单晶（Epitaxialgrowthofwafer-scalemolybdenumdisulfidesemiconductorsinglecrystalsonsapphire）第一作者：TaotaoLi,WeiGuo,WeishengLi,ZhihaoYu,ZhenHan，南京大学；LiangMa,东南大学
MonolayerMoS2fornanoscalephotonics.Nanophotonics(IF8.449)PubDate:2020-02-03,DOI:10.1515/nanoph-2019-0533.XianguangYang,BaojunLi.AbstractTransitionmetaldichalcogenidesaretwo-dimensionalsemiconductorswithstrongin-planecovalentandweakout-of-planeinteractions,resultinginexfoliationintomonolayerswith...
论文说明了2DMoS2的活性位点以及能够提高其本征催化活性的各种策略，并且讨论了2DMoS2基材料在基础研究和工业应用等领域所面临的机遇与挑战。图一调整2DMoS2电子态的策略自身结构变化：（a）层控制，（b）尺寸控制，（c）空位控制
层状材料（如钒氧化物、锰氧化物等）凭借通畅的二维锌离子传输通道得到广泛研究。然而，二硫化钼作为一种经典的二维层状过渡金属硫化物却很少被用于储锌，这主要是由于块体MoS2较小的层间距（0.62nm）和较差的亲水性限制了水合锌离子的可逆脱嵌。
过渡金属掺杂二维mos2材料的电子结构与磁性质分析word论文.docx,过渡金属掺杂二维MoS2材料的电子结构与磁性质研究摘要具有独特层状结构的半导体材料MoS2近年来引起了业内人士的广泛关注。已有研究表明，向单层MoS2中掺杂过渡金属...
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