采用荧光光谱和漫反射光谱评价将所BaTiF6:Mn4+单晶荧光材料与商业K2SiF6:Mn4+荧光粉浸入水中对比水解劣化行为。可见在3h后,商业K2SiF6:Mn4+荧光粉已完全变棕色,而BaTiF6:Mn4+单晶荧光材料尚保持较强荧光强度;漫反射光谱也证明变棕是样品中的Mn4+转变为其他杂质价态(如Mn3
Mn4+激活氟化物单晶荧光材料比其粉晶材料表现出更优异的耐水解老化性能;在该文中利用缓慢冷却结晶法在水溶液中生长出2~3mm长的短柱状Na2SiF6单晶体,并利用Mn4+↔Si4+阳离子交换反应Na2SiF6:Mn4+氟化物单晶荧光体。
MgAl2O4:Mn4+红光单晶微晶体论文在InorgChem上发表已有1196次阅读2020-11-2721:29|系统分类:科研笔记在InorganicChemistry上发表题为“MicrosizedRedLuminescentMgAl2O4:Mn4+Single-CrystalPhosphorGrowninMoltenSaltforWhiteLEDs”的论文。
【摘要】:本文用SEM505扫描电镜观察到ZG25钢铸件皮下显微气孔壁上(Mn,Fe)S单晶生长台阶花样和平衡状态的晶体形态。分析指出,平衡状态面心立方体的(Mn,Fe)S单晶是由{111}晶形的八个晶面和{100}晶形的六个晶面组成的十四面体。这是O_h—m3m立方晶系...
ZnS、ZnS:Mn纳米材料的及其光电器件性能研究.王彩凤.【摘要】:ZnS是II-VI族一种非常重要的半导体材料,具有较好的光学和电学性能,在光电子器件、发光二极管、传感器、探测器和化工等领域应用广泛。.对ZnS进行Mn掺杂得到的ZnS:Mn晶体材料的光学性能也十分...
SynthesisofCsPbCl3‐MnNanocrystalsviaCationExchange.AdvancedOpticalMaterials(IF9.926)PubDate:2017-08-24,DOI:10.1002/adom.201700520.WeiXu,FeimingLi,FangyuanLin,YingChen,ZhixiongCai,YiruWang,XiChen.Mndopedcaesiumleadhalideperovskite(CsPbCl3‐Mn)nanocrystalsareobtainedfromCsPbBr3nanocrystalsviaion...
Wereportthephotoinducedpost-synthesismethodofMndopingincolloidalperovskitenanocrystals,whichcanproduceMn-dopedCsPbX3(X=Cl,Br)nanocrystalswithpreservedsizeandanisotropicmorphology.PhotoinducedMndopingoccursthroughcationexchangedrivenbythefacilephotoinducedhalideexchangeindihalomethane(CH2X2,X=Cl...
本文尝试利用高温有机化学反应的方法分别Mn掺杂和Co掺杂的ZnO微米单晶。.结果显示,Mn离子和Co离子能以替代Zn离子的方式均匀掺杂在ZnO晶体中,它ZnO中的掺杂浓度在5%左右。.在此基础上我们对样品的光致发光和磁性能进行了本课题得到教育部...
最新博士论文—《基于第一性原理研究Al14Mn2P16的力、磁、光性质》摘要第1-5页Abstract第5-11页第一章绪论第11-21页1.1外力作用下固体弹性磁性和光学性质的研究背景及现状
掺锰(Mn)砷化镓(GaAs)材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...
采用荧光光谱和漫反射光谱评价将所BaTiF6:Mn4+单晶荧光材料与商业K2SiF6:Mn4+荧光粉浸入水中对比水解劣化行为。可见在3h后,商业K2SiF6:Mn4+荧光粉已完全变棕色,而BaTiF6:Mn4+单晶荧光材料尚保持较强荧光强度;漫反射光谱也证明变棕是样品中的Mn4+转变为其他杂质价态(如Mn3
Mn4+激活氟化物单晶荧光材料比其粉晶材料表现出更优异的耐水解老化性能;在该文中利用缓慢冷却结晶法在水溶液中生长出2~3mm长的短柱状Na2SiF6单晶体,并利用Mn4+↔Si4+阳离子交换反应Na2SiF6:Mn4+氟化物单晶荧光体。
MgAl2O4:Mn4+红光单晶微晶体论文在InorgChem上发表已有1196次阅读2020-11-2721:29|系统分类:科研笔记在InorganicChemistry上发表题为“MicrosizedRedLuminescentMgAl2O4:Mn4+Single-CrystalPhosphorGrowninMoltenSaltforWhiteLEDs”的论文。
【摘要】:本文用SEM505扫描电镜观察到ZG25钢铸件皮下显微气孔壁上(Mn,Fe)S单晶生长台阶花样和平衡状态的晶体形态。分析指出,平衡状态面心立方体的(Mn,Fe)S单晶是由{111}晶形的八个晶面和{100}晶形的六个晶面组成的十四面体。这是O_h—m3m立方晶系...
ZnS、ZnS:Mn纳米材料的及其光电器件性能研究.王彩凤.【摘要】:ZnS是II-VI族一种非常重要的半导体材料,具有较好的光学和电学性能,在光电子器件、发光二极管、传感器、探测器和化工等领域应用广泛。.对ZnS进行Mn掺杂得到的ZnS:Mn晶体材料的光学性能也十分...
SynthesisofCsPbCl3‐MnNanocrystalsviaCationExchange.AdvancedOpticalMaterials(IF9.926)PubDate:2017-08-24,DOI:10.1002/adom.201700520.WeiXu,FeimingLi,FangyuanLin,YingChen,ZhixiongCai,YiruWang,XiChen.Mndopedcaesiumleadhalideperovskite(CsPbCl3‐Mn)nanocrystalsareobtainedfromCsPbBr3nanocrystalsviaion...
Wereportthephotoinducedpost-synthesismethodofMndopingincolloidalperovskitenanocrystals,whichcanproduceMn-dopedCsPbX3(X=Cl,Br)nanocrystalswithpreservedsizeandanisotropicmorphology.PhotoinducedMndopingoccursthroughcationexchangedrivenbythefacilephotoinducedhalideexchangeindihalomethane(CH2X2,X=Cl...
本文尝试利用高温有机化学反应的方法分别Mn掺杂和Co掺杂的ZnO微米单晶。.结果显示,Mn离子和Co离子能以替代Zn离子的方式均匀掺杂在ZnO晶体中,它ZnO中的掺杂浓度在5%左右。.在此基础上我们对样品的光致发光和磁性能进行了本课题得到教育部...
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掺锰(Mn)砷化镓(GaAs)材料特性研究,稀磁性半导体,离子注入,快速热退火,铁磁性,居里温度。稀磁性半导体(DMS)是指在半导体化合物中,由磁性过渡族金属离子部分替代非磁性离子所形成的一类新型半导体材料。由于这种材...