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论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensationTechniques”的论文入选2020VLSICircuit。
论文提出的读出电路可适用于其它三维交叉堆叠型非易失存储器，并因读出电路与阵列的设计参数直接相关，相关设计人员可根据其存储器的容量...
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器和非易失性存储器，其中DRAM与NANDFlash分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看，DRAM与NANDFlash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。原因是无论NANDflash还是DRAM都是基于电容或者说电荷存储原理的器件，随着工艺的进步，构成器件电容的绝缘层越来越薄了，现在已经只有几十个原子的厚度，同样的存储的电荷也越来越少，此时这个电容保持电荷的能力就很不稳定，电荷读取也越来越难。
存储器存储器分类按存储介质分类存储介质主要有半导体器件、磁性材料、光盘。半导体存储器存储元件由半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。现代半导体存储器都用超大规模集成电路工…
但是存储器的器件结构和外围电路的器件结构存在差异，导致存储器和外围电路的物理分离，器件集成及其相互耦合限制了类脑芯片的设计。且随着器件尺寸的不断缩小，相互之间的阻抗匹配阻碍了高性能和高能效类脑计算的实现。
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensation
硕士论文答辩—《相变存储器芯片电路设计与实现》摘要第1-5页Abstract第5-10页第一章相变存储器的研究动态第10-25页·引言
论文基于同质晶体管-存储器架构还提出了一种三维集成结构，对推动基于二维材料的新型神经形态硬件的产业化和应用具有极其重要的学术意义和应用前景。图2：基于同质晶体管-存储器架构的神经形态硬件实现了二值分类算法...
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensationTechniques”的论文入选2020VLSICircuit。
论文提出的读出电路可适用于其它三维交叉堆叠型非易失存储器，并因读出电路与阵列的设计参数直接相关，相关设计人员可根据其存储器的容量...
存储芯片根据断电后所储存的数据是否会丢失，可以分为易失性存储器和非易失性存储器，其中DRAM与NANDFlash分别为这两类存储器的代表。尽管存储芯片种类众多，但从产值构成来看，DRAM与NANDFlash已经成为存储芯片产业的主要构成部分。
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。原因是无论NANDflash还是DRAM都是基于电容或者说电荷存储原理的器件，随着工艺的进步，构成器件电容的绝缘层越来越薄了，现在已经只有几十个原子的厚度，同样的存储的电荷也越来越少，此时这个电容保持电荷的能力就很不稳定，电荷读取也越来越难。
存储器存储器分类按存储介质分类存储介质主要有半导体器件、磁性材料、光盘。半导体存储器存储元件由半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。现代半导体存储器都用超大规模集成电路工…
但是存储器的器件结构和外围电路的器件结构存在差异，导致存储器和外围电路的物理分离，器件集成及其相互耦合限制了类脑芯片的设计。且随着器件尺寸的不断缩小，相互之间的阻抗匹配阻碍了高性能和高能效类脑计算的实现。
论文展示了28nm的1.5MbRRAM测试芯片，将嵌入式NVM存储密度记录提高了40％，达到14.8Mb/mm2。上述研究成果以题为“A28nm1.5MbEmbedded1T2RRRAMwith14.8Mb/mm2UsingSneakingCurrentSuppressionandCompensation
硕士论文答辩—《相变存储器芯片电路设计与实现》摘要第1-5页Abstract第5-10页第一章相变存储器的研究动态第10-25页·引言
论文基于同质晶体管-存储器架构还提出了一种三维集成结构，对推动基于二维材料的新型神经形态硬件的产业化和应用具有极其重要的学术意义和应用前景。图2：基于同质晶体管-存储器架构的神经形态硬件实现了二值分类算法...
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