发表服务
毕业论文>一、填空题1磁表面存储器的主要技术指标有、、汉字在输入时采用，在存储时采用，在显示或打印时采用温彻斯特是一种磁头的盘片的磁盘机。
非挥发性半导体存储器技术研究.王政.【摘要】：随着集成电路的集成密度和性能高速发展,其对半导体存储器的性能指标提出了更高的要求,对大容量、高性能、高密度和低功耗的半导体存储器的追求使得存储器电路设计面临艰巨的任务。.本论文以国内自主...
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
2011-04-11衡量存储器的两个主要性能指标是什么12011-11-19存储器的性能指标是什么？2016-12-24存储器有哪些主要技术指标62011-04-08cpu,存储器主要性能指标有哪些，含义？32013-12-16主存储器性能的主要参数有哪些？22018-01-09内存的主要
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
中国科大出高性能可集成固态量子存储器.中国科学技术大学郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。.该团队李传锋、周宗权等人采用飞...
3.光存储器集成路线图必须围绕着高产和低成本的制造技术来塑造，使密集型光存储器架构能够达到与电子同行类似的规模、复杂度和成本效益。论文标题为《OpticalRAMandintegratedopticalmemories:asurvey》。
A、衡量主存储器的主要技术指标是字长B、外存储器能与内存储器成批传输数据C、内存储器不能直接与CPU交换数据D、外存储器能与CPU直接交换数据41、下列不属于闪存盘优点的…
如果存储器存取频度并非微不足道，那么预测CPU利用率时，就应该同时使用数据停顿率。本白皮书是基于一篇会议论文撰写的，该论文研究了有助于表征存储器特性的3种存储器指标，论文以此为基础提出了一种改进性能预测的算法。
AlOx基高性能忆阻器研究新进展当今，忆阻器已成为下一代非易失性存储器及非冯存算一体化技术的有利候选。其中，过渡金属氧化物（包括氧化铪，氧化钽，氧化钨等）由于其成本低、操作速度快、功耗低、耐擦写、3维集成能力和CMOS兼容工艺等优势，已成为最有潜力的忆阻材料。
毕业论文>一、填空题1磁表面存储器的主要技术指标有、、汉字在输入时采用，在存储时采用，在显示或打印时采用温彻斯特是一种磁头的盘片的磁盘机。
非挥发性半导体存储器技术研究.王政.【摘要】：随着集成电路的集成密度和性能高速发展,其对半导体存储器的性能指标提出了更高的要求,对大容量、高性能、高密度和低功耗的半导体存储器的追求使得存储器电路设计面临艰巨的任务。.本论文以国内自主...
关于存储器的发展历史，还有性能分析-张凌001-博客园.RAM（RandomAccessMemory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。.它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作...
2011-04-11衡量存储器的两个主要性能指标是什么12011-11-19存储器的性能指标是什么？2016-12-24存储器有哪些主要技术指标62011-04-08cpu,存储器主要性能指标有哪些，含义？32013-12-16主存储器性能的主要参数有哪些？22018-01-09内存的主要
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
中国科大出高性能可集成固态量子存储器.中国科学技术大学郭光灿院士团队在量子存储领域取得重要进展。.该团队李传锋、周宗权等人采用飞...
3.光存储器集成路线图必须围绕着高产和低成本的制造技术来塑造，使密集型光存储器架构能够达到与电子同行类似的规模、复杂度和成本效益。论文标题为《OpticalRAMandintegratedopticalmemories:asurvey》。
A、衡量主存储器的主要技术指标是字长B、外存储器能与内存储器成批传输数据C、内存储器不能直接与CPU交换数据D、外存储器能与CPU直接交换数据41、下列不属于闪存盘优点的…
如果存储器存取频度并非微不足道，那么预测CPU利用率时，就应该同时使用数据停顿率。本白皮书是基于一篇会议论文撰写的，该论文研究了有助于表征存储器特性的3种存储器指标，论文以此为基础提出了一种改进性能预测的算法。
AlOx基高性能忆阻器研究新进展当今，忆阻器已成为下一代非易失性存储器及非冯存算一体化技术的有利候选。其中，过渡金属氧化物（包括氧化铪，氧化钽，氧化钨等）由于其成本低、操作速度快、功耗低、耐擦写、3维集成能力和CMOS兼容工艺等优势，已成为最有潜力的忆阻材料。
发表服务