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基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docx,目录目录目录目录摘要IAbs仃act．．1I目录．ⅡI第1章绪论．11．1课题研究背景．．11．2国内外研究现状．11．3MOS存储器的分类31．4本文章节安排．51．5本章...
硕士学位论文低电压SRAM存储单元及灵敏放大器设计DESIGNOFBITCELLANDSENSEAMPLIFIERFORLOW－VOLTAGESTATICRANDOMACCESSMEMORYAThesisSubmittedSoutheastUniversityForAcademicDegreeEngineeringBYZhangTiantianSupervised8uperwsed‘byProf．HUChenSchoolElectronicScienceEngineeringSoutheastUniversityJune2015东南大学学位论文…
摘要：一种半导体存储器单元阵列及半导体只读存储器单元阵列,该半导体存储器单元阵列包含一延伸连续有源区.第一以及第二传输晶体管形成于延伸连续有源区上且分别形成于半导体存储器单元阵列中的一列存储器单元的第一及第二相邻存储器单元的一部分.一隔离晶体管形成于第一以及第二传输...
CBTC系统数据存储单元的设计与实现.姜富强.【摘要】：基于通信的列车控制系统(CBTC)是城市轨道交通中信号系统的新发展。.轨道数据存储单元(DSU)是CBTC的核心。.DSU的功能是建立、维护和发布城市轨道交通的线路数据。.本文通过查阅大量的文献资料、技术...
前言近期在小组内分享了一篇新硬件（OptanePMEM）和LSM相结合的论文，在前期准备过程中特地研究了一番NAND和PMEM底层bit存储单元之间的差异，希望能够在分享过程中让听众从底层存储单元的角度对上层存储介质
NAND闪存存储器的特性研究.杨文静.【摘要】：在大数据和云存储时代,NAND闪存存储器对存储密度、擦写速度和可靠有了更高的要求。.随着NAND闪存存储器存储密度的不断提高和存储单元尺寸的不断减小,由于各种物理尺寸限制效应出现了一系列无法避免的...
硕士毕业论文—《RRAM存储单元设计》摘要第1-4页Abstract第4-5页目录第5-7页第一章绪论第7-13页·非挥发性存储器简介
本论文通过优化传统T型PCMcell纳米尺度结构，使用几种新型纳米加热层薄膜，有效提高了单元的加热效率，降低了操作功耗。于单一PCMcell中使用双层纳米相变材料薄膜结构，成功实现了三级数据存储态，并就中间电阻态的形成与稳定机制进行了研究，为多层相变材料薄膜中获得稳定的多级存储态...
存储体是存储1和0信息的电路实体，它由许多个存储单元组成，每个存储单元一般由若干位(8位)组成，每一位需要一个存储元件，每个存储单元有一个编号，称为地址。存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的根数n与存储单元的数量N之间的关系为：2n
基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,OTP存储器,存储单元。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到...
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摘要：一种半导体存储器单元阵列及半导体只读存储器单元阵列,该半导体存储器单元阵列包含一延伸连续有源区.第一以及第二传输晶体管形成于延伸连续有源区上且分别形成于半导体存储器单元阵列中的一列存储器单元的第一及第二相邻存储器单元的一部分.一隔离晶体管形成于第一以及第二传输...
CBTC系统数据存储单元的设计与实现.姜富强.【摘要】：基于通信的列车控制系统(CBTC)是城市轨道交通中信号系统的新发展。.轨道数据存储单元(DSU)是CBTC的核心。.DSU的功能是建立、维护和发布城市轨道交通的线路数据。.本文通过查阅大量的文献资料、技术...
前言近期在小组内分享了一篇新硬件（OptanePMEM）和LSM相结合的论文，在前期准备过程中特地研究了一番NAND和PMEM底层bit存储单元之间的差异，希望能够在分享过程中让听众从底层存储单元的角度对上层存储介质
NAND闪存存储器的特性研究.杨文静.【摘要】：在大数据和云存储时代,NAND闪存存储器对存储密度、擦写速度和可靠有了更高的要求。.随着NAND闪存存储器存储密度的不断提高和存储单元尺寸的不断减小,由于各种物理尺寸限制效应出现了一系列无法避免的...
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本论文通过优化传统T型PCMcell纳米尺度结构，使用几种新型纳米加热层薄膜，有效提高了单元的加热效率，降低了操作功耗。于单一PCMcell中使用双层纳米相变材料薄膜结构，成功实现了三级数据存储态，并就中间电阻态的形成与稳定机制进行了研究，为多层相变材料薄膜中获得稳定的多级存储态...
存储体是存储1和0信息的电路实体，它由许多个存储单元组成，每个存储单元一般由若干位(8位)组成，每一位需要一个存储元件，每个存储单元有一个编号，称为地址。存储器的地址用一组二进制数表示，其地址线的根数n与存储单元的数量N之间的关系为：2n
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