4.对自旋转移力矩磁随机存储器的电路进行了研究。基于上述的磁隧道结研究和关键读写电路设计,本文设计了16Kbit自旋转移力矩磁随机存储器。本文主要分析设计了自旋转移力矩磁随机存储器的系统结构,磁存储单元阵列和外围控制逻辑电路、译码电路等。
纳米颗粒型磁存储介质材料:近年来随着信息量飞速增加,要求记录介质材料高性能化,特别是记录高密度化。高记录密度的记录介质材料与超微粒有密切的关系。若以超微粒作记录单元,可使记录密度大大提高。纳米磁性微粒由于尺寸小...
2014磁控溅射镀膜技术文献综述论文.doc,磁控溅射镀膜技术文献综述摘要因现代科技发展的需求,真空镀膜技术得到了迅猛发展。镀膜技术可改变工件表面性能,提高工件的耐磨损、抗氧化、耐腐蚀等性能,延长工件使用寿命,具有很高的经济价值。
文献综述论文格式论文选题论文提纲开题报告论文摘要论文写作论文修改留学生论文...1.2磁光存储的写入和读出原理磁光存储技术所依赖的是磁性材料的两个性质,即:(1)温度变化时,材料的磁化状态产生相应的热磁效应。(2)材料磁化状态...
磁随机存取存储器新型自旋电子学器件专利评价产业化本文关键词:磁随机存取存储器:专利视角下的产业化趋势,,由笔耕文化传播整理发布。【摘要】:磁随机存取存储器,作为未来最有希望代替现有随机存储器的新型数据非易失性存储器技术之一,具有高速度、高密度、非易失性、长寿命、低...
铁电/铁磁异质结构磁存储磁各向异性能磁电耦合磁子DOI:CNKI:SUN:KXTB.0.2019-35-005年份:2019...通过文献互助平台发起求助,成功后即可免费获取论文全文。您可以选择微信扫码或财富值支付求助。我要求助我们已与文献出版商建立了直接购买...
参考文献北京,《光盘存储系统设计原理》国防工业出版社,2000刘公强,乐志强,沈德芳,《磁光学》上海,上海科学技术出版社2001博士学位论文《PtCoNi合金薄膜的结构、磁性和磁光特性研究》2000.5.1博士学位论文《Co-Pt磁光合金膜的溅射和
3.对自旋转移力矩磁随机存储器的读取电路进行了研究。针对STT-MRAM利用读取电流感测磁存储单元电阻的不同,通过灵敏放大器实现0、1数据判别的特点,提出了采用平行态磁隧道结作为读取灵敏放大器参考单元的结构。
4.对自旋转移力矩磁随机存储器的电路进行了研究。基于上述的磁隧道结研究和关键读写电路设计,本文设计了16Kbit自旋转移力矩磁随机存储器。本文主要分析设计了自旋转移力矩磁随机存储器的系统结构,磁存储单元阵列和外围控制逻辑电路、译码电路等。
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参考文献北京,《光盘存储系统设计原理》国防工业出版社,2000刘公强,乐志强,沈德芳,《磁光学》上海,上海科学技术出版社2001博士学位论文《PtCoNi合金薄膜的结构、磁性和磁光特性研究》2000.5.1博士学位论文《Co-Pt磁光合金膜的溅射和
3.对自旋转移力矩磁随机存储器的读取电路进行了研究。针对STT-MRAM利用读取电流感测磁存储单元电阻的不同,通过灵敏放大器实现0、1数据判别的特点,提出了采用平行态磁隧道结作为读取灵敏放大器参考单元的结构。