晋西春雷850x800mm两辊可逆铜带热轧机组合同附件
中国有色金属装备及中日铜技术论坛文集51国内铜板带生产技术与装备现状概述(中色科技股份有限公司河南洛阳471039)摘要:随着经济的快速发展和科技的不断进步,国内对铜板带产品量的需求与质的要求不断提升,铜板带产品也在向多品种、多规格、高精度、高性能、高技术含量...
本论文通过大变形异步叠轧与热处理组合调控超细晶铜材组织、界面结构,出组织均匀、高强度、高塑性及良好导电性的超细孪晶铜材。.通过大变形异步叠轧方法出超细孪晶铜材,为超细晶材料的组织控制提供新的研究内容,也为块体尺寸超细孪晶...
2010年全国铜材产量、消费量均超过1000万吨,连续七年居世界第一位,产量已占世界总产量的二分之一。.一、铜及铜合金板带产业现状一、铜及铜合金板带产业现状1.2国内外铜现状1.2.1国内外铜企业中国、美国、德国、日本、法国、意大利等国是...
张春雷;316L-Q345R不锈钢复合板组织与性能研究[D];燕山大学;2015年2黄亮;不锈钢复合板热轧复合及参数分析[D];燕山大学;2004年3张亚楠;双面超薄不锈钢复合板激光焊接性研究[D];太原理工大学;2011年4侯英武;不锈钢复合板冷轧过程有限元模拟[D];燕山
夏春雷;;钠纳米团簇的光吸收和体等离激元:理论分析(英文)[J];中南民族大学学报(自然科学版);2011年01期中国重要会议论文全文数据库前10条
如果能够通过焊接铜材实现其在微小电子器件方面的散热应用,就可以打破国外对中国的技术,实现可观的经济效益。...2018年全国冷轧板带生产技术交流会、2018年全国热轧板带生产技术交流会论文…
毕业论文GRADUATEDESIGN论文题目:板材深冲性能的影响因素学生姓名:王**专业班级:材料成型与控制技术系:资源与环境工程系指导教师:20131.1冲压成型.....1.1.1冲压成型的概念1.1.2冲压成型的优点1.1.3冲压成型的应用范围1.2板材深冲性能的主要评价指标1.2.1塑性应变比即r1.2.2屈服强度1.2.3抗...
2021年有色金属标准工作会议预安排按时间顺序排列.doc,2021年有色金属标准工作会议预安排(按时间顺序排列)序号标准项目名称项目计划编号起草单位工作阶段3月份会议TC243/SC1(轻金属)3月上变形镁合金显微组织检验方法国标委发[2020]6...
【摘要】:通过电子背散射衍射(EBSD)技术,测定了一种5083铝合金中的热轧织构。结果表明:在结构中的不同位置,织构组分呈现非均匀发展的特点,特别地,晶界面亦呈现取向织构。在样品的中心位置,晶界面趋向于{111}取向,且其数量高出随机晶界50%;同时,在样品的边缘位置,晶界面趋向于{110}与{112}取向,且其...
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中国有色金属装备及中日铜技术论坛文集51国内铜板带生产技术与装备现状概述(中色科技股份有限公司河南洛阳471039)摘要:随着经济的快速发展和科技的不断进步,国内对铜板带产品量的需求与质的要求不断提升,铜板带产品也在向多品种、多规格、高精度、高性能、高技术含量...
本论文通过大变形异步叠轧与热处理组合调控超细晶铜材组织、界面结构,出组织均匀、高强度、高塑性及良好导电性的超细孪晶铜材。.通过大变形异步叠轧方法出超细孪晶铜材,为超细晶材料的组织控制提供新的研究内容,也为块体尺寸超细孪晶...
2010年全国铜材产量、消费量均超过1000万吨,连续七年居世界第一位,产量已占世界总产量的二分之一。.一、铜及铜合金板带产业现状一、铜及铜合金板带产业现状1.2国内外铜现状1.2.1国内外铜企业中国、美国、德国、日本、法国、意大利等国是...
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如果能够通过焊接铜材实现其在微小电子器件方面的散热应用,就可以打破国外对中国的技术,实现可观的经济效益。...2018年全国冷轧板带生产技术交流会、2018年全国热轧板带生产技术交流会论文…
毕业论文GRADUATEDESIGN论文题目:板材深冲性能的影响因素学生姓名:王**专业班级:材料成型与控制技术系:资源与环境工程系指导教师:20131.1冲压成型.....1.1.1冲压成型的概念1.1.2冲压成型的优点1.1.3冲压成型的应用范围1.2板材深冲性能的主要评价指标1.2.1塑性应变比即r1.2.2屈服强度1.2.3抗...
2021年有色金属标准工作会议预安排按时间顺序排列.doc,2021年有色金属标准工作会议预安排(按时间顺序排列)序号标准项目名称项目计划编号起草单位工作阶段3月份会议TC243/SC1(轻金属)3月上变形镁合金显微组织检验方法国标委发[2020]6...
【摘要】:通过电子背散射衍射(EBSD)技术,测定了一种5083铝合金中的热轧织构。结果表明:在结构中的不同位置,织构组分呈现非均匀发展的特点,特别地,晶界面亦呈现取向织构。在样品的中心位置,晶界面趋向于{111}取向,且其数量高出随机晶界50%;同时,在样品的边缘位置,晶界面趋向于{110}与{112}取向,且其...