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我们推荐使用2018版新增的IVCharacteristics功能进行IV曲线计算，IVCharacteristics是QuantumATK开发的一类最新的Study对象，用来计算和分析器件体系（特别是场效应管FET器件模型）的常见电子性质，专门用于多步骤的复杂计算流程的设置、分析，大大提高了IV计算的效率...
一同考研.2015-04-0315743人看过.我们实验中得到的氮气吸附脱附的数据，需要我们进行作图处理，然后才能得到吸附脱附的曲线图，而且孔径分布图也是需要借助相关的软件来作出图来，在文献中，有时候我们看到，吸附脱附曲线图和孔径分布图是在一张图上的...
关于半导体物理中的IV曲线解析-物理-凝聚态物理-小木虫论坛-学术科研互动平台.版块导航.正在加载中...客户端APP下载.考博/论文辅导.登录注册.帖子.帖子.用户.
mos管特性曲线、电流方程及参数详解（一）mos管特性曲线、电流方程1、mos管特性曲线-输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
陈超奇GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析2004本文分析GaAs/Ge单结太阳电池研制中,两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的...
论文明确地指出了边缘复合位置并量化了复合损耗，结合光伏特性、暗态和光电流—电压（IV）曲线、局域光照的IV曲线等表征手段，详细比较了采用硬掩模法和光刻法所的叉指式背接触电…
本科论文（设计）量子阱光谱探测器的设计与.量子阱光谱探测器主要可以对红外波段光谱进行探测，也可以称之为量子阱红外探测器（QWIP）相对于传统的HgCdTe的红外探测器，具有成本低、均匀性高、灵敏度高、功耗低、抗辐照的优势。.近年来，在军事...
方法/步骤.1/7分步阅读.首先在excel表格中添加数据，如下图所示。.2/7.选中要使用的绘制曲线的数据，如下图所示。.本页面未经授权抓取自百度经验.3/7.选中数据后单击菜单栏的插入菜单，如下图所示1。.然后选择折线按钮，选择一个需要的折线类型，图三...
IV曲线测试步骤I-V曲线测试仪使用电池温度探头时，它应与组件后部紧密接触，并且在朝向模块中心的电池中心，同时检查并且串Voc值在期望的范围内。.在辐照度达到仪器要求值并稳开始测试IV曲线测试接线注意事项：参考组件和待测组件保持水平背板...
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一同考研.2015-04-0315743人看过.我们实验中得到的氮气吸附脱附的数据，需要我们进行作图处理，然后才能得到吸附脱附的曲线图，而且孔径分布图也是需要借助相关的软件来作出图来，在文献中，有时候我们看到，吸附脱附曲线图和孔径分布图是在一张图上的...
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