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论文选取CRH3动车组牵引变流器为模型，深入研究水冷散热技术，优化设计出有效的水冷散热器。.首先，分析了牵引变流器功率开关器件损耗的因素，对牵引变流器率开关器件IGBT模块的损耗计算方式进行了介绍，并给出了具体的计算方法。.依据CRH3动车组...
【摘要】：针对于IGBT的冷却问题,通过实验研究探讨如何获得最大的表面传热系数h。依据IGBT的水冷原理,散热器的内部采用微槽道结构,在恒定加热功率下,对冷却试件进行了六种不同流量下的实验,得出上下冷却基板表面温度、表面传热系数、努塞尔数的分布。
【摘要】：根据摩尔定律,集成电路的集成度将以每18到24个月便翻一倍的速度增长,随之器件发热功率也将提高,进而对器件内部的热展开效率以及外围的散热速度都有更高的要求。电力电子领域亦是如此。绝大多数应用IGBT模块的换流阀均采用水冷系统。水冷却系统散热技术成熟且具有相当多的优点,但...
IGBT模块损耗计算及散热系统设计讲解.2009年3月第24卷第3期电工技术学报TRANSACTIONSOFCHINAELECTROTECHNICALSOCIETYV01．24No．3Mar．2009变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计（哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院哈尔滨150001）摘要提出了一种设计变频器散热...
IGBT的热流密度很大，如果散热不当，很容易烧毁。据调查，超过55％的IGBT失效是由温度过高引起的16J。所以说，IGBT的可靠运行必须依靠良好的散热设计。在IGBT的发热功率较大的情况下，采取水冷散热的效果更好。
动车组牵引变流器冷却系统冷却方式研究.段飞.【摘要】：文章介绍了动车组牵引变流器冷却系统构成和原理,对影响功率器件IGBT的散热特性进行了分析,对自然冷却、风冷、液体冷却、相变冷却几种冷却方式特点做了一一分析,说明采用相变冷却方式的优点...
电脑水冷散热外国的就比国内的好吗？首页行业资讯行业新闻交流会展会技术文章散热技术芯片/元器件/电路板...如何理解IGBT的热阻和热阻抗？2018-04-268208平行翅片式散热器流阻计算2017-07-012017-05-083351...
基于碳化硅MOSFET水冷逆变电源的应用研究.王皓平.【摘要】：近年来,包括碳化硅MOSFET在内的宽禁带半导体器件发展迅猛,受到学术界和工业界广泛的研究和关注。.碳化硅器件损耗小,开关频率高,热稳定性强,基于碳化硅器件的电力电子装置具有高效率、高可靠性...
С.В.Покровский;田睿;;大功率IGBT晶体管牵引变流器[J];国外内燃机车;2011年06期19赵雷廷;刁利军;董侃;刘志刚;;地铁牵引变流器-电机系统稳定性控制[J];电工技术学报;2013年06期20张永恒;王业峰;王良璧;;列车牵引变流器水冷散热的实验研究[J];工程热物理
IBM关于这方面的论文，“垂直集成封装下的式对流夹层冷却法”在5月晚些时候在佛罗里达奥兰多举办的IEEEITherm会议上获得了最佳论文奖。这标志着IBM的苏黎世实验室的热封装团队连续第三年赢得了这个奖项，苏黎世团队将会聚焦于水冷研究，因为在电子散热领域水的效率要高于空气4000倍。
论文选取CRH3动车组牵引变流器为模型，深入研究水冷散热技术，优化设计出有效的水冷散热器。.首先，分析了牵引变流器功率开关器件损耗的因素，对牵引变流器率开关器件IGBT模块的损耗计算方式进行了介绍，并给出了具体的计算方法。.依据CRH3动车组...
【摘要】：针对于IGBT的冷却问题,通过实验研究探讨如何获得最大的表面传热系数h。依据IGBT的水冷原理,散热器的内部采用微槽道结构,在恒定加热功率下,对冷却试件进行了六种不同流量下的实验,得出上下冷却基板表面温度、表面传热系数、努塞尔数的分布。
【摘要】：根据摩尔定律,集成电路的集成度将以每18到24个月便翻一倍的速度增长,随之器件发热功率也将提高,进而对器件内部的热展开效率以及外围的散热速度都有更高的要求。电力电子领域亦是如此。绝大多数应用IGBT模块的换流阀均采用水冷系统。水冷却系统散热技术成熟且具有相当多的优点,但...
IGBT模块损耗计算及散热系统设计讲解.2009年3月第24卷第3期电工技术学报TRANSACTIONSOFCHINAELECTROTECHNICALSOCIETYV01．24No．3Mar．2009变频器中的IGBT模块损耗计算及散热系统设计（哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院哈尔滨150001）摘要提出了一种设计变频器散热...
IGBT的热流密度很大，如果散热不当，很容易烧毁。据调查，超过55％的IGBT失效是由温度过高引起的16J。所以说，IGBT的可靠运行必须依靠良好的散热设计。在IGBT的发热功率较大的情况下，采取水冷散热的效果更好。
动车组牵引变流器冷却系统冷却方式研究.段飞.【摘要】：文章介绍了动车组牵引变流器冷却系统构成和原理,对影响功率器件IGBT的散热特性进行了分析,对自然冷却、风冷、液体冷却、相变冷却几种冷却方式特点做了一一分析,说明采用相变冷却方式的优点...
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基于碳化硅MOSFET水冷逆变电源的应用研究.王皓平.【摘要】：近年来,包括碳化硅MOSFET在内的宽禁带半导体器件发展迅猛,受到学术界和工业界广泛的研究和关注。.碳化硅器件损耗小,开关频率高,热稳定性强,基于碳化硅器件的电力电子装置具有高效率、高可靠性...
С.В.Покровский;田睿;;大功率IGBT晶体管牵引变流器[J];国外内燃机车;2011年06期19赵雷廷;刁利军;董侃;刘志刚;;地铁牵引变流器-电机系统稳定性控制[J];电工技术学报;2013年06期20张永恒;王业峰;王良璧;;列车牵引变流器水冷散热的实验研究[J];工程热物理
IBM关于这方面的论文，“垂直集成封装下的式对流夹层冷却法”在5月晚些时候在佛罗里达奥兰多举办的IEEEITherm会议上获得了最佳论文奖。这标志着IBM的苏黎世实验室的热封装团队连续第三年赢得了这个奖项，苏黎世团队将会聚焦于水冷研究，因为在电子散热领域水的效率要高于空气4000倍。
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